BUK6Y12-30PX متاح الآن!تقنية LYNTEAM هي موزع التخزين ل BUK6Y12-30PX، لدينا مخزونات للشحن الفوري وتتوفر أيضا لتزويد وقت طويل.الرجاء ارسال لنا خطة الشراء الخاصة بك ل BUK6Y12-30PX عبر البريد الإلكتروني، وسنقدم لك أفضل سعر وفقا لخطتك.
شراء BUK6Y12-30PX مع LYNTEAM، وفر أموالك والوقت.
بريدنا الإلكتروني: [email protected]
BUK6Y12-30PX
- رقم القطعة:
- BUK6Y12-30PX
- الصانع:
- Nexperia
- وصف:
- BUK6Y12-30P/SOT669/LFPAK
- كمية المخزون:
- 27025 Pieces
- موعد التسليم:
- 1-2 days
- المهلة:
- 4-8 weeks
- ورقة البيانات:
- BUK6Y12-30PX.pdf
المقدمة
مواصفات
| شرط | New & Original, tested |
|---|---|
| بلد المنشأ | Contact us |
| بمناسبة التعليمات البرمجية | Send by email |
| VGS (ال) (ماكس) @ إيد: | 3V @ 250µA |
| فغس (ماكس): | ±20V |
| تكنولوجيا: | MOSFET (Metal Oxide) |
| تجار الأجهزة حزمة: | LFPAK56, Power-SO8 |
| سلسلة: | Automotive, AEC-Q101, TrenchMOS™ |
| RDS على (ماكس) @ إيد، VGS: | 12 mOhm @ 11A, 10V |
| تبديد الطاقة (ماكس): | 106W (Ta) |
| التعبئة والتغليف: | Cut Tape (CT) |
| حزمة / كيس: | SC-100, SOT-669, 4-LFPAK |
| اسماء اخرى: | 1727-7668-1 |
| درجة حرارة التشغيل: | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| تصاعد نوع: | Surface Mount |
| مدخلات السعة (سيس) (ماكس) @ فدس: | 2.88nF @ 15V |
| غيت تشارج (ق) (ماكس) @ فغس: | 60nC @ 10V |
| نوع FET: | P-Channel |
| FET الميزة: | - |
| محرك الجهد (ماكس رديز على، دقيقة رديز على): | 4.5V, 10V |
| استنزاف لجهد المصدر (Vdss): | 30V |
| وصف تفصيلي: | P-Channel 30V 67A (Ta) 106W (Ta) Surface Mount LFPAK56, Power-SO8 |
| الحالي - استنزاف مستمر (إد) @ 25 ° C: | 67A (Ta) |
| Email: | [email protected] |
قطع الغيار ذات الصلة لBUK6Y12-30PX
| صورة | رقم القطعة | مصنعين | وصف | رأي |
|---|---|---|---|---|
 |
BUK7105-40ATE,118 | Nexperia | MOSFET N-CH 40V 75A D2PAK | تحقيق |
|
BUK7107-55AIE,118 | Nexperia | MOSFET N-CH 55V 75A D2PAK | تحقيق |
 |
BUK6E2R3-40C,127 | Nexperia | MOSFET N-CH 40V 120A I2PAK | تحقيق |
 |
BUK6C3R3-75C,118 | Nexperia | MOSFET N-CH 75V 181A D2PAK | تحقيق |
 |
BUK6Y32-60PX | Nexperia | BUK6Y32-60P/SOT669/LFPAK | تحقيق |
|
BUK7107-40ATC,118 | Nexperia | MOSFET N-CH 40V 75A D2PAK | تحقيق |
|
BUK7105-40AIE,118 | Nexperia | MOSFET N-CH 40V 75A D2PAK | تحقيق |
 |
BUK6D23-40EX | Nexperia | BUK6D23-40E/SOT1220/SOT1220 | تحقيق |
|
BUK6E3R4-40C,127 | Nexperia | MOSFET N-CH 40V 100A I2PAK | تحقيق |
|
BUK6Y57-60PX | Nexperia | BUK6Y57-60P/SOT669/LFPAK | تحقيق |
|
BUK6Y25-40PX | Nexperia | BUK6Y25-40P/SOT669/LFPAK | تحقيق |
|
BUK6E3R2-55C,127 | Nexperia | MOSFET N-CH 55V 120A I2PAK | تحقيق |
|
BUK6Y15-40PX | Nexperia | BUK6Y15-40P/SOT669/LFPAK | تحقيق |
|
BUK7107-55ATE,118 | Nexperia | MOSFET N-CH 55V 75A D2PAK | تحقيق |
 |
BUK6D43-60EX | Nexperia | MOSFET N-CH 60V 5A 6DFN2020MD | تحقيق |
|
BUK6Y20-30PX | Nexperia | BUK6Y20-30P/SOT669/LFPAK | تحقيق |
|
BUK6E2R0-30C,127 | Nexperia | MOSFET N-CH 30V 120A I2PAK | تحقيق |
|
BUK6E4R0-75C,127 | Nexperia | MOSFET N-CH 75V 120A I2PAK | تحقيق |
|
BUK6D43-40PX | Nexperia | MOSFET P-CH 40V 6A 6DFN2020MD | تحقيق |
|
BUK6D120-60PX | Nexperia | BUK6D120-60P/SOT1220/SOT1220 | تحقيق |
Latest الأخبار
- ظهرت ARM في Computex 2024: من المتوقع أن يتم استخدام أكثر من 100 مليار جهاز للذراع لمنظمة العفو الدولية بحلول نهاية عام 2025
- أطلقت Qorvo التمهيدية الراقية ذات 5G Mmimo الرائعة في هذا المجال
- جرد دورة المحاكاة في القاع
- خطة Micron لبناء مصنع ، ذاكرة فلاش NAND بأسعار أو صيانة مرتفعة
- يتم تقليل أداء ADI ، وقد ارتفعت ركائز رقائق النحاس ، وتخزين المصنع الأصلي زيادة الإنتاج المحافظ
- موجة الذكاء في السيارة قادمة ، وساعد Aimus Oslang ساجيتا Juguang في إطلاق MX Lidar
- يتم استبعاد طاقة إنتاج HBM ، وقد تكون ذاكرة DRAM مختصرة في النصف الثاني من العام
- سينتهي مؤسسو الجدران أو HBM أو يتسبب في ارتفاع DRAM مرة أخرى
- الطلب على الهاتف المحمول وتوسيع أجهزة الكمبيوتر الشخصية ، تحسين صناعة تصنيع أشباه الموصلات العالمية
- فهم احتياجات أنظمة مراقبة ADAS وأنظمة المقصورة لأجهزة استشعار صور أمان الشبكة
- يشاع أن Samsung و SK Hynix أوقفوا DDR3 ، وارتفع اقتباس الترويج بنسبة 20 ٪
- أصدرت Melexis MLX90427: التحكم في الخط في الاختيار الجديد ، آمن وفعال واقتصادي