BU8925MUV-E2 متاح الآن!تقنية LYNTEAM هي موزع التخزين ل BU8925MUV-E2، لدينا مخزونات للشحن الفوري وتتوفر أيضا لتزويد وقت طويل.الرجاء ارسال لنا خطة الشراء الخاصة بك ل BU8925MUV-E2 عبر البريد الإلكتروني، وسنقدم لك أفضل سعر وفقا لخطتك.
شراء BU8925MUV-E2 مع LYNTEAM، وفر أموالك والوقت.
بريدنا الإلكتروني: [email protected]
BU8925MUV-E2
- رقم القطعة:
- BU8925MUV-E2
- الصانع:
- LAPIS Semiconductor
- وصف:
- IC PCM CODEC 16BIT 32-VQFN
- حالة خالية من الرصاص:
- الرصاص الحرة / بنفايات المتوافقة
- كمية المخزون:
- 37950 Pieces
- موعد التسليم:
- 1-2 days
- المهلة:
- 4-8 weeks
- ورقة البيانات:
- BU8925MUV-E2.pdf
المقدمة
مواصفات
| شرط | New & Original, tested |
|---|---|
| بلد المنشأ | Contact us |
| بمناسبة التعليمات البرمجية | Send by email |
| الجهد - توريد والرقمية: | 1.65 V ~ 1.95 V |
| الجهد - توريد والنظير: | 2.7 V ~ 3.47 V |
| اكتب: | PCM |
| تجار الأجهزة حزمة: | VQFN032V5050 |
| دلتا سيغما: | No |
| سلسلة: | - |
| S / N نسبة، ADCS / DACS (ديسيبل) الطباع: | - |
| القرار (القطع): | 16 b |
| حزمة / كيس: | 32-VFQFN Exposed Pad |
| اسماء اخرى: | BU8925MUVE2 |
| درجة حرارة التشغيل: | -30°C ~ 85°C (TA) |
| عدد ADCS / DACS: | 1 / 1 |
| تصاعد نوع: | Surface Mount |
| مستوى الحساسية للرطوبة (MSL): | 1 (Unlimited) |
| حالة خالية من الرصاص / حالة بنفايات: | Lead free / RoHS Compliant |
| المدى الديناميكي، ADCS / DACS (ديسيبل) الطباع: | - |
| وصف تفصيلي: | PCM Interface 16 b PCM VQFN032V5050 |
| واجهة البيانات: | PCM |
| رقم جزء القاعدة: | BU8925 |
| Email: | [email protected] |
قطع الغيار ذات الصلة لBU8925MUV-E2
Latest الأخبار
- يشاع أن Samsung و SK Hynix أوقفوا DDR3 ، وارتفع اقتباس الترويج بنسبة 20 ٪
- أصدرت Melexis MLX90427: التحكم في الخط في الاختيار الجديد ، آمن وفعال واقتصادي
- أعلن التقرير المالي لـ NXP و Ansonmei ، ويتم إرسال سعر أسعار النحاس إلى صناعة IC
- أنشأت Moels Micro Electronics مكاتب جديدة في تايوان ، الصين لتوسيع أراضي العمل
- لا يزال يتعين تعزيز أداء Texas Instruments ، ويدفع مصنعان التخزين منتجات ذاكرة فلاش جديدة
- يتناقص التقرير المالي للربع الأول من SEF Semiconductor (ST) ، وتباطأ الطلب على السيارات
- لا يزال يتعين تعزيز أداء Texas Instruments ، ويدفع مصنعان التخزين منتجات ذاكرة فلاش جديدة
- حجم الرقاقة الناضجة المحلية ، سعة إنتاج ذاكرة فلاش Samsung NAND بالقرب من الحمل
- تطلق فيشاي عبوات مائية عالية السطوع صغير الأزرق والأخضر النقي
- أطلقت Ansonmei مستشعر موقف استقرائي لسوق الصناعي والنقل
- يبدأ Ruisa المصنع القديم لزيادة جهاز الطاقة ، ويؤثر الزلزال على معتدل ناتج DRAM
- تتيح الرقائق الدقيقة القدرة الإنتاجية لـ TSMC ويزيد من زيادة الأسعار