BU25H06-E3/A متاح الآن!تقنية LYNTEAM هي موزع التخزين ل BU25H06-E3/A، لدينا مخزونات للشحن الفوري وتتوفر أيضا لتزويد وقت طويل.الرجاء ارسال لنا خطة الشراء الخاصة بك ل BU25H06-E3/A عبر البريد الإلكتروني، وسنقدم لك أفضل سعر وفقا لخطتك.
شراء BU25H06-E3/A مع LYNTEAM، وفر أموالك والوقت.
بريدنا الإلكتروني: [email protected]
BU25H06-E3/A
- رقم القطعة:
- BU25H06-E3/A
- الصانع:
- Electro-Films (EFI) / Vishay
- وصف:
- BRIDGE RECT 1P 600V 3.5A ISOCINK
- حالة خالية من الرصاص:
- الرصاص الحرة / بنفايات المتوافقة
- كمية المخزون:
- 48837 Pieces
- موعد التسليم:
- 1-2 days
- المهلة:
- 4-8 weeks
- ورقة البيانات:
- BU25H06-E3/A.pdf
المقدمة
مواصفات
| شرط | New & Original, tested |
|---|---|
| بلد المنشأ | Contact us |
| بمناسبة التعليمات البرمجية | Send by email |
| الجهد - قمة عكسي (ماكس): | 600V |
| الجهد - إلى الأمام (فودافون) (ماكس) @ إذا: | 1.05V @ 12.5A |
| تكنولوجيا: | Standard |
| تجار الأجهزة حزمة: | isoCINK+™ BU |
| سلسلة: | isoCink+™ |
| التعبئة والتغليف: | Tray |
| حزمة / كيس: | 4-SIP, BU |
| اسماء اخرى: | BU25H06-E3/AGI |
| درجة حرارة التشغيل: | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| تصاعد نوع: | Through Hole |
| الصانع المهلة القياسية: | 27 Weeks |
| حالة خالية من الرصاص / حالة بنفايات: | Lead free / RoHS Compliant |
| نوع الصمام الثنائي: | Single Phase |
| وصف تفصيلي: | Bridge Rectifier Single Phase Standard 600V Through Hole isoCINK+™ BU |
| التيار - عكس تسرب @ الواقع الافتراضي: | 5µA @ 600V |
| الحالي - متوسط مصحح (أيو): | 3.5A |
| Email: | [email protected] |
قطع الغيار ذات الصلة لBU25H06-E3/A
Latest الأخبار
- يتم استبعاد طاقة إنتاج HBM ، وقد تكون ذاكرة DRAM مختصرة في النصف الثاني من العام
- سينتهي مؤسسو الجدران أو HBM أو يتسبب في ارتفاع DRAM مرة أخرى
- الطلب على الهاتف المحمول وتوسيع أجهزة الكمبيوتر الشخصية ، تحسين صناعة تصنيع أشباه الموصلات العالمية
- فهم احتياجات أنظمة مراقبة ADAS وأنظمة المقصورة لأجهزة استشعار صور أمان الشبكة
- يشاع أن Samsung و SK Hynix أوقفوا DDR3 ، وارتفع اقتباس الترويج بنسبة 20 ٪
- أصدرت Melexis MLX90427: التحكم في الخط في الاختيار الجديد ، آمن وفعال واقتصادي
- أعلن التقرير المالي لـ NXP و Ansonmei ، ويتم إرسال سعر أسعار النحاس إلى صناعة IC
- أنشأت Moels Micro Electronics مكاتب جديدة في تايوان ، الصين لتوسيع أراضي العمل
- لا يزال يتعين تعزيز أداء Texas Instruments ، ويدفع مصنعان التخزين منتجات ذاكرة فلاش جديدة
- يتناقص التقرير المالي للربع الأول من SEF Semiconductor (ST) ، وتباطأ الطلب على السيارات
- لا يزال يتعين تعزيز أداء Texas Instruments ، ويدفع مصنعان التخزين منتجات ذاكرة فلاش جديدة
- حجم الرقاقة الناضجة المحلية ، سعة إنتاج ذاكرة فلاش Samsung NAND بالقرب من الحمل