BT236X-600F,127 متاح الآن!تقنية LYNTEAM هي موزع التخزين ل BT236X-600F,127، لدينا مخزونات للشحن الفوري وتتوفر أيضا لتزويد وقت طويل.الرجاء ارسال لنا خطة الشراء الخاصة بك ل BT236X-600F,127 عبر البريد الإلكتروني، وسنقدم لك أفضل سعر وفقا لخطتك.
شراء BT236X-600F,127 مع LYNTEAM، وفر أموالك والوقت.
بريدنا الإلكتروني: [email protected]
BT236X-600F,127
- رقم القطعة:
- BT236X-600F,127
- الصانع:
- WeEn Semiconductors Co., Ltd
- وصف:
- TRIAC 600V 6A TO220-3
- حالة خالية من الرصاص:
- الرصاص الحرة / بنفايات المتوافقة
- كمية المخزون:
- 28150 Pieces
- موعد التسليم:
- 1-2 days
- المهلة:
- 4-8 weeks
- ورقة البيانات:
- BT236X-600F,127.pdf
المقدمة
مواصفات
| شرط | New & Original, tested |
|---|---|
| بلد المنشأ | Contact us |
| بمناسبة التعليمات البرمجية | Send by email |
| الجهد - الدولة معطلة: | 600V |
| الجهد - بوابة الزناد (فحكت) (ماكس): | 1.5V |
| نوع صمام تحكم كهربائي: | Standard |
| تجار الأجهزة حزمة: | TO-220F |
| سلسلة: | - |
| التعبئة والتغليف: | Tube |
| حزمة / كيس: | TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab |
| اسماء اخرى: | 934060183127 BT236X-600F BT236X-600F-ND |
| درجة حرارة التشغيل: | 125°C (TJ) |
| تصاعد نوع: | Through Hole |
| مستوى الحساسية للرطوبة (MSL): | 1 (Unlimited) |
| حالة خالية من الرصاص / حالة بنفايات: | Lead free / RoHS Compliant |
| وصف تفصيلي: | TRIAC Standard 600V 6A Through Hole TO-220F |
| التيار - في دولة (و(RMS)) (ماكس): | 6A |
| التيار - غير النائب عرام 50، 60HZ (إدارة خدمات تكنولوجيا المعلومات): | 65A, 71A |
| الحالي - عقد (ايه) (ماكس): | 20mA |
| الحالي - بوابة الزناد (IGT) (ماكس): | 25mA |
| ترتيب: | Single |
| رقم جزء القاعدة: | BT236 |
| Email: | [email protected] |
قطع الغيار ذات الصلة لBT236X-600F,127
Latest الأخبار
- أطلقت Qorvo التمهيدية الراقية ذات 5G Mmimo الرائعة في هذا المجال
- جرد دورة المحاكاة في القاع
- خطة Micron لبناء مصنع ، ذاكرة فلاش NAND بأسعار أو صيانة مرتفعة
- يتم تقليل أداء ADI ، وقد ارتفعت ركائز رقائق النحاس ، وتخزين المصنع الأصلي زيادة الإنتاج المحافظ
- موجة الذكاء في السيارة قادمة ، وساعد Aimus Oslang ساجيتا Juguang في إطلاق MX Lidar
- يتم استبعاد طاقة إنتاج HBM ، وقد تكون ذاكرة DRAM مختصرة في النصف الثاني من العام
- سينتهي مؤسسو الجدران أو HBM أو يتسبب في ارتفاع DRAM مرة أخرى
- الطلب على الهاتف المحمول وتوسيع أجهزة الكمبيوتر الشخصية ، تحسين صناعة تصنيع أشباه الموصلات العالمية
- فهم احتياجات أنظمة مراقبة ADAS وأنظمة المقصورة لأجهزة استشعار صور أمان الشبكة
- يشاع أن Samsung و SK Hynix أوقفوا DDR3 ، وارتفع اقتباس الترويج بنسبة 20 ٪
- أصدرت Melexis MLX90427: التحكم في الخط في الاختيار الجديد ، آمن وفعال واقتصادي
- أعلن التقرير المالي لـ NXP و Ansonmei ، ويتم إرسال سعر أسعار النحاس إلى صناعة IC