BT151X-500RNQ متاح الآن!تقنية LYNTEAM هي موزع التخزين ل BT151X-500RNQ، لدينا مخزونات للشحن الفوري وتتوفر أيضا لتزويد وقت طويل.الرجاء ارسال لنا خطة الشراء الخاصة بك ل BT151X-500RNQ عبر البريد الإلكتروني، وسنقدم لك أفضل سعر وفقا لخطتك.
شراء BT151X-500RNQ مع LYNTEAM، وفر أموالك والوقت.
بريدنا الإلكتروني: [email protected]
BT151X-500RNQ
- رقم القطعة:
- BT151X-500RNQ
- الصانع:
- WeEn Semiconductors Co., Ltd
- وصف:
- BT151X-500RN/TO-220F/STANDARD
- كمية المخزون:
- 32954 Pieces
- موعد التسليم:
- 1-2 days
- المهلة:
- 4-8 weeks
- ورقة البيانات:
- BT151X-500RNQ.pdf
المقدمة
مواصفات
| شرط | New & Original, tested |
|---|---|
| بلد المنشأ | Contact us |
| بمناسبة التعليمات البرمجية | Send by email |
| الجهد - الدولة معطلة: | 500V |
| تجار الأجهزة حزمة: | TO-220-3 |
| سلسلة: | - |
| نوع SCR: | Standard Recovery |
| التعبئة والتغليف: | Tube |
| حزمة / كيس: | TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab |
| اسماء اخرى: | 1740-1469 934069535127 BT151X-500RNQ-ND |
| تصاعد نوع: | Through Hole |
| وصف تفصيلي: | SCR 500V Standard Recovery Through Hole TO-220-3 |
| Email: | [email protected] |
قطع الغيار ذات الصلة لBT151X-500RNQ
Latest الأخبار
- فهم احتياجات أنظمة مراقبة ADAS وأنظمة المقصورة لأجهزة استشعار صور أمان الشبكة
- يشاع أن Samsung و SK Hynix أوقفوا DDR3 ، وارتفع اقتباس الترويج بنسبة 20 ٪
- أصدرت Melexis MLX90427: التحكم في الخط في الاختيار الجديد ، آمن وفعال واقتصادي
- أعلن التقرير المالي لـ NXP و Ansonmei ، ويتم إرسال سعر أسعار النحاس إلى صناعة IC
- أنشأت Moels Micro Electronics مكاتب جديدة في تايوان ، الصين لتوسيع أراضي العمل
- لا يزال يتعين تعزيز أداء Texas Instruments ، ويدفع مصنعان التخزين منتجات ذاكرة فلاش جديدة
- يتناقص التقرير المالي للربع الأول من SEF Semiconductor (ST) ، وتباطأ الطلب على السيارات
- لا يزال يتعين تعزيز أداء Texas Instruments ، ويدفع مصنعان التخزين منتجات ذاكرة فلاش جديدة
- حجم الرقاقة الناضجة المحلية ، سعة إنتاج ذاكرة فلاش Samsung NAND بالقرب من الحمل
- تطلق فيشاي عبوات مائية عالية السطوع صغير الأزرق والأخضر النقي
- أطلقت Ansonmei مستشعر موقف استقرائي لسوق الصناعي والنقل
- يبدأ Ruisa المصنع القديم لزيادة جهاز الطاقة ، ويؤثر الزلزال على معتدل ناتج DRAM