BT149D,112 متاح الآن!تقنية LYNTEAM هي موزع التخزين ل BT149D,112، لدينا مخزونات للشحن الفوري وتتوفر أيضا لتزويد وقت طويل.الرجاء ارسال لنا خطة الشراء الخاصة بك ل BT149D,112 عبر البريد الإلكتروني، وسنقدم لك أفضل سعر وفقا لخطتك.
شراء BT149D,112 مع LYNTEAM، وفر أموالك والوقت.
بريدنا الإلكتروني: [email protected]
BT149D,112
- رقم القطعة:
- BT149D,112
- الصانع:
- WeEn Semiconductors Co., Ltd
- وصف:
- THYRISTOR 400V 0.8A SOT54
- حالة خالية من الرصاص:
- الرصاص الحرة / بنفايات المتوافقة
- كمية المخزون:
- 51680 Pieces
- موعد التسليم:
- 1-2 days
- المهلة:
- 4-8 weeks
- ورقة البيانات:
- BT149D,112.pdf
المقدمة
مواصفات
| شرط | New & Original, tested |
|---|---|
| بلد المنشأ | Contact us |
| بمناسبة التعليمات البرمجية | Send by email |
| الجهد - في دولة (فتم) (ماكس): | 200µA |
| الجهد - انهيار: | TO-92-3 |
| سلسلة: | - |
| نوع SCR: | 8A, 9A |
| بنفايات الحالة: | Tape & Reel (TR) |
| الاستقطاب: | TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) |
| اسماء اخرى: | 1740-1061-2 |
| درجة حرارة التشغيل: | 125°C (TJ) |
| عدد قراري مجلس الأمن، الثنائيات: | Sensitive Gate |
| تصاعد نوع: | Through Hole |
| مستوى حساسية الرطوبة (مسل): | 1 (Unlimited) |
| الصانع المهلة القياسية: | 12 Weeks |
| الصانع الجزء رقم: | BT149D,112 |
| وصف موسع: | SCR 400V 800mA Sensitive Gate Through Hole TO-92-3 |
| وصف: | THYRISTOR 400V 0.8A TO92 |
| الحالية - رحلة (و): | 5mA |
| الحالي - ذروة نبض (8 / 20μs): | 400V |
| التيار - في دولة (و(RMS)) (ماكس): | 500mA |
| التيار - في دولة (و(AV)) (ماكس): | 1.7V |
| التيار - إيقاف الدولة (ماكس): | 800mA |
| التيار - غير النائب عرام 50، 60HZ (إدارة خدمات تكنولوجيا المعلومات): | 100µA |
| الحالي - بوابة الزناد (IGT) (ماكس): | 800mV |
| Email: | [email protected] |
قطع الغيار ذات الصلة لBT149D,112
Latest الأخبار
- يشاع أن Samsung و SK Hynix أوقفوا DDR3 ، وارتفع اقتباس الترويج بنسبة 20 ٪
- أصدرت Melexis MLX90427: التحكم في الخط في الاختيار الجديد ، آمن وفعال واقتصادي
- أعلن التقرير المالي لـ NXP و Ansonmei ، ويتم إرسال سعر أسعار النحاس إلى صناعة IC
- أنشأت Moels Micro Electronics مكاتب جديدة في تايوان ، الصين لتوسيع أراضي العمل
- لا يزال يتعين تعزيز أداء Texas Instruments ، ويدفع مصنعان التخزين منتجات ذاكرة فلاش جديدة
- يتناقص التقرير المالي للربع الأول من SEF Semiconductor (ST) ، وتباطأ الطلب على السيارات
- لا يزال يتعين تعزيز أداء Texas Instruments ، ويدفع مصنعان التخزين منتجات ذاكرة فلاش جديدة
- حجم الرقاقة الناضجة المحلية ، سعة إنتاج ذاكرة فلاش Samsung NAND بالقرب من الحمل
- تطلق فيشاي عبوات مائية عالية السطوع صغير الأزرق والأخضر النقي
- أطلقت Ansonmei مستشعر موقف استقرائي لسوق الصناعي والنقل
- يبدأ Ruisa المصنع القديم لزيادة جهاز الطاقة ، ويؤثر الزلزال على معتدل ناتج DRAM
- تتيح الرقائق الدقيقة القدرة الإنتاجية لـ TSMC ويزيد من زيادة الأسعار