BST52,115 متاح الآن!تقنية LYNTEAM هي موزع التخزين ل BST52,115، لدينا مخزونات للشحن الفوري وتتوفر أيضا لتزويد وقت طويل.الرجاء ارسال لنا خطة الشراء الخاصة بك ل BST52,115 عبر البريد الإلكتروني، وسنقدم لك أفضل سعر وفقا لخطتك.
شراء BST52,115 مع LYNTEAM، وفر أموالك والوقت.
بريدنا الإلكتروني: [email protected]
BST52,115
- رقم القطعة:
- BST52,115
- الصانع:
- Nexperia
- وصف:
- TRANS NPN DARL 80V 1A SOT89
- حالة خالية من الرصاص:
- الرصاص الحرة / بنفايات المتوافقة
- كمية المخزون:
- 23734 Pieces
- موعد التسليم:
- 1-2 days
- المهلة:
- 4-8 weeks
- ورقة البيانات:
- BST52,115.pdf
المقدمة
مواصفات
| شرط | New & Original, tested |
|---|---|
| بلد المنشأ | Contact us |
| بمناسبة التعليمات البرمجية | Send by email |
| الجهد - جامع باعث انهيار (ماكس): | 80V |
| اصلاحات تشبع (ماكس) @ باء، جيم: | 1.3V @ 500µA, 500mA |
| نوع الترانزستور: | NPN - Darlington |
| تجار الأجهزة حزمة: | SOT-89-3 |
| سلسلة: | - |
| السلطة - ماكس: | 1.3W |
| التعبئة والتغليف: | Cut Tape (CT) |
| حزمة / كيس: | TO-243AA |
| اسماء اخرى: | 1727-5497-1 568-6969-1 568-6969-1-ND |
| درجة حرارة التشغيل: | 150°C (TJ) |
| تصاعد نوع: | Surface Mount |
| مستوى الحساسية للرطوبة (MSL): | 1 (Unlimited) |
| حالة خالية من الرصاص / حالة بنفايات: | Lead free / RoHS Compliant |
| تردد - تحول: | 200MHz |
| وصف تفصيلي: | Bipolar (BJT) Transistor NPN - Darlington 80V 1A 200MHz 1.3W Surface Mount SOT-89-3 |
| العاصمة الربح الحالي (HFE) (مين) @ جيم، VCE: | 2000 @ 500mA, 10V |
| الحالي - جامع القطع (ماكس): | 50nA |
| الحالي - جامع (IC) (ماكس): | 1A |
| رقم جزء القاعدة: | BST52 |
| Email: | [email protected] |
قطع الغيار ذات الصلة لBST52,115
| صورة | رقم القطعة | مصنعين | وصف | رأي |
|---|---|---|---|---|
 |
BST39,115 | Nexperia | TRANS NPN 350V 0.1A SOT89 | تحقيق |
 |
BST72A,112 | NXP Semiconductors / Freescale | MOSFET N-CH 100V 190MA SOT54 | تحقيق |
 |
BST52TA | Diodes Incorporated | TRANS NPN DARL 80V 0.5A SOT-89 | تحقيق |
|
BST61TA | Diodes Incorporated | TRANS PNP DARL 60V 0.5A SOT-89 | تحقيق |
|
BST60,115 | Nexperia | TRANS PNP DARL 45V 1A SOT89 | تحقيق |
|
BST62,115 | Nexperia | TRANS PNP DARL 80V 1A SOT89 | تحقيق |
|
BST51,135 | Nexperia | TRANS NPN DARL 60V 1A SOT89 | تحقيق |
|
BST62-70TA | Diodes Incorporated | TRANS PNP DARL 72V 0.5A SOT89 | تحقيق |
|
BST50,115 | Nexperia | TRANS NPN DARL 45V 1A SOT89 | تحقيق |
|
BST16TA | Diodes Incorporated | TRANS PNP 300V 0.5A SOT-89 | تحقيق |
|
BST16,115 | NXP Semiconductors / Freescale | TRANS PNP 300V 0.2A SOT89 | تحقيق |
|
BST61,115 | Nexperia | TRANS PNP DARL 60V 1A SOT89 | تحقيق |
 |
BST82,215 | Nexperia | MOSFET N-CH 100V 190MA SOT-23 | تحقيق |
|
BST39TA | Diodes Incorporated | TRANS NPN 350V 0.5A SOT-89 | تحقيق |
|
BST51,115 | Nexperia | TRANS NPN DARL 60V 1A SOT89 | تحقيق |
|
BST52,135 | Nexperia | TRANS NPN DARL 80V 1A SOT89 | تحقيق |
|
BST40TA | Diodes Incorporated | TRANS NPN 250V 0.5A SC-62 | تحقيق |
|
BST51TA | Diodes Incorporated | TRANS NPN DARL 60V 0.5A SOT-89 | تحقيق |
|
BST82,235 | Nexperia | MOSFET N-CH 100V 190MA SOT-23 | تحقيق |
|
BST15TA | Diodes Incorporated | TRANS PNP 200V 0.5A SOT-89 | تحقيق |
Latest الأخبار
- خطة Micron لبناء مصنع ، ذاكرة فلاش NAND بأسعار أو صيانة مرتفعة
- يتم تقليل أداء ADI ، وقد ارتفعت ركائز رقائق النحاس ، وتخزين المصنع الأصلي زيادة الإنتاج المحافظ
- موجة الذكاء في السيارة قادمة ، وساعد Aimus Oslang ساجيتا Juguang في إطلاق MX Lidar
- يتم استبعاد طاقة إنتاج HBM ، وقد تكون ذاكرة DRAM مختصرة في النصف الثاني من العام
- سينتهي مؤسسو الجدران أو HBM أو يتسبب في ارتفاع DRAM مرة أخرى
- الطلب على الهاتف المحمول وتوسيع أجهزة الكمبيوتر الشخصية ، تحسين صناعة تصنيع أشباه الموصلات العالمية
- فهم احتياجات أنظمة مراقبة ADAS وأنظمة المقصورة لأجهزة استشعار صور أمان الشبكة
- يشاع أن Samsung و SK Hynix أوقفوا DDR3 ، وارتفع اقتباس الترويج بنسبة 20 ٪
- أصدرت Melexis MLX90427: التحكم في الخط في الاختيار الجديد ، آمن وفعال واقتصادي
- أعلن التقرير المالي لـ NXP و Ansonmei ، ويتم إرسال سعر أسعار النحاس إلى صناعة IC
- أنشأت Moels Micro Electronics مكاتب جديدة في تايوان ، الصين لتوسيع أراضي العمل
- لا يزال يتعين تعزيز أداء Texas Instruments ، ويدفع مصنعان التخزين منتجات ذاكرة فلاش جديدة