BSS84AKM,315 متاح الآن!تقنية LYNTEAM هي موزع التخزين ل BSS84AKM,315، لدينا مخزونات للشحن الفوري وتتوفر أيضا لتزويد وقت طويل.الرجاء ارسال لنا خطة الشراء الخاصة بك ل BSS84AKM,315 عبر البريد الإلكتروني، وسنقدم لك أفضل سعر وفقا لخطتك.
شراء BSS84AKM,315 مع LYNTEAM، وفر أموالك والوقت.
بريدنا الإلكتروني: [email protected]
BSS84AKM,315
- رقم القطعة:
- BSS84AKM,315
- الصانع:
- Nexperia
- وصف:
- MOSFET P-CH 50V SOT883
- حالة خالية من الرصاص:
- الرصاص الحرة / بنفايات المتوافقة
- كمية المخزون:
- 47659 Pieces
- موعد التسليم:
- 1-2 days
- المهلة:
- 4-8 weeks
- ورقة البيانات:
- BSS84AKM,315.pdf
المقدمة
مواصفات
| شرط | New & Original, tested |
|---|---|
| بلد المنشأ | Contact us |
| بمناسبة التعليمات البرمجية | Send by email |
| VGS (ال) (ماكس) @ إيد: | 2.1V @ 250µA |
| فغس (ماكس): | ±20V |
| تكنولوجيا: | MOSFET (Metal Oxide) |
| تجار الأجهزة حزمة: | DFN1006-3 |
| سلسلة: | Automotive, AEC-Q101, TrenchMOS™ |
| RDS على (ماكس) @ إيد، VGS: | 7.5 Ohm @ 100mA, 10V |
| تبديد الطاقة (ماكس): | 340mW (Ta), 2.7W (Tc) |
| التعبئة والتغليف: | Cut Tape (CT) |
| حزمة / كيس: | SC-101, SOT-883 |
| اسماء اخرى: | 1727-1263-1 568-10471-1 568-10471-1-ND |
| درجة حرارة التشغيل: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| تصاعد نوع: | Surface Mount |
| مستوى الحساسية للرطوبة (MSL): | 1 (Unlimited) |
| الصانع المهلة القياسية: | 8 Weeks |
| حالة خالية من الرصاص / حالة بنفايات: | Lead free / RoHS Compliant |
| مدخلات السعة (سيس) (ماكس) @ فدس: | 36pF @ 25V |
| غيت تشارج (ق) (ماكس) @ فغس: | 0.35nC @ 5V |
| نوع FET: | P-Channel |
| FET الميزة: | - |
| محرك الجهد (ماكس رديز على، دقيقة رديز على): | 10V |
| استنزاف لجهد المصدر (Vdss): | 50V |
| وصف تفصيلي: | P-Channel 50V 230mA (Ta) 340mW (Ta), 2.7W (Tc) Surface Mount DFN1006-3 |
| الحالي - استنزاف مستمر (إد) @ 25 ° C: | 230mA (Ta) |
| Email: | [email protected] |
قطع الغيار ذات الصلة لBSS84AKM,315
| صورة | رقم القطعة | مصنعين | وصف | رأي |
|---|---|---|---|---|
 |
BSS84AKW-BX | Nexperia | MOSFET P-CHANNEL 50V 150MA SC70 | تحقيق |
 |
BSS84AKW,115 | Nexperia | MOSFET P-CH 50V 150MA SOT323 | تحقيق |
 |
BSS8402DW-7-F | Diodes Incorporated | MOSFET N/P-CH 60V/50V SC70-6 | تحقيق |
 |
BSS84,215 | Nexperia | MOSFET P-CH 50V 130MA SOT-23 | تحقيق |
 |
BSS84AKS,115 | Nexperia | MOSFET 2P-CH 50V 0.16A 6TSSOP | تحقيق |
|
BSS84AKVL | Nexperia | MOSFET P-CH 50V 180MA TO236AB | تحقيق |
|
BSS84AKS/ZLX | Nexperia | MOSFET 2 P-CH 50V 160MA 6TSSOP | تحقيق |
|
BSS84AK,215 | Nexperia | MOSFET P-CH 50V TO-236AB | تحقيق |
|
BSS84DW-7-F | Diodes Incorporated | MOSFET 2P-CH 50V 0.13A SC70-6 | تحقيق |
|
BSS8402DW-7 | Diodes Incorporated | MOSFET N/P-CH 60V/50V SC70-6 | تحقيق |
 |
BSS84AKV,115 | Nexperia | MOSFET 2P-CH 50V 0.17A SOT666 | تحقيق |
|
BSS84AK-BR | Nexperia | MOSFET P-CH 50V 180MA TO236AB | تحقيق |
 |
BSS84-7 | Diodes Incorporated | MOSFET P-CH 50V 130MA SOT23-3 | تحقيق |
 |
BSS83PL6327HTSA1 | Infineon Technologies | MOSFET P-CH 60V 0.33A SOT23 | تحقيق |
 |
BSS84 | AMI Semiconductor / ON Semiconductor | MOSFET P-CH 50V 130MA SOT-23 | تحقيق |
 |
BSS84AKT,115 | NXP Semiconductors / Freescale | MOSFET P-CH 50V SC-75 | تحقيق |
|
BSS84-7-F | Diodes Incorporated | MOSFET P-CH 50V 130MA SOT23-3 | تحقيق |
|
BSS84DW-7 | Diodes Incorporated | MOSFET 2P-CH 50V 0.13A SC70-6 | تحقيق |
|
BSS8402DWQ-7 | Diodes Incorporated | MOSFET N/P-CH 60V/50V | تحقيق |
 |
BSS84AKMB,315 | Nexperia | MOSFET P-CH 50V 230MA 3DFN | تحقيق |
Latest الأخبار
- سينتهي مؤسسو الجدران أو HBM أو يتسبب في ارتفاع DRAM مرة أخرى
- الطلب على الهاتف المحمول وتوسيع أجهزة الكمبيوتر الشخصية ، تحسين صناعة تصنيع أشباه الموصلات العالمية
- فهم احتياجات أنظمة مراقبة ADAS وأنظمة المقصورة لأجهزة استشعار صور أمان الشبكة
- يشاع أن Samsung و SK Hynix أوقفوا DDR3 ، وارتفع اقتباس الترويج بنسبة 20 ٪
- أصدرت Melexis MLX90427: التحكم في الخط في الاختيار الجديد ، آمن وفعال واقتصادي
- أعلن التقرير المالي لـ NXP و Ansonmei ، ويتم إرسال سعر أسعار النحاس إلى صناعة IC
- أنشأت Moels Micro Electronics مكاتب جديدة في تايوان ، الصين لتوسيع أراضي العمل
- لا يزال يتعين تعزيز أداء Texas Instruments ، ويدفع مصنعان التخزين منتجات ذاكرة فلاش جديدة
- يتناقص التقرير المالي للربع الأول من SEF Semiconductor (ST) ، وتباطأ الطلب على السيارات
- لا يزال يتعين تعزيز أداء Texas Instruments ، ويدفع مصنعان التخزين منتجات ذاكرة فلاش جديدة
- حجم الرقاقة الناضجة المحلية ، سعة إنتاج ذاكرة فلاش Samsung NAND بالقرب من الحمل
- تطلق فيشاي عبوات مائية عالية السطوع صغير الأزرق والأخضر النقي