BR93G76FVJ-3BGTE2 متاح الآن!تقنية LYNTEAM هي موزع التخزين ل BR93G76FVJ-3BGTE2، لدينا مخزونات للشحن الفوري وتتوفر أيضا لتزويد وقت طويل.الرجاء ارسال لنا خطة الشراء الخاصة بك ل BR93G76FVJ-3BGTE2 عبر البريد الإلكتروني، وسنقدم لك أفضل سعر وفقا لخطتك.
شراء BR93G76FVJ-3BGTE2 مع LYNTEAM، وفر أموالك والوقت.
بريدنا الإلكتروني: [email protected]
BR93G76FVJ-3BGTE2
- رقم القطعة:
- BR93G76FVJ-3BGTE2
- الصانع:
- LAPIS Semiconductor
- وصف:
- IC EEPROM 8K SPI 3MHZ 8TSSOP
- حالة خالية من الرصاص:
- الرصاص الحرة / بنفايات المتوافقة
- كمية المخزون:
- 31363 Pieces
- موعد التسليم:
- 1-2 days
- المهلة:
- 4-8 weeks
- ورقة البيانات:
- 1.BR93G76FVJ-3BGTE2.pdf2.BR93G76FVJ-3BGTE2.pdf
المقدمة
مواصفات
| شرط | New & Original, tested |
|---|---|
| بلد المنشأ | Contact us |
| بمناسبة التعليمات البرمجية | Send by email |
| كتابة دورة الزمن - كلمة، الصفحة: | 5ms |
| الجهد - توريد: | 1.7 V ~ 5.5 V |
| تكنولوجيا: | EEPROM |
| تجار الأجهزة حزمة: | 8-TSSOP-BJ |
| سلسلة: | - |
| التعبئة والتغليف: | Tape & Reel (TR) |
| حزمة / كيس: | 8-TSSOP, 8-MSOP (0.118", 3.00mm Width) |
| اسماء اخرى: | BR93G76FVJ-3BG2TR BR93G76FVJ-3BGTE2TR BR93G76FVJ-3BGTE2TR-ND |
| درجة حرارة التشغيل: | -40°C ~ 85°C (TA) |
| تصاعد نوع: | Surface Mount |
| مستوى الحساسية للرطوبة (MSL): | 1 (Unlimited) |
| نوع الذاكرة: | Non-Volatile |
| حجم الذاكرة: | 8Kb (512 x 16) |
| واجهة الذاكرة: | SPI |
| تنسيق الذاكرة: | EEPROM |
| الصانع المهلة القياسية: | 11 Weeks |
| حالة خالية من الرصاص / حالة بنفايات: | Lead free / RoHS Compliant |
| وصف تفصيلي: | EEPROM Memory IC 8Kb (512 x 16) SPI 3MHz 8-TSSOP-BJ |
| تردد على مدار الساعة: | 3MHz |
| رقم جزء القاعدة: | BR93G76 |
| Email: | [email protected] |
قطع الغيار ذات الصلة لBR93G76FVJ-3BGTE2
Latest الأخبار
- أطلقت Qorvo التمهيدية الراقية ذات 5G Mmimo الرائعة في هذا المجال
- جرد دورة المحاكاة في القاع
- خطة Micron لبناء مصنع ، ذاكرة فلاش NAND بأسعار أو صيانة مرتفعة
- يتم تقليل أداء ADI ، وقد ارتفعت ركائز رقائق النحاس ، وتخزين المصنع الأصلي زيادة الإنتاج المحافظ
- موجة الذكاء في السيارة قادمة ، وساعد Aimus Oslang ساجيتا Juguang في إطلاق MX Lidar
- يتم استبعاد طاقة إنتاج HBM ، وقد تكون ذاكرة DRAM مختصرة في النصف الثاني من العام
- سينتهي مؤسسو الجدران أو HBM أو يتسبب في ارتفاع DRAM مرة أخرى
- الطلب على الهاتف المحمول وتوسيع أجهزة الكمبيوتر الشخصية ، تحسين صناعة تصنيع أشباه الموصلات العالمية
- فهم احتياجات أنظمة مراقبة ADAS وأنظمة المقصورة لأجهزة استشعار صور أمان الشبكة
- يشاع أن Samsung و SK Hynix أوقفوا DDR3 ، وارتفع اقتباس الترويج بنسبة 20 ٪
- أصدرت Melexis MLX90427: التحكم في الخط في الاختيار الجديد ، آمن وفعال واقتصادي
- أعلن التقرير المالي لـ NXP و Ansonmei ، ويتم إرسال سعر أسعار النحاس إلى صناعة IC