BR3FB25L0 متاح الآن!تقنية LYNTEAM هي موزع التخزين ل BR3FB25L0، لدينا مخزونات للشحن الفوري وتتوفر أيضا لتزويد وقت طويل.الرجاء ارسال لنا خطة الشراء الخاصة بك ل BR3FB25L0 عبر البريد الإلكتروني، وسنقدم لك أفضل سعر وفقا لخطتك.
شراء BR3FB25L0 مع LYNTEAM، وفر أموالك والوقت.
بريدنا الإلكتروني: [email protected]
BR3FB25L0
- رقم القطعة:
- BR3FB25L0
- الصانع:
- Stackpole Electronics, Inc.
- وصف:
- RES CURR SENSE 0.025 OHM 3W 1%
- حالة خالية من الرصاص:
- الرصاص الحرة / بنفايات المتوافقة
- كمية المخزون:
- 43771 Pieces
- موعد التسليم:
- 1-2 days
- المهلة:
- 4-8 weeks
- ورقة البيانات:
- 1.BR3FB25L0.pdf2.BR3FB25L0.pdf
المقدمة
مواصفات
| شرط | New & Original, tested |
|---|---|
| بلد المنشأ | Contact us |
| بمناسبة التعليمات البرمجية | Send by email |
| تسامح: | ±1% |
| معامل درجة الحرارة: | ±20ppm/°C |
| تجار الأجهزة حزمة: | - |
| حجم / البعد: | 0.602" L x 0.065" W (15.30mm x 1.65mm) |
| سلسلة: | BR |
| وضع لوحة: | 25 mOhms |
| السلطة (واتس): | 3W |
| التعبئة والتغليف: | Bulk |
| حزمة / كيس: | Radial |
| اسماء اخرى: | BR 3 .025 1% B BR3.025FB BR3.025FB-ND |
| درجة حرارة التشغيل: | -65°C ~ 350°C |
| عدد الإنهاء: | 2 |
| مستوى الحساسية للرطوبة (MSL): | 1 (Unlimited) |
| الصانع المهلة القياسية: | 22 Weeks |
| حالة خالية من الرصاص / حالة بنفايات: | Lead free / RoHS Compliant |
| ارتفاع - جلوسا (ماكس): | 1.000" (25.40mm) |
| الميزات: | Current Sense, Flame Proof, Non-Inductive, Pulse Withstanding, Safety |
| معدل الفشل: | - |
| وصف تفصيلي: | 25 mOhms ±1% 3W Through Hole Resistor Radial Current Sense, Flame Proof, Non-Inductive, Pulse Withstanding, Safety Metal Foil |
| تركيب: | Metal Foil |
| Email: | [email protected] |
قطع الغيار ذات الصلة لBR3FB25L0
Latest الأخبار
- أطلقت Qorvo التمهيدية الراقية ذات 5G Mmimo الرائعة في هذا المجال
- جرد دورة المحاكاة في القاع
- خطة Micron لبناء مصنع ، ذاكرة فلاش NAND بأسعار أو صيانة مرتفعة
- يتم تقليل أداء ADI ، وقد ارتفعت ركائز رقائق النحاس ، وتخزين المصنع الأصلي زيادة الإنتاج المحافظ
- موجة الذكاء في السيارة قادمة ، وساعد Aimus Oslang ساجيتا Juguang في إطلاق MX Lidar
- يتم استبعاد طاقة إنتاج HBM ، وقد تكون ذاكرة DRAM مختصرة في النصف الثاني من العام
- سينتهي مؤسسو الجدران أو HBM أو يتسبب في ارتفاع DRAM مرة أخرى
- الطلب على الهاتف المحمول وتوسيع أجهزة الكمبيوتر الشخصية ، تحسين صناعة تصنيع أشباه الموصلات العالمية
- فهم احتياجات أنظمة مراقبة ADAS وأنظمة المقصورة لأجهزة استشعار صور أمان الشبكة
- يشاع أن Samsung و SK Hynix أوقفوا DDR3 ، وارتفع اقتباس الترويج بنسبة 20 ٪
- أصدرت Melexis MLX90427: التحكم في الخط في الاختيار الجديد ، آمن وفعال واقتصادي
- أعلن التقرير المالي لـ NXP و Ansonmei ، ويتم إرسال سعر أسعار النحاس إلى صناعة IC