BR25L040FVJ-WE2 متاح الآن!تقنية LYNTEAM هي موزع التخزين ل BR25L040FVJ-WE2، لدينا مخزونات للشحن الفوري وتتوفر أيضا لتزويد وقت طويل.الرجاء ارسال لنا خطة الشراء الخاصة بك ل BR25L040FVJ-WE2 عبر البريد الإلكتروني، وسنقدم لك أفضل سعر وفقا لخطتك.
شراء BR25L040FVJ-WE2 مع LYNTEAM، وفر أموالك والوقت.
بريدنا الإلكتروني: [email protected]
BR25L040FVJ-WE2
- رقم القطعة:
- BR25L040FVJ-WE2
- الصانع:
- LAPIS Semiconductor
- وصف:
- IC EEPROM 4K SPI 5MHZ 8TSSOP
- حالة خالية من الرصاص:
- الرصاص الحرة / بنفايات المتوافقة
- كمية المخزون:
- 23457 Pieces
- موعد التسليم:
- 1-2 days
- المهلة:
- 4-8 weeks
- ورقة البيانات:
- BR25L040FVJ-WE2.pdf
المقدمة
مواصفات
| شرط | New & Original, tested |
|---|---|
| بلد المنشأ | Contact us |
| بمناسبة التعليمات البرمجية | Send by email |
| كتابة دورة الزمن - كلمة، الصفحة: | 5ms |
| الجهد - توريد: | 1.8 V ~ 5.5 V |
| تكنولوجيا: | EEPROM |
| تجار الأجهزة حزمة: | 8-TSSOP-J |
| سلسلة: | - |
| التعبئة والتغليف: | Tape & Reel (TR) |
| حزمة / كيس: | 8-TSSOP, 8-MSOP (0.118", 3.00mm Width) |
| اسماء اخرى: | BR25L040FVJ-WE2TR BR25L040FVJWE2 |
| درجة حرارة التشغيل: | -40°C ~ 85°C (TA) |
| تصاعد نوع: | Surface Mount |
| مستوى الحساسية للرطوبة (MSL): | 1 (Unlimited) |
| نوع الذاكرة: | Non-Volatile |
| حجم الذاكرة: | 4Kb (512 x 8) |
| واجهة الذاكرة: | SPI |
| تنسيق الذاكرة: | EEPROM |
| حالة خالية من الرصاص / حالة بنفايات: | Lead free / RoHS Compliant |
| وصف تفصيلي: | EEPROM Memory IC 4Kb (512 x 8) SPI 5MHz 8-TSSOP-J |
| تردد على مدار الساعة: | 5MHz |
| رقم جزء القاعدة: | BR25L040 |
| Email: | [email protected] |
قطع الغيار ذات الصلة لBR25L040FVJ-WE2
Latest الأخبار
- أصدرت Melexis MLX90427: التحكم في الخط في الاختيار الجديد ، آمن وفعال واقتصادي
- أعلن التقرير المالي لـ NXP و Ansonmei ، ويتم إرسال سعر أسعار النحاس إلى صناعة IC
- أنشأت Moels Micro Electronics مكاتب جديدة في تايوان ، الصين لتوسيع أراضي العمل
- لا يزال يتعين تعزيز أداء Texas Instruments ، ويدفع مصنعان التخزين منتجات ذاكرة فلاش جديدة
- يتناقص التقرير المالي للربع الأول من SEF Semiconductor (ST) ، وتباطأ الطلب على السيارات
- لا يزال يتعين تعزيز أداء Texas Instruments ، ويدفع مصنعان التخزين منتجات ذاكرة فلاش جديدة
- حجم الرقاقة الناضجة المحلية ، سعة إنتاج ذاكرة فلاش Samsung NAND بالقرب من الحمل
- تطلق فيشاي عبوات مائية عالية السطوع صغير الأزرق والأخضر النقي
- أطلقت Ansonmei مستشعر موقف استقرائي لسوق الصناعي والنقل
- يبدأ Ruisa المصنع القديم لزيادة جهاز الطاقة ، ويؤثر الزلزال على معتدل ناتج DRAM
- تتيح الرقائق الدقيقة القدرة الإنتاجية لـ TSMC ويزيد من زيادة الأسعار
- أطلقت Ruisa New RA0 Series Ultra -low Power Entry -lovel MCU