BR24G64FVT-3AGE2 متاح الآن!تقنية LYNTEAM هي موزع التخزين ل BR24G64FVT-3AGE2، لدينا مخزونات للشحن الفوري وتتوفر أيضا لتزويد وقت طويل.الرجاء ارسال لنا خطة الشراء الخاصة بك ل BR24G64FVT-3AGE2 عبر البريد الإلكتروني، وسنقدم لك أفضل سعر وفقا لخطتك.
شراء BR24G64FVT-3AGE2 مع LYNTEAM، وفر أموالك والوقت.
بريدنا الإلكتروني: [email protected]
BR24G64FVT-3AGE2
- رقم القطعة:
- BR24G64FVT-3AGE2
- الصانع:
- LAPIS Semiconductor
- وصف:
- IC EEPROM 64K I2C 1MHZ 8TSSOP
- حالة خالية من الرصاص:
- الرصاص الحرة / بنفايات المتوافقة
- كمية المخزون:
- 27535 Pieces
- موعد التسليم:
- 1-2 days
- المهلة:
- 4-8 weeks
- ورقة البيانات:
- 1.BR24G64FVT-3AGE2.pdf2.BR24G64FVT-3AGE2.pdf
المقدمة
مواصفات
| شرط | New & Original, tested |
|---|---|
| بلد المنشأ | Contact us |
| بمناسبة التعليمات البرمجية | Send by email |
| كتابة دورة الزمن - كلمة، الصفحة: | 5ms |
| الجهد - توريد: | 1.7 V ~ 5.5 V |
| تكنولوجيا: | EEPROM |
| تجار الأجهزة حزمة: | 8-TSSOP-B |
| سلسلة: | - |
| التعبئة والتغليف: | Original-Reel® |
| حزمة / كيس: | 8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width) |
| اسماء اخرى: | BR24G64FVT-3AG2DKR BR24G64FVT-3AGE2DKR BR24G64FVT-3AGE2DKR-ND |
| درجة حرارة التشغيل: | -40°C ~ 85°C (TA) |
| تصاعد نوع: | Surface Mount |
| مستوى الحساسية للرطوبة (MSL): | 1 (Unlimited) |
| نوع الذاكرة: | Non-Volatile |
| حجم الذاكرة: | 64Kb (8K x 8) |
| واجهة الذاكرة: | I²C |
| تنسيق الذاكرة: | EEPROM |
| الصانع المهلة القياسية: | 11 Weeks |
| حالة خالية من الرصاص / حالة بنفايات: | Lead free / RoHS Compliant |
| وصف تفصيلي: | EEPROM Memory IC 64Kb (8K x 8) I²C 1MHz 8-TSSOP-B |
| تردد على مدار الساعة: | 1MHz |
| رقم جزء القاعدة: | BR24G64 |
| Email: | [email protected] |
قطع الغيار ذات الصلة لBR24G64FVT-3AGE2
Latest الأخبار
- أعلن التقرير المالي لـ NXP و Ansonmei ، ويتم إرسال سعر أسعار النحاس إلى صناعة IC
- أنشأت Moels Micro Electronics مكاتب جديدة في تايوان ، الصين لتوسيع أراضي العمل
- لا يزال يتعين تعزيز أداء Texas Instruments ، ويدفع مصنعان التخزين منتجات ذاكرة فلاش جديدة
- يتناقص التقرير المالي للربع الأول من SEF Semiconductor (ST) ، وتباطأ الطلب على السيارات
- لا يزال يتعين تعزيز أداء Texas Instruments ، ويدفع مصنعان التخزين منتجات ذاكرة فلاش جديدة
- حجم الرقاقة الناضجة المحلية ، سعة إنتاج ذاكرة فلاش Samsung NAND بالقرب من الحمل
- تطلق فيشاي عبوات مائية عالية السطوع صغير الأزرق والأخضر النقي
- أطلقت Ansonmei مستشعر موقف استقرائي لسوق الصناعي والنقل
- يبدأ Ruisa المصنع القديم لزيادة جهاز الطاقة ، ويؤثر الزلزال على معتدل ناتج DRAM
- تتيح الرقائق الدقيقة القدرة الإنتاجية لـ TSMC ويزيد من زيادة الأسعار
- أطلقت Ruisa New RA0 Series Ultra -low Power Entry -lovel MCU
- يطلق Melexis رقاقة مفتاح محث كامل المتكامل