BQ24610RGER متاح الآن!تقنية LYNTEAM هي موزع التخزين ل BQ24610RGER، لدينا مخزونات للشحن الفوري وتتوفر أيضا لتزويد وقت طويل.الرجاء ارسال لنا خطة الشراء الخاصة بك ل BQ24610RGER عبر البريد الإلكتروني، وسنقدم لك أفضل سعر وفقا لخطتك.
شراء BQ24610RGER مع LYNTEAM، وفر أموالك والوقت.
بريدنا الإلكتروني: [email protected]
BQ24610RGER
- رقم القطعة:
- BQ24610RGER
- الصانع:
- TI
- وصف:
- IC SYNC SW-MODE BAT CHRGR 24VQFN
- حالة خالية من الرصاص:
- الرصاص الحرة / بنفايات المتوافقة
- كمية المخزون:
- 30540 Pieces
- موعد التسليم:
- 1-2 days
- المهلة:
- 4-8 weeks
- ورقة البيانات:
- BQ24610RGER.pdf
المقدمة
مواصفات
| شرط | New & Original, tested |
|---|---|
| بلد المنشأ | Contact us |
| بمناسبة التعليمات البرمجية | Send by email |
| الجهد - العرض (ماكس): | 28V |
| تجار الأجهزة حزمة: | 24-VQFN (4x4) |
| سلسلة: | - |
| الميزات القابلة للبرمجة: | Current |
| التعبئة والتغليف: | Tape & Reel (TR) |
| حزمة / كيس: | 24-VFQFN Exposed Pad |
| اسماء اخرى: | 296-29437-2 BQ24610RGER-ND |
| درجة حرارة التشغيل: | 0°C ~ 125°C (TJ) |
| عدد الخلايا: | 1 ~ 6 |
| مستوى الحساسية للرطوبة (MSL): | 2 (1 Year) |
| الصانع المهلة القياسية: | 8 Weeks |
| حالة خالية من الرصاص / حالة بنفايات: | Lead free / RoHS Compliant |
| السطح البيني: | - |
| حماية الأخطاء: | Over Current, Over Temperature, Over Voltage, Short Circuit |
| وصف تفصيلي: | Charger IC Lithium Ion/Polymer 24-VQFN (4x4) |
| الحالي - الشحن: | Constant - Programmable |
| تهمة الحالي - الحد الأقصى: | 10A |
| بطارية حزمة الجهد: | 2.1V |
| كيمياء البطارية: | Lithium Ion/Polymer |
| رقم جزء القاعدة: | BQ24610 |
| Email: | [email protected] |
قطع الغيار ذات الصلة لBQ24610RGER
Latest الأخبار
- أطلقت Qorvo التمهيدية الراقية ذات 5G Mmimo الرائعة في هذا المجال
- جرد دورة المحاكاة في القاع
- خطة Micron لبناء مصنع ، ذاكرة فلاش NAND بأسعار أو صيانة مرتفعة
- يتم تقليل أداء ADI ، وقد ارتفعت ركائز رقائق النحاس ، وتخزين المصنع الأصلي زيادة الإنتاج المحافظ
- موجة الذكاء في السيارة قادمة ، وساعد Aimus Oslang ساجيتا Juguang في إطلاق MX Lidar
- يتم استبعاد طاقة إنتاج HBM ، وقد تكون ذاكرة DRAM مختصرة في النصف الثاني من العام
- سينتهي مؤسسو الجدران أو HBM أو يتسبب في ارتفاع DRAM مرة أخرى
- الطلب على الهاتف المحمول وتوسيع أجهزة الكمبيوتر الشخصية ، تحسين صناعة تصنيع أشباه الموصلات العالمية
- فهم احتياجات أنظمة مراقبة ADAS وأنظمة المقصورة لأجهزة استشعار صور أمان الشبكة
- يشاع أن Samsung و SK Hynix أوقفوا DDR3 ، وارتفع اقتباس الترويج بنسبة 20 ٪
- أصدرت Melexis MLX90427: التحكم في الخط في الاختيار الجديد ، آمن وفعال واقتصادي
- أعلن التقرير المالي لـ NXP و Ansonmei ، ويتم إرسال سعر أسعار النحاس إلى صناعة IC