BLP8G05S-200GY متاح الآن!تقنية LYNTEAM هي موزع التخزين ل BLP8G05S-200GY، لدينا مخزونات للشحن الفوري وتتوفر أيضا لتزويد وقت طويل.الرجاء ارسال لنا خطة الشراء الخاصة بك ل BLP8G05S-200GY عبر البريد الإلكتروني، وسنقدم لك أفضل سعر وفقا لخطتك.
شراء BLP8G05S-200GY مع LYNTEAM، وفر أموالك والوقت.
بريدنا الإلكتروني: [email protected]
BLP8G05S-200GY
- رقم القطعة:
- BLP8G05S-200GY
- الصانع:
- Ampleon
- وصف:
- RF FET LDMOS 65V 21DB SOT12042
- كمية المخزون:
- 31846 Pieces
- موعد التسليم:
- 1-2 days
- المهلة:
- 4-8 weeks
- ورقة البيانات:
- BLP8G05S-200GY.pdf
المقدمة
مواصفات
| شرط | New & Original, tested |
|---|---|
| بلد المنشأ | Contact us |
| بمناسبة التعليمات البرمجية | Send by email |
| الجهد - اختبار: | 28V |
| الجهد - تقييمه: | 65V |
| نوع الترانزستور: | LDMOS (Dual), Common Source |
| تجار الأجهزة حزمة: | 4-HSOP |
| سلسلة: | - |
| مخرج قوي: | 210W |
| التعبئة والتغليف: | Cut Tape (CT) |
| حزمة / كيس: | SOT-1204-2 |
| اسماء اخرى: | 1603-1102-1 |
| الضوضاء الشكل: | - |
| مستوى الحساسية للرطوبة (MSL): | 3 (168 Hours) |
| الصانع المهلة القياسية: | 13 Weeks |
| حالة خالية من الرصاص: | Lead free |
| ربح: | 21dB |
| تردد: | 440MHz |
| وصف تفصيلي: | RF Mosfet LDMOS (Dual), Common Source 28V 2mA 440MHz 21dB 210W 4-HSOP |
| التصويت الحالي: | - |
| الحالي - اختبار: | 2mA |
| Email: | [email protected] |
قطع الغيار ذات الصلة لBLP8G05S-200GY
| صورة | رقم القطعة | مصنعين | وصف | رأي |
|---|---|---|---|---|
 |
BLP15M7160PY | Ampleon | RF FET LDMOS 65V 20DB SOT12232 | تحقيق |
 |
BLP25M710Z | Ampleon | RF FET LDMOS 65V 16DB 12VDFN | تحقيق |
|
BLP25M705Z | Ampleon | RF FET LDMOS 65V 16DB 12VDFN | تحقيق |
|
BLP8G20S-80PY | Ampleon | RF FET LDMOS 65V 17DB SOT12231 | تحقيق |
 |
BLP8G27-10Z | Ampleon | RF FET LDMOS 65V 17DB 16VDFN | تحقيق |
 |
BLP8G10S-45PJ | NXP Semiconductors / Freescale | TRANS LDMOS 45W 4HSOPF | تحقيق |
|
BLP8G10S-45PY | Ampleon | RF FET LDMOS 65V 20.8DB SOT12231 | تحقيق |
|
BLP7G22-10Z | Ampleon | RF FET LDMOS 65V 16DB 12VDFN | تحقيق |
 |
BLP8G10S-45PGY | Ampleon | RF FET LDMOS 65V 20.8DB 4BESOP | تحقيق |
|
BLP27M810Z | Ampleon | RF FET LDMOS 65V 17DB 16VDFN | تحقيق |
|
BLP7G07S-140P,118 | NXP Semiconductors / Freescale | TRANSISTOR RF POWER 140W HSOP4F | تحقيق |
 |
BLP8G05S-200Y | Ampleon | RF FET LDMOS 65V 21DB SOT11382 | تحقيق |
|
BLP35M805Z | Ampleon | RF FET LDMOS 65V 18DB 16VDFN | تحقيق |
|
BLP7G22-05Z | Ampleon | RF FET LDMOS 65V 16DB 12VDFN | تحقيق |
 |
BLP7G22-10,135 | NXP Semiconductors / Freescale | TRANSISTOR DRIVER LDMOS 12HVSON | تحقيق |
|
BLP8G10S-45PGJ | NXP Semiconductors / Freescale | TRANS LDMOS 45W 4HSOP | تحقيق |
|
BLP7G07S-140PY | Ampleon | RF FET LDMOS 65V 20.9DB SOT12231 | تحقيق |
|
BLP8G27-5Z | Ampleon | RF FET LDMOS 65V 18DB 16VDFN | تحقيق |
|
BLP8G10S-270PWY | Ampleon | RF FET LDMOS 65V 20DB SOT12212 | تحقيق |
 |
BLP8G21S-160PVY | Ampleon | RF FET LDMOS 65V 17DB SOT12211 | تحقيق |
Latest الأخبار
- أعلن التقرير المالي لـ NXP و Ansonmei ، ويتم إرسال سعر أسعار النحاس إلى صناعة IC
- أنشأت Moels Micro Electronics مكاتب جديدة في تايوان ، الصين لتوسيع أراضي العمل
- لا يزال يتعين تعزيز أداء Texas Instruments ، ويدفع مصنعان التخزين منتجات ذاكرة فلاش جديدة
- يتناقص التقرير المالي للربع الأول من SEF Semiconductor (ST) ، وتباطأ الطلب على السيارات
- لا يزال يتعين تعزيز أداء Texas Instruments ، ويدفع مصنعان التخزين منتجات ذاكرة فلاش جديدة
- حجم الرقاقة الناضجة المحلية ، سعة إنتاج ذاكرة فلاش Samsung NAND بالقرب من الحمل
- تطلق فيشاي عبوات مائية عالية السطوع صغير الأزرق والأخضر النقي
- أطلقت Ansonmei مستشعر موقف استقرائي لسوق الصناعي والنقل
- يبدأ Ruisa المصنع القديم لزيادة جهاز الطاقة ، ويؤثر الزلزال على معتدل ناتج DRAM
- تتيح الرقائق الدقيقة القدرة الإنتاجية لـ TSMC ويزيد من زيادة الأسعار
- أطلقت Ruisa New RA0 Series Ultra -low Power Entry -lovel MCU
- يطلق Melexis رقاقة مفتاح محث كامل المتكامل