BLP05H635XRY متاح الآن!تقنية LYNTEAM هي موزع التخزين ل BLP05H635XRY، لدينا مخزونات للشحن الفوري وتتوفر أيضا لتزويد وقت طويل.الرجاء ارسال لنا خطة الشراء الخاصة بك ل BLP05H635XRY عبر البريد الإلكتروني، وسنقدم لك أفضل سعر وفقا لخطتك.
شراء BLP05H635XRY مع LYNTEAM، وفر أموالك والوقت.
بريدنا الإلكتروني: [email protected]
BLP05H635XRY
- رقم القطعة:
- BLP05H635XRY
- الصانع:
- Ampleon
- وصف:
- RF FET LDMOS 135V 27DB SOT12232
- حالة خالية من الرصاص:
- خالية من الرصاص عن طريق الإعفاء / بنفايات متوافقة مع الإعفاء
- كمية المخزون:
- 57452 Pieces
- موعد التسليم:
- 1-2 days
- المهلة:
- 4-8 weeks
- ورقة البيانات:
- BLP05H635XRY.pdf
المقدمة
مواصفات
| شرط | New & Original, tested |
|---|---|
| بلد المنشأ | Contact us |
| بمناسبة التعليمات البرمجية | Send by email |
| الجهد - اختبار: | 50V |
| الجهد - تقييمه: | 135V |
| نوع الترانزستور: | LDMOS (Dual), Common Source |
| تجار الأجهزة حزمة: | 4-HSOPF |
| سلسلة: | - |
| مخرج قوي: | 35W |
| التعبئة والتغليف: | Cut Tape (CT) |
| حزمة / كيس: | SOT-1223-2 |
| اسماء اخرى: | 1603-1031-1 |
| الضوضاء الشكل: | - |
| مستوى الحساسية للرطوبة (MSL): | 3 (168 Hours) |
| الصانع المهلة القياسية: | 13 Weeks |
| حالة خالية من الرصاص / حالة بنفايات: | Lead free by exemption / RoHS compliant by exemption |
| ربح: | 27dB |
| تردد: | 108MHz |
| وصف تفصيلي: | RF Mosfet LDMOS (Dual), Common Source 50V 10mA 108MHz 27dB 35W 4-HSOPF |
| التصويت الحالي: | - |
| الحالي - اختبار: | 10mA |
| Email: | [email protected] |
قطع الغيار ذات الصلة لBLP05H635XRY
| صورة | رقم القطعة | مصنعين | وصف | رأي |
|---|---|---|---|---|
 |
BLP05M7200Y | Ampleon | RF FET LDMOS 65V 21DB SOT1140 | تحقيق |
 |
BLP05H6150XRY | Ampleon | RF FET LDMOS 135V 27DB SOT12232 | تحقيق |
 |
BLP10H605AZ | Ampleon | RF FET LDMOS 104V 22DB 12VDFN | تحقيق |
|
BLP05H675XRY | Ampleon | RF FET LDMOS 135V 27DB SOT12232 | تحقيق |
|
BLP05H6350XRY | Ampleon | RF FET LDMOS 135V 27DB SOT12232 | تحقيق |
 |
BLP10H605Z | Ampleon | RF FET LDMOS 104V 22DB 12VDFN | تحقيق |
 |
BLP05H6110XRGY | Ampleon | RF FET LDMOS 135V 27DB SOT12242 | تحقيق |
|
BLP10H603Z | Ampleon | RF FET LDMOS 104V 22DB 12VDFN | تحقيق |
|
BLP05H6350XRGY | Ampleon | RF FET LDMOS 135V 27DB SOT12242 | تحقيق |
|
BLP10H603AZ | Ampleon | RF FET LDMOS 104V 22DB 12VDFN | تحقيق |
|
BLP05H6250XRY | Ampleon | RF FET LDMOS 135V 27DB SOT12232 | تحقيق |
 |
BLP05H6700XRGY | Ampleon | RF MOSFET LDMOS 50V 4-HSOP | تحقيق |
|
BLP05H675XRGY | Ampleon | RF FET LDMOS 135V 27DB SOT12242 | تحقيق |
|
BLP05H635XRGY | Ampleon | RF FET LDMOS 135V 27DB SOT12242 | تحقيق |
 |
BLP0427M9S20Z | Ampleon | BLP0427M9S20/TO270/REELDP | تحقيق |
|
BLP05H6250XRGY | Ampleon | RF FET LDMOS 135V 27DB SOT12242 | تحقيق |
|
BLP05H6150XRGY | Ampleon | RF FET LDMOS 135V 27DB SOT12242 | تحقيق |
|
BLP05H6110XRY | Ampleon | RF FET LDMOS 135V 27DB SOT12232 | تحقيق |
 |
BLP05H6700XRY | Ampleon | RF MOSFET LDMOS 50V SOT1138-2 | تحقيق |
|
BLP10H610AZ | Ampleon | RF FET LDMOS 104V 22DB 12VDFN | تحقيق |
Latest الأخبار
- يشاع أن Samsung و SK Hynix أوقفوا DDR3 ، وارتفع اقتباس الترويج بنسبة 20 ٪
- أصدرت Melexis MLX90427: التحكم في الخط في الاختيار الجديد ، آمن وفعال واقتصادي
- أعلن التقرير المالي لـ NXP و Ansonmei ، ويتم إرسال سعر أسعار النحاس إلى صناعة IC
- أنشأت Moels Micro Electronics مكاتب جديدة في تايوان ، الصين لتوسيع أراضي العمل
- لا يزال يتعين تعزيز أداء Texas Instruments ، ويدفع مصنعان التخزين منتجات ذاكرة فلاش جديدة
- يتناقص التقرير المالي للربع الأول من SEF Semiconductor (ST) ، وتباطأ الطلب على السيارات
- لا يزال يتعين تعزيز أداء Texas Instruments ، ويدفع مصنعان التخزين منتجات ذاكرة فلاش جديدة
- حجم الرقاقة الناضجة المحلية ، سعة إنتاج ذاكرة فلاش Samsung NAND بالقرب من الحمل
- تطلق فيشاي عبوات مائية عالية السطوع صغير الأزرق والأخضر النقي
- أطلقت Ansonmei مستشعر موقف استقرائي لسوق الصناعي والنقل
- يبدأ Ruisa المصنع القديم لزيادة جهاز الطاقة ، ويؤثر الزلزال على معتدل ناتج DRAM
- تتيح الرقائق الدقيقة القدرة الإنتاجية لـ TSMC ويزيد من زيادة الأسعار