BLL8H0514LS-130U متاح الآن!تقنية LYNTEAM هي موزع التخزين ل BLL8H0514LS-130U، لدينا مخزونات للشحن الفوري وتتوفر أيضا لتزويد وقت طويل.الرجاء ارسال لنا خطة الشراء الخاصة بك ل BLL8H0514LS-130U عبر البريد الإلكتروني، وسنقدم لك أفضل سعر وفقا لخطتك.
شراء BLL8H0514LS-130U مع LYNTEAM، وفر أموالك والوقت.
بريدنا الإلكتروني: [email protected]
BLL8H0514LS-130U
- رقم القطعة:
- BLL8H0514LS-130U
- الصانع:
- Ampleon
- وصف:
- RF FET LDMOS 100V 17DB SOT1135B
- حالة خالية من الرصاص:
- الرصاص الحرة / بنفايات المتوافقة
- كمية المخزون:
- 51775 Pieces
- موعد التسليم:
- 1-2 days
- المهلة:
- 4-8 weeks
- ورقة البيانات:
- BLL8H0514LS-130U.pdf
المقدمة
مواصفات
| شرط | New & Original, tested |
|---|---|
| بلد المنشأ | Contact us |
| بمناسبة التعليمات البرمجية | Send by email |
| الجهد - اختبار: | 50V |
| الجهد - تقييمه: | 100V |
| نوع الترانزستور: | LDMOS |
| تجار الأجهزة حزمة: | CDFM2 |
| سلسلة: | - |
| مخرج قوي: | 130W |
| التعبئة والتغليف: | Bulk |
| حزمة / كيس: | SOT-1135B |
| اسماء اخرى: | 568-11692 934068732112 |
| الضوضاء الشكل: | - |
| مستوى الحساسية للرطوبة (MSL): | 1 (Unlimited) |
| الصانع المهلة القياسية: | 13 Weeks |
| حالة خالية من الرصاص / حالة بنفايات: | Lead free / RoHS Compliant |
| ربح: | 17dB |
| تردد: | 1.2GHz ~ 1.4GHz |
| وصف تفصيلي: | RF Mosfet LDMOS 50V 50mA 1.2GHz ~ 1.4GHz 17dB 130W CDFM2 |
| التصويت الحالي: | - |
| الحالي - اختبار: | 50mA |
| Email: | [email protected] |
قطع الغيار ذات الصلة لBLL8H0514LS-130U
| صورة | رقم القطعة | مصنعين | وصف | رأي |
|---|---|---|---|---|
 |
BLL6G1214LS-250,11 | Ampleon | RF FET LDMOS 89V 15DB SOT502B | تحقيق |
 |
BLL6G1214L-250,112 | Ampleon | RF FET LDMOS 89V 15DB SOT502A | تحقيق |
 |
BLL8H1214LS-500U | Ampleon | RF FET LDMOS 100V 17DB SOT539B | تحقيق |
 |
BLL6H0514L-130,112 | Ampleon | RF FET LDMOS 100V 17DB SOT1135A | تحقيق |
|
BLL6H1214LS-250,11 | Ampleon | RF FET LDMOS 100V 17DB SOT502B | تحقيق |
|
BLL9G1214LS-600U | Ampleon | BLL9G1214LS-600/SOT502/TRAY | تحقيق |
 |
BLL8H1214L-500U | Ampleon | RF FET LDMOS 100V 17DB SOT539A | تحقيق |
 |
BLL6H0514-25,112 | Ampleon | RF FET LDMOS 100V 21DB SOT467C | تحقيق |
|
BLL8H1214LS-250U | Ampleon | RF FET LDMOS 100V 17DB SOT502B | تحقيق |
|
BLL8H1214L-250U | Ampleon | RF FET LDMOS 100V 17DB SOT502A | تحقيق |
|
BLL6H1214L-250,112 | Ampleon | RF FET LDMOS 100V 17DB SOT502A | تحقيق |
 |
BLL6H0514LS-130,11 | Ampleon | RF FET LDMOS 100V 17DB SOT1135B | تحقيق |
 |
BLL6H1214P2S-250Z | Ampleon | RF FET LDMOS 50V 27DB MODULE | تحقيق |
|
BLL6H1214LS-500,11 | Ampleon | RF FET LDMOS 100V 17DB SOT502B | تحقيق |
|
BLL8H0514-25U | Ampleon | RF FET LDMOS 100V 21DB SOT467C | تحقيق |
|
BLL6H1214-500,112 | Ampleon | RF FET LDMOS 100V 17DB SOT539A | تحقيق |
|
BLL1214-35,112 | Ampleon | RF FET LDMOS 75V 13DB SOT467C | تحقيق |
|
BLL8H0514L-130U | Ampleon | RF FET LDMOS 100V 17DB SOT1135A | تحقيق |
|
BLL9G1214L-600U | Ampleon | BLL9G1214L-600/SOT502/TRAY | تحقيق |
|
BLL1214-250R,112 | Ampleon | RF FET LDMOS 75V 13DB SOT502A | تحقيق |
Latest الأخبار
- لا يزال يتعين تعزيز أداء Texas Instruments ، ويدفع مصنعان التخزين منتجات ذاكرة فلاش جديدة
- حجم الرقاقة الناضجة المحلية ، سعة إنتاج ذاكرة فلاش Samsung NAND بالقرب من الحمل
- تطلق فيشاي عبوات مائية عالية السطوع صغير الأزرق والأخضر النقي
- أطلقت Ansonmei مستشعر موقف استقرائي لسوق الصناعي والنقل
- يبدأ Ruisa المصنع القديم لزيادة جهاز الطاقة ، ويؤثر الزلزال على معتدل ناتج DRAM
- تتيح الرقائق الدقيقة القدرة الإنتاجية لـ TSMC ويزيد من زيادة الأسعار
- أطلقت Ruisa New RA0 Series Ultra -low Power Entry -lovel MCU
- يطلق Melexis رقاقة مفتاح محث كامل المتكامل
- يقدم X-FAB تقنية إضاءة مستشعر الصورة لتعزيز أداء مستشعر CMOS
- تأثر مصنع الرقائق الكبير بالزلزال: توقف TSMC عن العمل بشكل عاجل ، مما أدى إلى تفاقم إمدادات وحدة معالجة الرسومات في نقص العرض؟
- تستمر ذاكرة NAND Flash ، MCU Derocking Bottom على حق
- تحت منفذ AI Air ، فإن عمالقة الرقائق الرئيسية "ليست قوية": تحطيم الأموال لكسر اللعبة ، رهان في معارك فريق 2025