BLF8G27LS-100V,118 متاح الآن!تقنية LYNTEAM هي موزع التخزين ل BLF8G27LS-100V,118، لدينا مخزونات للشحن الفوري وتتوفر أيضا لتزويد وقت طويل.الرجاء ارسال لنا خطة الشراء الخاصة بك ل BLF8G27LS-100V,118 عبر البريد الإلكتروني، وسنقدم لك أفضل سعر وفقا لخطتك.
شراء BLF8G27LS-100V,118 مع LYNTEAM، وفر أموالك والوقت.
بريدنا الإلكتروني: [email protected]
BLF8G27LS-100V,118
- رقم القطعة:
- BLF8G27LS-100V,118
- الصانع:
- Ampleon
- وصف:
- RF FET LDMOS 65V 17DB SOT1244B
- حالة خالية من الرصاص:
- الرصاص الحرة / بنفايات المتوافقة
- كمية المخزون:
- 40563 Pieces
- موعد التسليم:
- 1-2 days
- المهلة:
- 4-8 weeks
- ورقة البيانات:
- BLF8G27LS-100V,118.pdf
المقدمة
مواصفات
| شرط | New & Original, tested |
|---|---|
| بلد المنشأ | Contact us |
| بمناسبة التعليمات البرمجية | Send by email |
| الجهد - اختبار: | 28V |
| الجهد - تقييمه: | 65V |
| نوع الترانزستور: | LDMOS |
| تجار الأجهزة حزمة: | CDFM6 |
| سلسلة: | - |
| مخرج قوي: | 25W |
| التعبئة والتغليف: | Tape & Reel (TR) |
| حزمة / كيس: | SOT-1244B |
| اسماء اخرى: | 568-10152-2 934067073118 BLF8G27LS-100V,118-ND BLF8G27LS100V118 |
| الضوضاء الشكل: | - |
| مستوى الحساسية للرطوبة (MSL): | 1 (Unlimited) |
| الصانع المهلة القياسية: | 13 Weeks |
| حالة خالية من الرصاص / حالة بنفايات: | Lead free / RoHS Compliant |
| ربح: | 17dB |
| تردد: | 2.5GHz ~ 2.7GHz |
| وصف تفصيلي: | RF Mosfet LDMOS 28V 900mA 2.5GHz ~ 2.7GHz 17dB 25W CDFM6 |
| التصويت الحالي: | - |
| الحالي - اختبار: | 900mA |
| رقم جزء القاعدة: | BLF8G27 |
| Email: | [email protected] |
قطع الغيار ذات الصلة لBLF8G27LS-100V,118
| صورة | رقم القطعة | مصنعين | وصف | رأي |
|---|---|---|---|---|
 |
BLF8G27LS-100U | Ampleon | RF FET LDMOS 65V 17DB SOT502B | تحقيق |
 |
BLF8G24LS-200P,118 | Ampleon | RF FET LDMOS 65V 17.2DB SOT539B | تحقيق |
|
BLF8G27LS-100J | Ampleon | RF FET LDMOS 65V 17DB SOT502B | تحقيق |
 |
BLF8G27LS-150GVJ | Ampleon | RF FET LDMOS 65V 18DB SOT1244C | تحقيق |
 |
BLF8G27LS-100PJ | Ampleon | RF FET LDMOS 65V 18DB SOT1121B | تحقيق |
|
BLF8G27LS-100GVJ | Ampleon | RF FET LDMOS 65V 17DB SOT1244C | تحقيق |
|
BLF8G27LS-100PU | Ampleon | RF FET LDMOS 65V 18DB SOT1121B | تحقيق |
|
BLF8G27LS-140,112 | Ampleon | RF FET LDMOS 65V 17.4DB SOT502B | تحقيق |
 |
BLF8G27LS-150VU | Ampleon | RF FET LDMOS 65V 18DB SOT1244B | تحقيق |
|
BLF8G24LS-200PNU | Ampleon | RF FET LDMOS 65V 17.2DB SOT539B | تحقيق |
 |
BLF8G27LS-140V,118 | Ampleon | RF FET LDMOS 65V 17.4DB SOT1120B | تحقيق |
|
BLF8G24LS-200PNJ | Ampleon | RF FET LDMOS 65V 17.2DB SOT539B | تحقيق |
 |
BLF8G27LS-150VJ | Ampleon | RF FET LDMOS 65V 18DB SOT1244B | تحقيق |
|
BLF8G27LS-100GVQ | Ampleon | RF FET LDMOS 65V 17DB SOT1244C | تحقيق |
 |
BLF8G38LS-75VJ | Ampleon | RF FET LDMOS 65V 15.5DB SOT1239B | تحقيق |
|
BLF8G27LS-150GVQ | Ampleon | RF FET LDMOS 65V 18DB SOT1244C | تحقيق |
|
BLF8G27LS-140V,112 | Ampleon | RF FET LDMOS 65V 17.4DB SOT1120B | تحقيق |
|
BLF8G27LS-140,118 | Ampleon | RF FET LDMOS 65V 17.4DB SOT502B | تحقيق |
|
BLF8G27LS-100V,112 | Ampleon | RF FET LDMOS 65V 17DB SOT1244B | تحقيق |
 |
BLF8G27LS-140V | Ampleon | RF FET | تحقيق |
Latest الأخبار
- لا يزال يتعين تعزيز أداء Texas Instruments ، ويدفع مصنعان التخزين منتجات ذاكرة فلاش جديدة
- حجم الرقاقة الناضجة المحلية ، سعة إنتاج ذاكرة فلاش Samsung NAND بالقرب من الحمل
- تطلق فيشاي عبوات مائية عالية السطوع صغير الأزرق والأخضر النقي
- أطلقت Ansonmei مستشعر موقف استقرائي لسوق الصناعي والنقل
- يبدأ Ruisa المصنع القديم لزيادة جهاز الطاقة ، ويؤثر الزلزال على معتدل ناتج DRAM
- تتيح الرقائق الدقيقة القدرة الإنتاجية لـ TSMC ويزيد من زيادة الأسعار
- أطلقت Ruisa New RA0 Series Ultra -low Power Entry -lovel MCU
- يطلق Melexis رقاقة مفتاح محث كامل المتكامل
- يقدم X-FAB تقنية إضاءة مستشعر الصورة لتعزيز أداء مستشعر CMOS
- تأثر مصنع الرقائق الكبير بالزلزال: توقف TSMC عن العمل بشكل عاجل ، مما أدى إلى تفاقم إمدادات وحدة معالجة الرسومات في نقص العرض؟
- تستمر ذاكرة NAND Flash ، MCU Derocking Bottom على حق
- تحت منفذ AI Air ، فإن عمالقة الرقائق الرئيسية "ليست قوية": تحطيم الأموال لكسر اللعبة ، رهان في معارك فريق 2025