BLF8G24LS-150GVQ متاح الآن!تقنية LYNTEAM هي موزع التخزين ل BLF8G24LS-150GVQ، لدينا مخزونات للشحن الفوري وتتوفر أيضا لتزويد وقت طويل.الرجاء ارسال لنا خطة الشراء الخاصة بك ل BLF8G24LS-150GVQ عبر البريد الإلكتروني، وسنقدم لك أفضل سعر وفقا لخطتك.
شراء BLF8G24LS-150GVQ مع LYNTEAM، وفر أموالك والوقت.
بريدنا الإلكتروني: [email protected]
BLF8G24LS-150GVQ
- رقم القطعة:
- BLF8G24LS-150GVQ
- الصانع:
- Ampleon
- وصف:
- RF FET LDMOS 65V 19DB SOT1244C
- حالة خالية من الرصاص:
- الرصاص الحرة / بنفايات المتوافقة
- كمية المخزون:
- 39147 Pieces
- موعد التسليم:
- 1-2 days
- المهلة:
- 4-8 weeks
- ورقة البيانات:
- BLF8G24LS-150GVQ.pdf
المقدمة
مواصفات
| شرط | New & Original, tested |
|---|---|
| بلد المنشأ | Contact us |
| بمناسبة التعليمات البرمجية | Send by email |
| الجهد - اختبار: | 28V |
| الجهد - تقييمه: | 65V |
| نوع الترانزستور: | LDMOS |
| تجار الأجهزة حزمة: | CDFM6 |
| سلسلة: | - |
| مخرج قوي: | 45W |
| التعبئة والتغليف: | Tube |
| حزمة / كيس: | SOT-1244C |
| اسماء اخرى: | 1603-1173 934068231127 BLF8G24LS-150GVQ-ND |
| الضوضاء الشكل: | - |
| مستوى الحساسية للرطوبة (MSL): | 1 (Unlimited) |
| الصانع المهلة القياسية: | 13 Weeks |
| حالة خالية من الرصاص / حالة بنفايات: | Lead free / RoHS Compliant |
| ربح: | 19dB |
| تردد: | 2.3GHz ~ 2.4GHz |
| وصف تفصيلي: | RF Mosfet LDMOS 28V 1.3A 2.3GHz ~ 2.4GHz 19dB 45W CDFM6 |
| التصويت الحالي: | - |
| الحالي - اختبار: | 1.3A |
| Email: | [email protected] |
قطع الغيار ذات الصلة لBLF8G24LS-150GVQ
| صورة | رقم القطعة | مصنعين | وصف | رأي |
|---|---|---|---|---|
 |
BLF8G24LS-150GVJ | Ampleon | RF FET LDMOS 65V 19DB SOT1244C | تحقيق |
 |
BLF8G24LS-100VU | Ampleon | RF FET LDMOS 65V 18DB SOT1244B | تحقيق |
 |
BLF8G24LS-200P,112 | Ampleon | RF FET LDMOS 65V 17.2DB SOT539B | تحقيق |
 |
BLF8G22LS-310AVJ | NXP Semiconductors / Freescale | IC TRANS LDMOS 140W ACC-8L | تحقيق |
|
BLF8G24LS-150VU | Ampleon | RF FET LDMOS 65V 19DB SOT1244B | تحقيق |
|
BLF8G24LS-200PNJ | Ampleon | RF FET LDMOS 65V 17.2DB SOT539B | تحقيق |
 |
BLF8G24L-200P,118 | Ampleon | RF FET LDMOS 65V 17.2DB SOT539A | تحقيق |
 |
BLF8G27LS-100J | Ampleon | RF FET LDMOS 65V 17DB SOT502B | تحقيق |
|
BLF8G24L-200P,112 | Ampleon | RF FET LDMOS 65V 17.2DB SOT539A | تحقيق |
 |
BLF8G24LS-150VJ | Ampleon | RF FET LDMOS 65V 19DB SOT1244B | تحقيق |
|
BLF8G22LS-310AVU | NXP Semiconductors / Freescale | IC TRANS LDMOS 140W ACC-8L | تحقيق |
 |
BLF8G27LS-100PJ | Ampleon | RF FET LDMOS 65V 18DB SOT1121B | تحقيق |
 |
BLF8G22LS-270V,118 | Ampleon | RF FET LDMOS 65V 17.3DB SOT1244B | تحقيق |
|
BLF8G24LS-100GVJ | Ampleon | RF FET LDMOS 65V 18DB SOT1244C | تحقيق |
|
BLF8G27LS-100GVQ | Ampleon | RF FET LDMOS 65V 17DB SOT1244C | تحقيق |
|
BLF8G24LS-200PNU | Ampleon | RF FET LDMOS 65V 17.2DB SOT539B | تحقيق |
|
BLF8G24LS-100GVQ | Ampleon | RF FET LDMOS 65V 18DB SOT1244C | تحقيق |
|
BLF8G27LS-100GVJ | Ampleon | RF FET LDMOS 65V 17DB SOT1244C | تحقيق |
 |
BLF8G24LS-100VJ | Ampleon | RF FET LDMOS 65V 18DB SOT1244B | تحقيق |
|
BLF8G24LS-200P,118 | Ampleon | RF FET LDMOS 65V 17.2DB SOT539B | تحقيق |
Latest الأخبار
- لا يزال يتعين تعزيز أداء Texas Instruments ، ويدفع مصنعان التخزين منتجات ذاكرة فلاش جديدة
- حجم الرقاقة الناضجة المحلية ، سعة إنتاج ذاكرة فلاش Samsung NAND بالقرب من الحمل
- تطلق فيشاي عبوات مائية عالية السطوع صغير الأزرق والأخضر النقي
- أطلقت Ansonmei مستشعر موقف استقرائي لسوق الصناعي والنقل
- يبدأ Ruisa المصنع القديم لزيادة جهاز الطاقة ، ويؤثر الزلزال على معتدل ناتج DRAM
- تتيح الرقائق الدقيقة القدرة الإنتاجية لـ TSMC ويزيد من زيادة الأسعار
- أطلقت Ruisa New RA0 Series Ultra -low Power Entry -lovel MCU
- يطلق Melexis رقاقة مفتاح محث كامل المتكامل
- يقدم X-FAB تقنية إضاءة مستشعر الصورة لتعزيز أداء مستشعر CMOS
- تأثر مصنع الرقائق الكبير بالزلزال: توقف TSMC عن العمل بشكل عاجل ، مما أدى إلى تفاقم إمدادات وحدة معالجة الرسومات في نقص العرض؟
- تستمر ذاكرة NAND Flash ، MCU Derocking Bottom على حق
- تحت منفذ AI Air ، فإن عمالقة الرقائق الرئيسية "ليست قوية": تحطيم الأموال لكسر اللعبة ، رهان في معارك فريق 2025