BLF888DU متاح الآن!تقنية LYNTEAM هي موزع التخزين ل BLF888DU، لدينا مخزونات للشحن الفوري وتتوفر أيضا لتزويد وقت طويل.الرجاء ارسال لنا خطة الشراء الخاصة بك ل BLF888DU عبر البريد الإلكتروني، وسنقدم لك أفضل سعر وفقا لخطتك.
شراء BLF888DU مع LYNTEAM، وفر أموالك والوقت.
بريدنا الإلكتروني: [email protected]
BLF888DU
- رقم القطعة:
- BLF888DU
- الصانع:
- Ampleon
- وصف:
- RF FET LDMOS 104V 21DB SOT539A
- حالة خالية من الرصاص:
- الرصاص الحرة / بنفايات المتوافقة
- كمية المخزون:
- 37719 Pieces
- موعد التسليم:
- 1-2 days
- المهلة:
- 4-8 weeks
- ورقة البيانات:
- BLF888DU.pdf
المقدمة
مواصفات
| شرط | New & Original, tested |
|---|---|
| بلد المنشأ | Contact us |
| بمناسبة التعليمات البرمجية | Send by email |
| الجهد - اختبار: | 50V |
| الجهد - تقييمه: | 104V |
| نوع الترانزستور: | LDMOS |
| تجار الأجهزة حزمة: | SOT539A |
| سلسلة: | - |
| مخرج قوي: | 250W |
| التعبئة والتغليف: | Bulk |
| حزمة / كيس: | SOT539A |
| اسماء اخرى: | 568-12831 934067864112 BLF888DU-ND |
| الضوضاء الشكل: | - |
| مستوى الحساسية للرطوبة (MSL): | 1 (Unlimited) |
| الصانع المهلة القياسية: | 13 Weeks |
| حالة خالية من الرصاص / حالة بنفايات: | Lead free / RoHS Compliant |
| ربح: | 21dB |
| تردد: | 860MHz |
| وصف تفصيلي: | RF Mosfet LDMOS 50V 1.3A 860MHz 21dB 250W SOT539A |
| التصويت الحالي: | - |
| الحالي - اختبار: | 1.3A |
| Email: | [email protected] |
قطع الغيار ذات الصلة لBLF888DU
| صورة | رقم القطعة | مصنعين | وصف | رأي |
|---|---|---|---|---|
 |
BLF884P,112 | Ampleon | RF FET LDMOS 104V 21DB SOT1121A | تحقيق |
 |
BLF882U | Ampleon | RF FET LDMOS 104V 20.6DB SOT502A | تحقيق |
 |
BLF898U | Ampleon | RF MOSFET LDMOS 50V SOT539A | تحقيق |
 |
BLF888BS,112 | Ampleon | RF MOSFET LDMOS DUAL 50V SOT539B | تحقيق |
|
BLF888A,112 | Ampleon | RF FET LDMOS 110V 21DB SOT539A | تحقيق |
|
BLF888ESU | Ampleon | RF FET LDMOS 104V 17DB SOT539B | تحقيق |
 |
BLF888,112 | Ampleon | RF FET LDMOS 104V 19DB SOT979A | تحقيق |
|
BLF888EU | Ampleon | RF FET LDMOS 104V 17DB SOT539A | تحقيق |
|
BLF888B,112 | Ampleon | RF FET LDMOS 104V 21DB SOT539A | تحقيق |
 |
BLF8G09LS-270GWJ | Ampleon | RF FET LDMOS 65V 20DB SOT1244C | تحقيق |
|
BLF888DSU | Ampleon | RF FET LDMOS 104V 21DB SOT539B | تحقيق |
 |
BLF8G09LS-270WJ | Ampleon | RF FET LDMOS 65V 20DB SOT1244B | تحقيق |
|
BLF8G09LS-270GWQ | Ampleon | RF FET LDMOS 65V 20DB SOT1244C | تحقيق |
 |
BLF8G09LS-270WU | Ampleon | RF FET LDMOS 65V 20DB SOT1244B | تحقيق |
 |
BLF8G09LS-400PGWQ | Ampleon | RF FET LDMOS 65V 20.6DB SOT1242C | تحقيق |
|
BLF8G09LS-400PGWJ | Ampleon | RF FET LDMOS 65V 20.6DB SOT1242C | تحقيق |
|
BLF888AS,112 | Ampleon | RF FET LDMOS 110V 21DB SOT539B | تحقيق |
|
BLF898SU | Ampleon | RF MOSFET LDMOS 50V SOT539B | تحقيق |
 |
BLF884PS,112 | Ampleon | RF FET LDMOS 104V 21DB SOT1121B | تحقيق |
 |
BLF882SU | Ampleon | RF FET LDMOS 104V 20.6DB SOT502B | تحقيق |
Latest الأخبار
- أصدرت Melexis MLX90427: التحكم في الخط في الاختيار الجديد ، آمن وفعال واقتصادي
- أعلن التقرير المالي لـ NXP و Ansonmei ، ويتم إرسال سعر أسعار النحاس إلى صناعة IC
- أنشأت Moels Micro Electronics مكاتب جديدة في تايوان ، الصين لتوسيع أراضي العمل
- لا يزال يتعين تعزيز أداء Texas Instruments ، ويدفع مصنعان التخزين منتجات ذاكرة فلاش جديدة
- يتناقص التقرير المالي للربع الأول من SEF Semiconductor (ST) ، وتباطأ الطلب على السيارات
- لا يزال يتعين تعزيز أداء Texas Instruments ، ويدفع مصنعان التخزين منتجات ذاكرة فلاش جديدة
- حجم الرقاقة الناضجة المحلية ، سعة إنتاج ذاكرة فلاش Samsung NAND بالقرب من الحمل
- تطلق فيشاي عبوات مائية عالية السطوع صغير الأزرق والأخضر النقي
- أطلقت Ansonmei مستشعر موقف استقرائي لسوق الصناعي والنقل
- يبدأ Ruisa المصنع القديم لزيادة جهاز الطاقة ، ويؤثر الزلزال على معتدل ناتج DRAM
- تتيح الرقائق الدقيقة القدرة الإنتاجية لـ TSMC ويزيد من زيادة الأسعار
- أطلقت Ruisa New RA0 Series Ultra -low Power Entry -lovel MCU