BLF7G27LS-75P,118 متاح الآن!تقنية LYNTEAM هي موزع التخزين ل BLF7G27LS-75P,118، لدينا مخزونات للشحن الفوري وتتوفر أيضا لتزويد وقت طويل.الرجاء ارسال لنا خطة الشراء الخاصة بك ل BLF7G27LS-75P,118 عبر البريد الإلكتروني، وسنقدم لك أفضل سعر وفقا لخطتك.
شراء BLF7G27LS-75P,118 مع LYNTEAM، وفر أموالك والوقت.
بريدنا الإلكتروني: [email protected]
BLF7G27LS-75P,118
- رقم القطعة:
- BLF7G27LS-75P,118
- الصانع:
- Ampleon
- وصف:
- RF FET LDMOS 65V 17DB SOT1121B
- حالة خالية من الرصاص:
- الرصاص الحرة / بنفايات المتوافقة
- كمية المخزون:
- 55852 Pieces
- موعد التسليم:
- 1-2 days
- المهلة:
- 4-8 weeks
- ورقة البيانات:
- BLF7G27LS-75P,118.pdf
المقدمة
مواصفات
| شرط | New & Original, tested |
|---|---|
| بلد المنشأ | Contact us |
| بمناسبة التعليمات البرمجية | Send by email |
| الجهد - اختبار: | 28V |
| الجهد - تقييمه: | 65V |
| نوع الترانزستور: | LDMOS (Dual), Common Source |
| تجار الأجهزة حزمة: | LDMOST |
| سلسلة: | - |
| مخرج قوي: | 12W |
| التعبئة والتغليف: | Tape & Reel (TR) |
| حزمة / كيس: | SOT-1121B |
| اسماء اخرى: | 934064558118 |
| الضوضاء الشكل: | - |
| مستوى الحساسية للرطوبة (MSL): | 1 (Unlimited) |
| حالة خالية من الرصاص / حالة بنفايات: | Lead free / RoHS Compliant |
| ربح: | 17dB |
| تردد: | 2.3GHz ~ 2.4GHz |
| وصف تفصيلي: | RF Mosfet LDMOS (Dual), Common Source 28V 650mA 2.3GHz ~ 2.4GHz 17dB 12W LDMOST |
| التصويت الحالي: | 18A |
| الحالي - اختبار: | 650mA |
| رقم جزء القاعدة: | BLF7G27 |
| Email: | [email protected] |
قطع الغيار ذات الصلة لBLF7G27LS-75P,118
| صورة | رقم القطعة | مصنعين | وصف | رأي |
|---|---|---|---|---|
 |
BLF7G27LS-140,118 | Ampleon | RF FET LDMOS 65V 16DB SOT502B | تحقيق |
 |
BLF7G27LS-90P,112 | Ampleon | RF FET LDMOS 65V 18.5DB SOT1121B | تحقيق |
 |
BLF871S,112 | Ampleon | RF FET LDMOS 89V 19DB SOT467B | تحقيق |
 |
BLF871,112 | Ampleon | RF FET LDMOS 89V 19DB SOT467C | تحقيق |
 |
BLF7G27LS-150P,112 | Ampleon | RF FET LDMOS 65V 16DB SOT539B | تحقيق |
 |
BLF7G27L-90P,112 | Ampleon | RF FET LDMOS 65V 18.5DB SOT1121A | تحقيق |
 |
BLF820 | Agastat Relays / TE Connectivity | FILTER LC 2UH/820PF SMD | تحقيق |
 |
BLF879P,112 | Ampleon | RF FET LDMOS 104V 21DB SOT539A | تحقيق |
 |
BLF861A,112 | Ampleon | RF FET LDMOS 65V 14.5DB SOT540A | تحقيق |
|
BLF7G27LS-150P,118 | Ampleon | RF FET LDMOS 65V 16DB SOT539B | تحقيق |
|
BLF7G27LS-140,112 | Ampleon | RF FET LDMOS 65V 16DB SOT502B | تحقيق |
|
BLF7G27LS-100,118 | Ampleon | RF FET LDMOS 65V 18DB SOT502B | تحقيق |
|
BLF7G27L-75P,118 | Ampleon | RF FET LDMOS 65V 17DB SOT1121A | تحقيق |
|
BLF872,112 | Ampleon | RF FET LDMOS 65V SOT800 | تحقيق |
|
BLF7G27LS-100,112 | Ampleon | RF FET LDMOS 65V 18DB SOT502B | تحقيق |
|
BLF7G27LS-90P,118 | Ampleon | RF FET LDMOS 65V 18.5DB SOT1121B | تحقيق |
 |
BLF878,112 | Ampleon | RF FET LDMOS 89V 21DB SOT979A | تحقيق |
|
BLF7G27LS-75P,112 | Ampleon | RF FET LDMOS 65V 17DB SOT1121B | تحقيق |
|
BLF7G27L-90P,118 | Ampleon | RF FET LDMOS 65V 18.5DB SOT1121A | تحقيق |
|
BLF879PS,112 | Ampleon | RF FET LDMOS 104V 21DB SOT539B | تحقيق |
Latest الأخبار
- لا يزال يتعين تعزيز أداء Texas Instruments ، ويدفع مصنعان التخزين منتجات ذاكرة فلاش جديدة
- حجم الرقاقة الناضجة المحلية ، سعة إنتاج ذاكرة فلاش Samsung NAND بالقرب من الحمل
- تطلق فيشاي عبوات مائية عالية السطوع صغير الأزرق والأخضر النقي
- أطلقت Ansonmei مستشعر موقف استقرائي لسوق الصناعي والنقل
- يبدأ Ruisa المصنع القديم لزيادة جهاز الطاقة ، ويؤثر الزلزال على معتدل ناتج DRAM
- تتيح الرقائق الدقيقة القدرة الإنتاجية لـ TSMC ويزيد من زيادة الأسعار
- أطلقت Ruisa New RA0 Series Ultra -low Power Entry -lovel MCU
- يطلق Melexis رقاقة مفتاح محث كامل المتكامل
- يقدم X-FAB تقنية إضاءة مستشعر الصورة لتعزيز أداء مستشعر CMOS
- تأثر مصنع الرقائق الكبير بالزلزال: توقف TSMC عن العمل بشكل عاجل ، مما أدى إلى تفاقم إمدادات وحدة معالجة الرسومات في نقص العرض؟
- تستمر ذاكرة NAND Flash ، MCU Derocking Bottom على حق
- تحت منفذ AI Air ، فإن عمالقة الرقائق الرئيسية "ليست قوية": تحطيم الأموال لكسر اللعبة ، رهان في معارك فريق 2025