BLF6G38-10G,112 متاح الآن!تقنية LYNTEAM هي موزع التخزين ل BLF6G38-10G,112، لدينا مخزونات للشحن الفوري وتتوفر أيضا لتزويد وقت طويل.الرجاء ارسال لنا خطة الشراء الخاصة بك ل BLF6G38-10G,112 عبر البريد الإلكتروني، وسنقدم لك أفضل سعر وفقا لخطتك.
شراء BLF6G38-10G,112 مع LYNTEAM، وفر أموالك والوقت.
بريدنا الإلكتروني: [email protected]
BLF6G38-10G,112
- رقم القطعة:
- BLF6G38-10G,112
- الصانع:
- Ampleon
- وصف:
- RF FET LDMOS 65V 14DB SOT975C
- حالة خالية من الرصاص:
- الرصاص الحرة / بنفايات المتوافقة
- كمية المخزون:
- 38280 Pieces
- موعد التسليم:
- 1-2 days
- المهلة:
- 4-8 weeks
- ورقة البيانات:
- BLF6G38-10G,112.pdf
المقدمة
مواصفات
| شرط | New & Original, tested |
|---|---|
| بلد المنشأ | Contact us |
| بمناسبة التعليمات البرمجية | Send by email |
| الجهد - اختبار: | 28V |
| الجهد - تقييمه: | 65V |
| نوع الترانزستور: | LDMOS |
| تجار الأجهزة حزمة: | CDFM2 |
| سلسلة: | - |
| مخرج قوي: | 2W |
| التعبئة والتغليف: | Tray |
| حزمة / كيس: | SOT-975C |
| اسماء اخرى: | 934061847112 BLF6G38-10G BLF6G38-10G-ND |
| الضوضاء الشكل: | - |
| مستوى الحساسية للرطوبة (MSL): | 1 (Unlimited) |
| الصانع المهلة القياسية: | 13 Weeks |
| حالة خالية من الرصاص / حالة بنفايات: | Lead free / RoHS Compliant |
| ربح: | 14dB |
| تردد: | 3.4GHz ~ 3.6GHz |
| وصف تفصيلي: | RF Mosfet LDMOS 28V 130mA 3.4GHz ~ 3.6GHz 14dB 2W CDFM2 |
| التصويت الحالي: | 3.1A |
| الحالي - اختبار: | 130mA |
| رقم جزء القاعدة: | BLF6G38 |
| Email: | [email protected] |
قطع الغيار ذات الصلة لBLF6G38-10G,112
| صورة | رقم القطعة | مصنعين | وصف | رأي |
|---|---|---|---|---|
 |
BLF6G38-10,118 | Ampleon | RF FET LDMOS 65V 14DB SOT975B | تحقيق |
 |
BLF6G38LS-50,118 | Ampleon | RF FET LDMOS 65V 14DB SOT502B | تحقيق |
 |
BLF6G27S-45,112 | Ampleon | RF FET LDMOS 65V 18DB SOT608B | تحقيق |
 |
BLF6H10L-160,112 | Ampleon | RF FET LDMOS 104V 20DB SOT467C | تحقيق |
 |
BLF6G38-100,112 | Ampleon | RF FET LDMOS 65V 13DB SOT502A | تحقيق |
 |
BLF6G27S-45,118 | Ampleon | RF FET LDMOS 65V 18DB SOT608B | تحقيق |
|
BLF6G38LS-50,112 | Ampleon | RF FET LDMOS 65V 14DB SOT502B | تحقيق |
 |
BLF6G27LS-50BN,112 | NXP Semiconductors / Freescale | TRANSISTOR RF PWR LDMOS SOT1112B | تحقيق |
|
BLF6G38S-25,112 | Ampleon | RF FET LDMOS 65V 15DB SOT608B | تحقيق |
 |
BLF6G38-10G,118 | Ampleon | RF FET LDMOS 65V 14DB SOT975C | تحقيق |
 |
BLF6G38-25,112 | Ampleon | RF FET LDMOS 65V 15DB SOT608A | تحقيق |
|
BLF6G27LS-75,112 | Ampleon | RF FET LDMOS 65V SOT502B | تحقيق |
|
BLF6G27LS-50BN,118 | NXP Semiconductors / Freescale | TRANSISTOR RF PWR LDMOS SOT1112B | تحقيق |
|
BLF6G27S-45,135 | Ampleon | RF FET LDMOS 65V 18DB SOT608B | تحقيق |
|
BLF6G38LS-100,112 | Ampleon | RF FET LDMOS 65V 13DB SOT502B | تحقيق |
|
BLF6G38-50,135 | Ampleon | RF FET LDMOS 65V 14DB SOT502A | تحقيق |
|
BLF6G38-50,112 | Ampleon | RF FET LDMOS 65V 14DB SOT502A | تحقيق |
|
BLF6G38S-25,118 | Ampleon | RF FET LDMOS 65V 15DB SOT608B | تحقيق |
|
BLF6G27LS-75,118 | Ampleon | RF FET LDMOS 65V SOT502B | تحقيق |
|
BLF6G38-10,112 | Ampleon | RF FET LDMOS 65V 14DB SOT975B | تحقيق |
Latest الأخبار
- لا يزال يتعين تعزيز أداء Texas Instruments ، ويدفع مصنعان التخزين منتجات ذاكرة فلاش جديدة
- حجم الرقاقة الناضجة المحلية ، سعة إنتاج ذاكرة فلاش Samsung NAND بالقرب من الحمل
- تطلق فيشاي عبوات مائية عالية السطوع صغير الأزرق والأخضر النقي
- أطلقت Ansonmei مستشعر موقف استقرائي لسوق الصناعي والنقل
- يبدأ Ruisa المصنع القديم لزيادة جهاز الطاقة ، ويؤثر الزلزال على معتدل ناتج DRAM
- تتيح الرقائق الدقيقة القدرة الإنتاجية لـ TSMC ويزيد من زيادة الأسعار
- أطلقت Ruisa New RA0 Series Ultra -low Power Entry -lovel MCU
- يطلق Melexis رقاقة مفتاح محث كامل المتكامل
- يقدم X-FAB تقنية إضاءة مستشعر الصورة لتعزيز أداء مستشعر CMOS
- تأثر مصنع الرقائق الكبير بالزلزال: توقف TSMC عن العمل بشكل عاجل ، مما أدى إلى تفاقم إمدادات وحدة معالجة الرسومات في نقص العرض؟
- تستمر ذاكرة NAND Flash ، MCU Derocking Bottom على حق
- تحت منفذ AI Air ، فإن عمالقة الرقائق الرئيسية "ليست قوية": تحطيم الأموال لكسر اللعبة ، رهان في معارك فريق 2025