BLF6G20S-230PRN,11 متاح الآن!تقنية LYNTEAM هي موزع التخزين ل BLF6G20S-230PRN,11، لدينا مخزونات للشحن الفوري وتتوفر أيضا لتزويد وقت طويل.الرجاء ارسال لنا خطة الشراء الخاصة بك ل BLF6G20S-230PRN,11 عبر البريد الإلكتروني، وسنقدم لك أفضل سعر وفقا لخطتك.
شراء BLF6G20S-230PRN,11 مع LYNTEAM، وفر أموالك والوقت.
بريدنا الإلكتروني: [email protected]
BLF6G20S-230PRN,11
- رقم القطعة:
- BLF6G20S-230PRN,11
- الصانع:
- Ampleon
- وصف:
- RF FET LDMOS 65V SOT539B
- حالة خالية من الرصاص:
- الرصاص الحرة / بنفايات المتوافقة
- كمية المخزون:
- 32676 Pieces
- موعد التسليم:
- 1-2 days
- المهلة:
- 4-8 weeks
- ورقة البيانات:
- BLF6G20S-230PRN,11.pdf
المقدمة
مواصفات
| شرط | New & Original, tested |
|---|---|
| بلد المنشأ | Contact us |
| بمناسبة التعليمات البرمجية | Send by email |
| الجهد - اختبار: | 28V |
| الجهد - تقييمه: | 65V |
| نوع الترانزستور: | LDMOS |
| تجار الأجهزة حزمة: | SOT539B |
| سلسلة: | - |
| مخرج قوي: | 65W |
| التعبئة والتغليف: | Tray |
| حزمة / كيس: | SOT539B |
| اسماء اخرى: | 934064341112 |
| الضوضاء الشكل: | - |
| مستوى الحساسية للرطوبة (MSL): | 1 (Unlimited) |
| حالة خالية من الرصاص / حالة بنفايات: | Lead free / RoHS Compliant |
| ربح: | - |
| تردد: | - |
| وصف تفصيلي: | RF Mosfet LDMOS 28V 2A 65W SOT539B |
| التصويت الحالي: | - |
| الحالي - اختبار: | 2A |
| رقم جزء القاعدة: | BLF6G20 |
| Email: | [email protected] |
قطع الغيار ذات الصلة لBLF6G20S-230PRN,11
| صورة | رقم القطعة | مصنعين | وصف | رأي |
|---|---|---|---|---|
 |
BLF6G20LS-140,118 | Ampleon | RF FET LDMOS 65V 16DB SOT502B | تحقيق |
 |
BLF6G20S-230PRN:11 | NXP Semiconductors / Freescale | TRANSISTOR PWR LDMOS SOT539B | تحقيق |
 |
BLF6G21-10G,135 | Ampleon | RF FET LDMOS 65V 18.5DB SOT538A | تحقيق |
 |
BLF6G20S-45,118 | Ampleon | RF FET LDMOS 65V 19.2DB SOT608B | تحقيق |
|
BLF6G20LS-110,112 | Ampleon | RF FET LDMOS 65V 19DB SOT502B | تحقيق |
|
BLF6G20LS-140,112 | Ampleon | RF FET LDMOS 65V 16DB SOT502B | تحقيق |
|
BLF6G20LS-180RN:11 | Ampleon | RF FET LDMOS 65V 17.2DB SOT502B | تحقيق |
 |
BLF6G20S-45,112 | Ampleon | RF FET LDMOS 65V 19.2DB SOT608B | تحقيق |
|
BLF6G20LS-75,112 | Ampleon | RF FET LDMOS 65V 19DB SOT502B | تحقيق |
|
BLF6G21-10G,112 | Ampleon | RF FET LDMOS 65V 18.5DB SOT538A | تحقيق |
 |
BLF6G20-75,112 | Ampleon | RF FET LDMOS 65V 19DB SOT502A | تحقيق |
|
BLF6G20LS-110,118 | Ampleon | RF FET LDMOS 65V 19DB SOT502B | تحقيق |
 |
BLF6G22-180PN,112 | Ampleon | RF FET LDMOS 65V 17DB SOT539A | تحقيق |
|
BLF6G22-180PN,135 | Ampleon | RF FET LDMOS 65V 17DB SOT539A | تحقيق |
|
BLF6G22-180RN,112 | Ampleon | RF FET LDMOS 65V 16DB SOT502A | تحقيق |
|
BLF6G22-45,135 | Ampleon | RF FET LDMOS 65V 18.5DB SOT608A | تحقيق |
|
BLF6G22-45,112 | Ampleon | RF FET LDMOS 65V 18.5DB SOT608A | تحقيق |
|
BLF6G20LS-180RN,11 | Ampleon | RF FET LDMOS 65V 17.2DB SOT502B | تحقيق |
|
BLF6G20LS-75,118 | Ampleon | RF FET LDMOS 65V 19DB SOT502B | تحقيق |
|
BLF6G20-45,135 | Ampleon | RF FET LDMOS 65V 19.2DB SOT608A | تحقيق |
Latest الأخبار
- أصدرت Melexis MLX90427: التحكم في الخط في الاختيار الجديد ، آمن وفعال واقتصادي
- أعلن التقرير المالي لـ NXP و Ansonmei ، ويتم إرسال سعر أسعار النحاس إلى صناعة IC
- أنشأت Moels Micro Electronics مكاتب جديدة في تايوان ، الصين لتوسيع أراضي العمل
- لا يزال يتعين تعزيز أداء Texas Instruments ، ويدفع مصنعان التخزين منتجات ذاكرة فلاش جديدة
- يتناقص التقرير المالي للربع الأول من SEF Semiconductor (ST) ، وتباطأ الطلب على السيارات
- لا يزال يتعين تعزيز أداء Texas Instruments ، ويدفع مصنعان التخزين منتجات ذاكرة فلاش جديدة
- حجم الرقاقة الناضجة المحلية ، سعة إنتاج ذاكرة فلاش Samsung NAND بالقرب من الحمل
- تطلق فيشاي عبوات مائية عالية السطوع صغير الأزرق والأخضر النقي
- أطلقت Ansonmei مستشعر موقف استقرائي لسوق الصناعي والنقل
- يبدأ Ruisa المصنع القديم لزيادة جهاز الطاقة ، ويؤثر الزلزال على معتدل ناتج DRAM
- تتيح الرقائق الدقيقة القدرة الإنتاجية لـ TSMC ويزيد من زيادة الأسعار
- أطلقت Ruisa New RA0 Series Ultra -low Power Entry -lovel MCU