BLF6G10LS-200,112 متاح الآن!تقنية LYNTEAM هي موزع التخزين ل BLF6G10LS-200,112، لدينا مخزونات للشحن الفوري وتتوفر أيضا لتزويد وقت طويل.الرجاء ارسال لنا خطة الشراء الخاصة بك ل BLF6G10LS-200,112 عبر البريد الإلكتروني، وسنقدم لك أفضل سعر وفقا لخطتك.
شراء BLF6G10LS-200,112 مع LYNTEAM، وفر أموالك والوقت.
بريدنا الإلكتروني: [email protected]
BLF6G10LS-200,112
- رقم القطعة:
- BLF6G10LS-200,112
- وصف:
- FET RF 65V 871.5MHZ SOT502B
- حالة خالية من الرصاص:
- الرصاص الحرة / بنفايات المتوافقة
- كمية المخزون:
- 54902 Pieces
- موعد التسليم:
- 1-2 days
- المهلة:
- 4-8 weeks
- ورقة البيانات:
- BLF6G10LS-200,112.pdf
المقدمة
مواصفات
| شرط | New & Original, tested |
|---|---|
| بلد المنشأ | Contact us |
| بمناسبة التعليمات البرمجية | Send by email |
| الجهد - اختبار: | 28V |
| الجهد - تقييمه: | 65V |
| نوع الترانزستور: | LDMOS |
| تجار الأجهزة حزمة: | SOT502B |
| سلسلة: | - |
| مخرج قوي: | 40W |
| التعبئة والتغليف: | Tray |
| حزمة / كيس: | SOT-502B |
| اسماء اخرى: | 934060895112 BLF6G10LS-200 BLF6G10LS-200-ND |
| الضوضاء الشكل: | - |
| مستوى الحساسية للرطوبة (MSL): | 1 (Unlimited) |
| حالة خالية من الرصاص / حالة بنفايات: | Lead free / RoHS Compliant |
| ربح: | 20.2dB |
| تردد: | 871.5MHz |
| وصف تفصيلي: | RF Mosfet LDMOS 28V 1.4A 871.5MHz 20.2dB 40W SOT502B |
| التصويت الحالي: | 49A |
| الحالي - اختبار: | 1.4A |
| رقم جزء القاعدة: | BLF6G10 |
| Email: | [email protected] |
قطع الغيار ذات الصلة لBLF6G10LS-200,112
| صورة | رقم القطعة | مصنعين | وصف | رأي |
|---|---|---|---|---|
 |
BLF6G10LS-260PRN,1 | Ampleon | RF FET LDMOS 65V 22DB SOT539B | تحقيق |
 |
BLF6G10LS-135R,118 | Ampleon | RF FET LDMOS 65V 21DB SOT502B | تحقيق |
 |
BLF6G10L-40BRN,112 | Ampleon | RF FET LDMOS 65V 23DB SOT1112A | تحقيق |
|
BLF6G10LS-200R,118 | Ampleon | RF FET LDMOS 65V SOT502B | تحقيق |
|
BLF6G10LS-160RN,11 | Ampleon | RF FET LDMOS 65V 22.5DB SOT502B | تحقيق |
 |
BLF6G10LS-200,118 | NXP Semiconductors / Freescale | FET RF 65V 871.5MHZ SOT502B | تحقيق |
|
BLF6G10LS-135RN,11 | Ampleon | RF FET LDMOS 65V 21DB SOT502B | تحقيق |
 |
BLF6G10S-45K,118 | Ampleon | RF FET LDMOS 65V 23DB SOT608B | تحقيق |
 |
BLF6G10L-40BRN,118 | Ampleon | RF FET LDMOS 65V 23DB SOT1112A | تحقيق |
|
BLF6G10LS-260PRN:1 | Ampleon | RF FET LDMOS 65V 22DB SOT539B | تحقيق |
|
BLF6G10LS-160RN:11 | Ampleon | RF FET LDMOS 65V 22.5DB SOT502B | تحقيق |
 |
BLF6G10S-45,112 | Ampleon | RF FET LDMOS 65V 23DB SOT608B | تحقيق |
|
BLF6G10LS-160,112 | Ampleon | RF FET LDMOS SOT502B | تحقيق |
|
BLF6G10LS-160,118 | Ampleon | RF FET LDMOS SOT502B | تحقيق |
|
BLF6G10LS-200RN:11 | Ampleon | RF FET LDMOS 65V 20DB SOT502B | تحقيق |
|
BLF6G10LS-135RN:11 | Ampleon | RF FET LDMOS 65V 21DB SOT502B | تحقيق |
|
BLF6G10LS-135R,112 | Ampleon | RF FET LDMOS 65V 21DB SOT502B | تحقيق |
|
BLF6G10LS-200R,112 | Ampleon | RF FET LDMOS 65V SOT502B | تحقيق |
|
BLF6G10LS-200RN,11 | Ampleon | RF FET LDMOS 65V 20DB SOT502B | تحقيق |
|
BLF6G10S-45K,112 | Ampleon | RF FET LDMOS 65V 23DB SOT608B | تحقيق |
Latest الأخبار
- أعلن التقرير المالي لـ NXP و Ansonmei ، ويتم إرسال سعر أسعار النحاس إلى صناعة IC
- أنشأت Moels Micro Electronics مكاتب جديدة في تايوان ، الصين لتوسيع أراضي العمل
- لا يزال يتعين تعزيز أداء Texas Instruments ، ويدفع مصنعان التخزين منتجات ذاكرة فلاش جديدة
- يتناقص التقرير المالي للربع الأول من SEF Semiconductor (ST) ، وتباطأ الطلب على السيارات
- لا يزال يتعين تعزيز أداء Texas Instruments ، ويدفع مصنعان التخزين منتجات ذاكرة فلاش جديدة
- حجم الرقاقة الناضجة المحلية ، سعة إنتاج ذاكرة فلاش Samsung NAND بالقرب من الحمل
- تطلق فيشاي عبوات مائية عالية السطوع صغير الأزرق والأخضر النقي
- أطلقت Ansonmei مستشعر موقف استقرائي لسوق الصناعي والنقل
- يبدأ Ruisa المصنع القديم لزيادة جهاز الطاقة ، ويؤثر الزلزال على معتدل ناتج DRAM
- تتيح الرقائق الدقيقة القدرة الإنتاجية لـ TSMC ويزيد من زيادة الأسعار
- أطلقت Ruisa New RA0 Series Ultra -low Power Entry -lovel MCU
- يطلق Melexis رقاقة مفتاح محث كامل المتكامل