العربية
English Deutsch Français русский español Português Italia 한국의 العربية Türk dili polski Indonesia Tiếng Việt ภาษาไทย Nederland Pilipino Čeština 繁体中文 Magyarország Kongeriket Dansk Hrvatska Ελλάδα✕
معلومات عنا | اتصل بنا | اطلب اقتباس |
الصفحة الرئيسية > منتجات > منتجات أشباه الموصلات المنفصلة > الترانزستورات - فيتس، موسيتس - رف > BLA6H0912LS-1000U
BLA6H0912LS-1000U
BLA6H0912LS-1000U
رقم القطعة:
BLA6H0912LS-1000U
الصانع:
Ampleon
وصف:
RF FET LDMOS 100V 15.5DB SOT539B
حالة خالية من الرصاص:
الرصاص الحرة / بنفايات المتوافقة
كمية المخزون:
20164 Pieces
موعد التسليم:
1-2 days
المهلة:
4-8 weeks
ورقة البيانات:
BLA6H0912LS-1000U.pdf
تحقيق

المقدمة

BLA6H0912LS-1000U متاح الآن!تقنية LYNTEAM هي موزع التخزين ل BLA6H0912LS-1000U، لدينا مخزونات للشحن الفوري وتتوفر أيضا لتزويد وقت طويل.الرجاء ارسال لنا خطة الشراء الخاصة بك ل BLA6H0912LS-1000U عبر البريد الإلكتروني، وسنقدم لك أفضل سعر وفقا لخطتك.
شراء BLA6H0912LS-1000U مع LYNTEAM، وفر أموالك والوقت.
بريدنا الإلكتروني: [email protected]

مواصفات

شرط New & Original, tested
بلد المنشأ Contact us
بمناسبة التعليمات البرمجية Send by email
الجهد - اختبار:50V
الجهد - تقييمه:100V
نوع الترانزستور:LDMOS (Dual), Common Source
تجار الأجهزة حزمة:SOT539B
سلسلة:-
مخرج قوي:1000W
التعبئة والتغليف:Tube
حزمة / كيس:SOT539B
اسماء اخرى:1603-1010
934067404112
BLA6H0912LS-1000U-ND
الضوضاء الشكل:-
مستوى الحساسية للرطوبة (MSL):1 (Unlimited)
الصانع المهلة القياسية:13 Weeks
حالة خالية من الرصاص / حالة بنفايات:Lead free / RoHS Compliant
ربح:15.5dB
تردد:1.03GHz
وصف تفصيلي:RF Mosfet LDMOS (Dual), Common Source 50V 200mA 1.03GHz 15.5dB 1000W SOT539B
التصويت الحالي:-
الحالي - اختبار:200mA
Email:[email protected]

سريع طلب اقتباس

رقم القطعة
كمية
شركة
البريد الإلكتروني
هاتف
تعليقات

قطع الغيار ذات الصلة لBLA6H0912LS-1000U

صورة رقم القطعة مصنعين وصف رأي
BLA9G1011LS-300GU Image BLA9G1011LS-300GU Ampleon RF MOSFET LDMOS 32V SOT502E تحقيق
BLA8H0910L-500U Image BLA8H0910L-500U Ampleon RF MOSFET LDMOS 50V SOT502A تحقيق
BLA8G1011LS-300GU Image BLA8G1011LS-300GU Ampleon RF FET LDMOS 65V 16DB SOT502E تحقيق
BLA8H0910LS-500U Image BLA8H0910LS-500U Ampleon RF MOSFET LDMOS 50V SOT502B تحقيق
BLA31BD601SN4D Image BLA31BD601SN4D Murata Electronics FERRITE BEAD 600 OHM 1206 4LN تحقيق
BLA6H0912-500,112 Image BLA6H0912-500,112 Ampleon RF FET LDMOS 100V 17DB SOT634A تحقيق
BLA9G1011L-300GU Image BLA9G1011L-300GU Ampleon RF MOSFET LDMOS 32V SOT502F تحقيق
BLA6H1011-600,112 Image BLA6H1011-600,112 Ampleon RF FET LDMOS 100V 17DB SOT539A تحقيق
BLA31BD121SN4D Image BLA31BD121SN4D Murata Electronics FERRITE BEAD 120 OHM 1206 4LN تحقيق
BLA6G1011-200R,112 Image BLA6G1011-200R,112 Ampleon RF FET LDMOS 65V 20DB SOT502A تحقيق
BLA8G1011LS-300U Image BLA8G1011LS-300U Ampleon RF FET LDMOS 65V 16DB SOT502B تحقيق
BLA31BD221SN4D Image BLA31BD221SN4D Murata Electronics FERRITE BEAD 220 OHM 1206 4LN تحقيق
BLA9G1011L-300U Image BLA9G1011L-300U Ampleon RF MOSFET LDMOS 32V SOT502A تحقيق
BLA6H0912L-1000U Image BLA6H0912L-1000U Ampleon RF FET LDMOS 100V 15.5DB SOT539A تحقيق
BLA31BD102SN4D Image BLA31BD102SN4D Murata Electronics FERRITE BEAD 1 KOHM 1206 4LN تحقيق
BLA6G1011L-200RG,1 Image BLA6G1011L-200RG,1 Ampleon RF FET LDMOS 65V 20DB SOT502D تحقيق
BLA6G1011LS-200RG, Image BLA6G1011LS-200RG, Ampleon RF FET LDMOS 65V 20DB SOT502C تحقيق
BLA8G1011L-300GU Image BLA8G1011L-300GU Ampleon RF FET LDMOS 65V 16DB SOT502A تحقيق
BLA31BD471SN4D Image BLA31BD471SN4D Murata Electronics FERRITE BEAD 470 OHM 1206 4LN تحقيق
BLA8G1011L-300U Image BLA8G1011L-300U Ampleon RF FET LDMOS 65V 16DB SOT502A تحقيق

Latest الأخبار