BFR181WH6327XTSA1 متاح الآن!تقنية LYNTEAM هي موزع التخزين ل BFR181WH6327XTSA1، لدينا مخزونات للشحن الفوري وتتوفر أيضا لتزويد وقت طويل.الرجاء ارسال لنا خطة الشراء الخاصة بك ل BFR181WH6327XTSA1 عبر البريد الإلكتروني، وسنقدم لك أفضل سعر وفقا لخطتك.
شراء BFR181WH6327XTSA1 مع LYNTEAM، وفر أموالك والوقت.
بريدنا الإلكتروني: [email protected]
BFR181WH6327XTSA1
- رقم القطعة:
- BFR181WH6327XTSA1
- وصف:
- TRANS RF NPN 12V 20MA SOT323
- حالة خالية من الرصاص:
- الرصاص الحرة / بنفايات المتوافقة
- كمية المخزون:
- 34378 Pieces
- موعد التسليم:
- 1-2 days
- المهلة:
- 4-8 weeks
- ورقة البيانات:
- BFR181WH6327XTSA1.pdf
المقدمة
مواصفات
| شرط | New & Original, tested |
|---|---|
| بلد المنشأ | Contact us |
| بمناسبة التعليمات البرمجية | Send by email |
| الجهد - جامع باعث انهيار (ماكس): | 12V |
| نوع الترانزستور: | NPN |
| تجار الأجهزة حزمة: | PG-SOT323-3 |
| سلسلة: | - |
| السلطة - ماكس: | 175mW |
| التعبئة والتغليف: | Cut Tape (CT) |
| حزمة / كيس: | SC-70, SOT-323 |
| اسماء اخرى: | BFR 181W H6327CT BFR 181W H6327CT-ND BFR181WH6327XTSA1CT |
| درجة حرارة التشغيل: | 150°C (TJ) |
| الضوضاء الشكل (ديسيبل الطباع @ و): | 0.9dB ~ 1.2dB @ 900MHz ~ 1.8GHz |
| تصاعد نوع: | Surface Mount |
| مستوى الحساسية للرطوبة (MSL): | 1 (Unlimited) |
| الصانع المهلة القياسية: | 12 Weeks |
| حالة خالية من الرصاص / حالة بنفايات: | Lead free / RoHS Compliant |
| ربح: | 19dB |
| تردد - تحول: | 8GHz |
| وصف تفصيلي: | RF Transistor NPN 12V 20mA 8GHz 175mW Surface Mount PG-SOT323-3 |
| العاصمة الربح الحالي (HFE) (مين) @ جيم، VCE: | 70 @ 5mA, 8V |
| الحالي - جامع (IC) (ماكس): | 20mA |
| رقم جزء القاعدة: | BFR181 |
| Email: | [email protected] |
قطع الغيار ذات الصلة لBFR181WH6327XTSA1
Latest الأخبار
- أطلقت Qorvo التمهيدية الراقية ذات 5G Mmimo الرائعة في هذا المجال
- جرد دورة المحاكاة في القاع
- خطة Micron لبناء مصنع ، ذاكرة فلاش NAND بأسعار أو صيانة مرتفعة
- يتم تقليل أداء ADI ، وقد ارتفعت ركائز رقائق النحاس ، وتخزين المصنع الأصلي زيادة الإنتاج المحافظ
- موجة الذكاء في السيارة قادمة ، وساعد Aimus Oslang ساجيتا Juguang في إطلاق MX Lidar
- يتم استبعاد طاقة إنتاج HBM ، وقد تكون ذاكرة DRAM مختصرة في النصف الثاني من العام
- سينتهي مؤسسو الجدران أو HBM أو يتسبب في ارتفاع DRAM مرة أخرى
- الطلب على الهاتف المحمول وتوسيع أجهزة الكمبيوتر الشخصية ، تحسين صناعة تصنيع أشباه الموصلات العالمية
- فهم احتياجات أنظمة مراقبة ADAS وأنظمة المقصورة لأجهزة استشعار صور أمان الشبكة
- يشاع أن Samsung و SK Hynix أوقفوا DDR3 ، وارتفع اقتباس الترويج بنسبة 20 ٪
- أصدرت Melexis MLX90427: التحكم في الخط في الاختيار الجديد ، آمن وفعال واقتصادي
- أعلن التقرير المالي لـ NXP و Ansonmei ، ويتم إرسال سعر أسعار النحاس إلى صناعة IC