BF998,215 متاح الآن!تقنية LYNTEAM هي موزع التخزين ل BF998,215، لدينا مخزونات للشحن الفوري وتتوفر أيضا لتزويد وقت طويل.الرجاء ارسال لنا خطة الشراء الخاصة بك ل BF998,215 عبر البريد الإلكتروني، وسنقدم لك أفضل سعر وفقا لخطتك.
شراء BF998,215 مع LYNTEAM، وفر أموالك والوقت.
بريدنا الإلكتروني: [email protected]
BF998,215
- رقم القطعة:
- BF998,215
- وصف:
- MOSFET NCH DUAL GATE 12V SOT143B
- حالة خالية من الرصاص:
- الرصاص الحرة / بنفايات المتوافقة
- كمية المخزون:
- 23462 Pieces
- موعد التسليم:
- 1-2 days
- المهلة:
- 4-8 weeks
- ورقة البيانات:
- BF998,215.pdf
المقدمة
مواصفات
| شرط | New & Original, tested |
|---|---|
| بلد المنشأ | Contact us |
| بمناسبة التعليمات البرمجية | Send by email |
| الجهد - اختبار: | 8V |
| الجهد - تقييمه: | 12V |
| نوع الترانزستور: | N-Channel Dual Gate |
| تجار الأجهزة حزمة: | SOT-143B |
| سلسلة: | - |
| مخرج قوي: | - |
| التعبئة والتغليف: | Cut Tape (CT) |
| حزمة / كيس: | TO-253-4, TO-253AA |
| اسماء اخرى: | 568-1973-1 |
| الضوضاء الشكل: | 0.6dB |
| مستوى الحساسية للرطوبة (MSL): | 1 (Unlimited) |
| حالة خالية من الرصاص / حالة بنفايات: | Lead free / RoHS Compliant |
| ربح: | - |
| تردد: | 200MHz |
| وصف تفصيلي: | RF Mosfet N-Channel Dual Gate 8V 10mA 200MHz SOT-143B |
| التصويت الحالي: | 30mA |
| الحالي - اختبار: | 10mA |
| رقم جزء القاعدة: | BF998 |
| Email: | [email protected] |
قطع الغيار ذات الصلة لBF998,215
Latest الأخبار
- سينتهي مؤسسو الجدران أو HBM أو يتسبب في ارتفاع DRAM مرة أخرى
- الطلب على الهاتف المحمول وتوسيع أجهزة الكمبيوتر الشخصية ، تحسين صناعة تصنيع أشباه الموصلات العالمية
- فهم احتياجات أنظمة مراقبة ADAS وأنظمة المقصورة لأجهزة استشعار صور أمان الشبكة
- يشاع أن Samsung و SK Hynix أوقفوا DDR3 ، وارتفع اقتباس الترويج بنسبة 20 ٪
- أصدرت Melexis MLX90427: التحكم في الخط في الاختيار الجديد ، آمن وفعال واقتصادي
- أعلن التقرير المالي لـ NXP و Ansonmei ، ويتم إرسال سعر أسعار النحاس إلى صناعة IC
- أنشأت Moels Micro Electronics مكاتب جديدة في تايوان ، الصين لتوسيع أراضي العمل
- لا يزال يتعين تعزيز أداء Texas Instruments ، ويدفع مصنعان التخزين منتجات ذاكرة فلاش جديدة
- يتناقص التقرير المالي للربع الأول من SEF Semiconductor (ST) ، وتباطأ الطلب على السيارات
- لا يزال يتعين تعزيز أداء Texas Instruments ، ويدفع مصنعان التخزين منتجات ذاكرة فلاش جديدة
- حجم الرقاقة الناضجة المحلية ، سعة إنتاج ذاكرة فلاش Samsung NAND بالقرب من الحمل
- تطلق فيشاي عبوات مائية عالية السطوع صغير الأزرق والأخضر النقي