BDS2A60030RJ متاح الآن!تقنية LYNTEAM هي موزع التخزين ل BDS2A60030RJ، لدينا مخزونات للشحن الفوري وتتوفر أيضا لتزويد وقت طويل.الرجاء ارسال لنا خطة الشراء الخاصة بك ل BDS2A60030RJ عبر البريد الإلكتروني، وسنقدم لك أفضل سعر وفقا لخطتك.
شراء BDS2A60030RJ مع LYNTEAM، وفر أموالك والوقت.
بريدنا الإلكتروني: [email protected]
BDS2A60030RJ
- رقم القطعة:
- BDS2A60030RJ
- وصف:
- RES CHAS MNT 30 OHM 5% 600W
- حالة خالية من الرصاص:
- الرصاص الحرة / بنفايات المتوافقة
- كمية المخزون:
- 24743 Pieces
- موعد التسليم:
- 1-2 days
- المهلة:
- 4-8 weeks
- ورقة البيانات:
- BDS2A60030RJ.pdf
المقدمة
مواصفات
| شرط | New & Original, tested |
|---|---|
| بلد المنشأ | Contact us |
| بمناسبة التعليمات البرمجية | Send by email |
| تسامح: | ±5% |
| معامل درجة الحرارة: | ±150ppm/°C |
| حجم / البعد: | 2.559" L x 2.362" W (65.00mm x 60.00mm) |
| سلسلة: | BDS, CGS |
| وضع لوحة: | 30 Ohms |
| السلطة (واتس): | 600W |
| التعبئة والتغليف: | Tray |
| حزمة / كيس: | Box |
| اسماء اخرى: | 3-1623817-4 |
| درجة حرارة التشغيل: | -55°C ~ 140°C |
| تصاعد ميزة: | Flanges |
| مستوى الحساسية للرطوبة (MSL): | 1 (Unlimited) |
| الصانع المهلة القياسية: | 15 Weeks |
| قيادي نمط: | M4 Threaded |
| حالة خالية من الرصاص / حالة بنفايات: | Lead free / RoHS Compliant |
| ارتفاع - جلوسا (ماكس): | 1.417" (36.00mm) |
| الميزات: | RF, High Frequency |
| معدل الفشل: | - |
| وصف تفصيلي: | 30 Ohms ±5% 600W Thick Film Chassis Mount Resistor |
| تركيب: | Thick Film |
| طلاء، نوع السكن: | Epoxy Coated |
| Email: | [email protected] |
قطع الغيار ذات الصلة لBDS2A60030RJ
Latest الأخبار
- يشاع أن Samsung و SK Hynix أوقفوا DDR3 ، وارتفع اقتباس الترويج بنسبة 20 ٪
- أصدرت Melexis MLX90427: التحكم في الخط في الاختيار الجديد ، آمن وفعال واقتصادي
- أعلن التقرير المالي لـ NXP و Ansonmei ، ويتم إرسال سعر أسعار النحاس إلى صناعة IC
- أنشأت Moels Micro Electronics مكاتب جديدة في تايوان ، الصين لتوسيع أراضي العمل
- لا يزال يتعين تعزيز أداء Texas Instruments ، ويدفع مصنعان التخزين منتجات ذاكرة فلاش جديدة
- يتناقص التقرير المالي للربع الأول من SEF Semiconductor (ST) ، وتباطأ الطلب على السيارات
- لا يزال يتعين تعزيز أداء Texas Instruments ، ويدفع مصنعان التخزين منتجات ذاكرة فلاش جديدة
- حجم الرقاقة الناضجة المحلية ، سعة إنتاج ذاكرة فلاش Samsung NAND بالقرب من الحمل
- تطلق فيشاي عبوات مائية عالية السطوع صغير الأزرق والأخضر النقي
- أطلقت Ansonmei مستشعر موقف استقرائي لسوق الصناعي والنقل
- يبدأ Ruisa المصنع القديم لزيادة جهاز الطاقة ، ويؤثر الزلزال على معتدل ناتج DRAM
- تتيح الرقائق الدقيقة القدرة الإنتاجية لـ TSMC ويزيد من زيادة الأسعار