BDJ2FC0WEFJ-E2 متاح الآن!تقنية LYNTEAM هي موزع التخزين ل BDJ2FC0WEFJ-E2، لدينا مخزونات للشحن الفوري وتتوفر أيضا لتزويد وقت طويل.الرجاء ارسال لنا خطة الشراء الخاصة بك ل BDJ2FC0WEFJ-E2 عبر البريد الإلكتروني، وسنقدم لك أفضل سعر وفقا لخطتك.
شراء BDJ2FC0WEFJ-E2 مع LYNTEAM، وفر أموالك والوقت.
بريدنا الإلكتروني: [email protected]
BDJ2FC0WEFJ-E2
- رقم القطعة:
- BDJ2FC0WEFJ-E2
- الصانع:
- LAPIS Semiconductor
- وصف:
- IC REG LINEAR 12V 1A 8HTSOP-J
- حالة خالية من الرصاص:
- الرصاص الحرة / بنفايات المتوافقة
- كمية المخزون:
- 25097 Pieces
- موعد التسليم:
- 1-2 days
- المهلة:
- 4-8 weeks
- ورقة البيانات:
- 1.BDJ2FC0WEFJ-E2.pdf2.BDJ2FC0WEFJ-E2.pdf
المقدمة
مواصفات
| شرط | New & Original, tested |
|---|---|
| بلد المنشأ | Contact us |
| بمناسبة التعليمات البرمجية | Send by email |
| تسرب الجهد (ماكس): | 0.5V @ 500mA |
| الجهد - الإخراج (دقيقة / ثابتة): | 12V |
| الجهد - الإخراج (ماكس): | - |
| الجهد - الإدخال (ماكس): | 26.5V |
| تجار الأجهزة حزمة: | 8-HTSOP-J |
| سلسلة: | - |
| ميزات الحماية: | Over Current, Over Temperature |
| التعبئة والتغليف: | Cut Tape (CT) |
| حزمة / كيس: | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Exposed Pad |
| PSRR: | - |
| نوع المخرجات: | Fixed |
| تكوين الناتج: | Positive |
| اسماء اخرى: | BDJ2FC0WEFJ-E2CT |
| درجة حرارة التشغيل: | -25°C ~ 85°C |
| عدد من المنظمين: | 1 |
| تصاعد نوع: | Surface Mount |
| مستوى الحساسية للرطوبة (MSL): | 1 (Unlimited) |
| الصانع المهلة القياسية: | 10 Weeks |
| حالة خالية من الرصاص / حالة بنفايات: | Lead free / RoHS Compliant |
| وصف تفصيلي: | Linear Voltage Regulator IC 1 Output 1A 8-HTSOP-J |
| الحالي - توريد (ماكس): | 2.5mA |
| الحالي - الناتج: | 1A |
| ميزات التحكم: | Enable |
| Email: | [email protected] |
قطع الغيار ذات الصلة لBDJ2FC0WEFJ-E2
Latest الأخبار
- ظهرت ARM في Computex 2024: من المتوقع أن يتم استخدام أكثر من 100 مليار جهاز للذراع لمنظمة العفو الدولية بحلول نهاية عام 2025
- أطلقت Qorvo التمهيدية الراقية ذات 5G Mmimo الرائعة في هذا المجال
- جرد دورة المحاكاة في القاع
- خطة Micron لبناء مصنع ، ذاكرة فلاش NAND بأسعار أو صيانة مرتفعة
- يتم تقليل أداء ADI ، وقد ارتفعت ركائز رقائق النحاس ، وتخزين المصنع الأصلي زيادة الإنتاج المحافظ
- موجة الذكاء في السيارة قادمة ، وساعد Aimus Oslang ساجيتا Juguang في إطلاق MX Lidar
- يتم استبعاد طاقة إنتاج HBM ، وقد تكون ذاكرة DRAM مختصرة في النصف الثاني من العام
- سينتهي مؤسسو الجدران أو HBM أو يتسبب في ارتفاع DRAM مرة أخرى
- الطلب على الهاتف المحمول وتوسيع أجهزة الكمبيوتر الشخصية ، تحسين صناعة تصنيع أشباه الموصلات العالمية
- فهم احتياجات أنظمة مراقبة ADAS وأنظمة المقصورة لأجهزة استشعار صور أمان الشبكة
- يشاع أن Samsung و SK Hynix أوقفوا DDR3 ، وارتفع اقتباس الترويج بنسبة 20 ٪
- أصدرت Melexis MLX90427: التحكم في الخط في الاختيار الجديد ، آمن وفعال واقتصادي