BD8316GWL-E2 متاح الآن!تقنية LYNTEAM هي موزع التخزين ل BD8316GWL-E2، لدينا مخزونات للشحن الفوري وتتوفر أيضا لتزويد وقت طويل.الرجاء ارسال لنا خطة الشراء الخاصة بك ل BD8316GWL-E2 عبر البريد الإلكتروني، وسنقدم لك أفضل سعر وفقا لخطتك.
شراء BD8316GWL-E2 مع LYNTEAM، وفر أموالك والوقت.
بريدنا الإلكتروني: [email protected]
BD8316GWL-E2
- رقم القطعة:
- BD8316GWL-E2
- الصانع:
- LAPIS Semiconductor
- وصف:
- IC REG BUCK BST INV ADJ 11WLCSP
- حالة خالية من الرصاص:
- الرصاص الحرة / بنفايات المتوافقة
- كمية المخزون:
- 27356 Pieces
- موعد التسليم:
- 1-2 days
- المهلة:
- 4-8 weeks
- ورقة البيانات:
- 1.BD8316GWL-E2.pdf2.BD8316GWL-E2.pdf
المقدمة
مواصفات
| شرط | New & Original, tested |
|---|---|
| بلد المنشأ | Contact us |
| بمناسبة التعليمات البرمجية | Send by email |
| الجهد - الإخراج (دقيقة / ثابتة): | 5.5V, -1V |
| الجهد - الإخراج (ماكس): | 18V, -9V |
| الجهد - الإدخال (مين): | 2.5V |
| الجهد - الإدخال (ماكس): | 5.5V |
| البنية: | Boost, Buck-Boost |
| متزامن المعدل: | No |
| تجار الأجهزة حزمة: | UCSP50L1 |
| سلسلة: | - |
| التعبئة والتغليف: | Tape & Reel (TR) |
| حزمة / كيس: | 11-UFBGA, WLCSP |
| نوع المخرجات: | Adjustable |
| تكوين الناتج: | Positive and Negative (Dual Rail) |
| اسماء اخرى: | BD8316GWL-BFE2 BD8316GWL-E2TR |
| درجة حرارة التشغيل: | -35°C ~ 85°C (TA) |
| عدد من المخرجات: | 2 |
| تصاعد نوع: | Surface Mount |
| مستوى الحساسية للرطوبة (MSL): | 1 (Unlimited) |
| الصانع المهلة القياسية: | 12 Weeks |
| حالة خالية من الرصاص / حالة بنفايات: | Lead free / RoHS Compliant |
| وظيفة: | Step-Up, Step-Up/Step-Down |
| تردد - التبديل: | 1.6MHz |
| وصف تفصيلي: | Boost, Buck-Boost Switching Regulator IC Positive and Negative (Dual Rail) Adjustable 5.5V, -1V 2 Output 1A (Switch) 11-UFBGA, WLCSP |
| الحالي - الناتج: | 1A (Switch) |
| Email: | [email protected] |
قطع الغيار ذات الصلة لBD8316GWL-E2
Latest الأخبار
- ظهرت ARM في Computex 2024: من المتوقع أن يتم استخدام أكثر من 100 مليار جهاز للذراع لمنظمة العفو الدولية بحلول نهاية عام 2025
- أطلقت Qorvo التمهيدية الراقية ذات 5G Mmimo الرائعة في هذا المجال
- جرد دورة المحاكاة في القاع
- خطة Micron لبناء مصنع ، ذاكرة فلاش NAND بأسعار أو صيانة مرتفعة
- يتم تقليل أداء ADI ، وقد ارتفعت ركائز رقائق النحاس ، وتخزين المصنع الأصلي زيادة الإنتاج المحافظ
- موجة الذكاء في السيارة قادمة ، وساعد Aimus Oslang ساجيتا Juguang في إطلاق MX Lidar
- يتم استبعاد طاقة إنتاج HBM ، وقد تكون ذاكرة DRAM مختصرة في النصف الثاني من العام
- سينتهي مؤسسو الجدران أو HBM أو يتسبب في ارتفاع DRAM مرة أخرى
- الطلب على الهاتف المحمول وتوسيع أجهزة الكمبيوتر الشخصية ، تحسين صناعة تصنيع أشباه الموصلات العالمية
- فهم احتياجات أنظمة مراقبة ADAS وأنظمة المقصورة لأجهزة استشعار صور أمان الشبكة
- يشاع أن Samsung و SK Hynix أوقفوا DDR3 ، وارتفع اقتباس الترويج بنسبة 20 ٪
- أصدرت Melexis MLX90427: التحكم في الخط في الاختيار الجديد ، آمن وفعال واقتصادي