BD82007FVJ-MGE2 متاح الآن!تقنية LYNTEAM هي موزع التخزين ل BD82007FVJ-MGE2، لدينا مخزونات للشحن الفوري وتتوفر أيضا لتزويد وقت طويل.الرجاء ارسال لنا خطة الشراء الخاصة بك ل BD82007FVJ-MGE2 عبر البريد الإلكتروني، وسنقدم لك أفضل سعر وفقا لخطتك.
شراء BD82007FVJ-MGE2 مع LYNTEAM، وفر أموالك والوقت.
بريدنا الإلكتروني: [email protected]
BD82007FVJ-MGE2
- رقم القطعة:
- BD82007FVJ-MGE2
- الصانع:
- LAPIS Semiconductor
- وصف:
- 2.4A CURRENT LIMIT HIGH SIDE SWI
- حالة خالية من الرصاص:
- الرصاص الحرة / بنفايات المتوافقة
- كمية المخزون:
- 29613 Pieces
- موعد التسليم:
- 1-2 days
- المهلة:
- 4-8 weeks
- ورقة البيانات:
- 1.BD82007FVJ-MGE2.pdf2.BD82007FVJ-MGE2.pdf
المقدمة
مواصفات
| شرط | New & Original, tested |
|---|---|
| بلد المنشأ | Contact us |
| بمناسبة التعليمات البرمجية | Send by email |
| الجهد - توريد (VCC / VDD): | Not Required |
| الجهد - تحميل: | 2.7 V ~ 5.5 V |
| تبديل نوع: | USB Switch |
| تجار الأجهزة حزمة: | 8-TSSOP-BJ |
| سلسلة: | Automotive, AEC-Q100 |
| رديز أون (تيب): | 70 mOhm |
| نسبة - الإدخال: إخراج: | 1:1 |
| التعبئة والتغليف: | Tape & Reel (TR) |
| حزمة / كيس: | 8-TSSOP, 8-MSOP (0.118", 3.00mm Width) |
| نوع المخرجات: | N-Channel |
| تكوين الناتج: | High Side |
| اسماء اخرى: | BD82007FVJ-MGE2TR |
| درجة حرارة التشغيل: | -40°C ~ 85°C (TA) |
| عدد من المخرجات: | 1 |
| مستوى الحساسية للرطوبة (MSL): | 1 (Unlimited) |
| الصانع المهلة القياسية: | 8 Weeks |
| حالة خالية من الرصاص / حالة بنفايات: | Lead free / RoHS Compliant |
| السطح البيني: | On/Off |
| نوع المدخلات: | Non-Inverting |
| الميزات: | - |
| حماية الأخطاء: | Current Limiting (Fixed), Over Temperature, UVLO |
| الحالي - الناتج (ماكس): | 3A |
| Email: | [email protected] |
قطع الغيار ذات الصلة لBD82007FVJ-MGE2
Latest الأخبار
- يتم استبعاد طاقة إنتاج HBM ، وقد تكون ذاكرة DRAM مختصرة في النصف الثاني من العام
- سينتهي مؤسسو الجدران أو HBM أو يتسبب في ارتفاع DRAM مرة أخرى
- الطلب على الهاتف المحمول وتوسيع أجهزة الكمبيوتر الشخصية ، تحسين صناعة تصنيع أشباه الموصلات العالمية
- فهم احتياجات أنظمة مراقبة ADAS وأنظمة المقصورة لأجهزة استشعار صور أمان الشبكة
- يشاع أن Samsung و SK Hynix أوقفوا DDR3 ، وارتفع اقتباس الترويج بنسبة 20 ٪
- أصدرت Melexis MLX90427: التحكم في الخط في الاختيار الجديد ، آمن وفعال واقتصادي
- أعلن التقرير المالي لـ NXP و Ansonmei ، ويتم إرسال سعر أسعار النحاس إلى صناعة IC
- أنشأت Moels Micro Electronics مكاتب جديدة في تايوان ، الصين لتوسيع أراضي العمل
- لا يزال يتعين تعزيز أداء Texas Instruments ، ويدفع مصنعان التخزين منتجات ذاكرة فلاش جديدة
- يتناقص التقرير المالي للربع الأول من SEF Semiconductor (ST) ، وتباطأ الطلب على السيارات
- لا يزال يتعين تعزيز أداء Texas Instruments ، ويدفع مصنعان التخزين منتجات ذاكرة فلاش جديدة
- حجم الرقاقة الناضجة المحلية ، سعة إنتاج ذاكرة فلاش Samsung NAND بالقرب من الحمل