BD675G متاح الآن!تقنية LYNTEAM هي موزع التخزين ل BD675G، لدينا مخزونات للشحن الفوري وتتوفر أيضا لتزويد وقت طويل.الرجاء ارسال لنا خطة الشراء الخاصة بك ل BD675G عبر البريد الإلكتروني، وسنقدم لك أفضل سعر وفقا لخطتك.
شراء BD675G مع LYNTEAM، وفر أموالك والوقت.
بريدنا الإلكتروني: [email protected]
BD675G
- رقم القطعة:
- BD675G
- وصف:
- TRANS NPN DARL 45V 4A TO225
- حالة خالية من الرصاص:
- الرصاص الحرة / بنفايات المتوافقة
- كمية المخزون:
- 40179 Pieces
- موعد التسليم:
- 1-2 days
- المهلة:
- 4-8 weeks
- ورقة البيانات:
- BD675G.pdf
المقدمة
مواصفات
| شرط | New & Original, tested |
|---|---|
| بلد المنشأ | Contact us |
| بمناسبة التعليمات البرمجية | Send by email |
| الجهد - جامع باعث انهيار (ماكس): | 45V |
| اصلاحات تشبع (ماكس) @ باء، جيم: | 2.5V @ 30mA, 1.5A |
| نوع الترانزستور: | NPN - Darlington |
| تجار الأجهزة حزمة: | TO-225AA |
| سلسلة: | - |
| السلطة - ماكس: | 40W |
| التعبئة والتغليف: | Bulk |
| حزمة / كيس: | TO-225AA, TO-126-3 |
| اسماء اخرى: | BD675G-ND BD675GOS |
| درجة حرارة التشغيل: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| تصاعد نوع: | Through Hole |
| مستوى الحساسية للرطوبة (MSL): | 1 (Unlimited) |
| الصانع المهلة القياسية: | 24 Weeks |
| حالة خالية من الرصاص / حالة بنفايات: | Lead free / RoHS Compliant |
| تردد - تحول: | - |
| وصف تفصيلي: | Bipolar (BJT) Transistor NPN - Darlington 45V 4A 40W Through Hole TO-225AA |
| العاصمة الربح الحالي (HFE) (مين) @ جيم، VCE: | 750 @ 1.5A, 3V |
| الحالي - جامع القطع (ماكس): | 500µA |
| الحالي - جامع (IC) (ماكس): | 4A |
| رقم جزء القاعدة: | BD675 |
| Email: | [email protected] |
قطع الغيار ذات الصلة لBD675G
Latest الأخبار
- أصدرت Melexis MLX90427: التحكم في الخط في الاختيار الجديد ، آمن وفعال واقتصادي
- أعلن التقرير المالي لـ NXP و Ansonmei ، ويتم إرسال سعر أسعار النحاس إلى صناعة IC
- أنشأت Moels Micro Electronics مكاتب جديدة في تايوان ، الصين لتوسيع أراضي العمل
- لا يزال يتعين تعزيز أداء Texas Instruments ، ويدفع مصنعان التخزين منتجات ذاكرة فلاش جديدة
- يتناقص التقرير المالي للربع الأول من SEF Semiconductor (ST) ، وتباطأ الطلب على السيارات
- لا يزال يتعين تعزيز أداء Texas Instruments ، ويدفع مصنعان التخزين منتجات ذاكرة فلاش جديدة
- حجم الرقاقة الناضجة المحلية ، سعة إنتاج ذاكرة فلاش Samsung NAND بالقرب من الحمل
- تطلق فيشاي عبوات مائية عالية السطوع صغير الأزرق والأخضر النقي
- أطلقت Ansonmei مستشعر موقف استقرائي لسوق الصناعي والنقل
- يبدأ Ruisa المصنع القديم لزيادة جهاز الطاقة ، ويؤثر الزلزال على معتدل ناتج DRAM
- تتيح الرقائق الدقيقة القدرة الإنتاجية لـ TSMC ويزيد من زيادة الأسعار
- أطلقت Ruisa New RA0 Series Ultra -low Power Entry -lovel MCU