BCR108WE6327BTSA1 متاح الآن!تقنية LYNTEAM هي موزع التخزين ل BCR108WE6327BTSA1، لدينا مخزونات للشحن الفوري وتتوفر أيضا لتزويد وقت طويل.الرجاء ارسال لنا خطة الشراء الخاصة بك ل BCR108WE6327BTSA1 عبر البريد الإلكتروني، وسنقدم لك أفضل سعر وفقا لخطتك.
شراء BCR108WE6327BTSA1 مع LYNTEAM، وفر أموالك والوقت.
بريدنا الإلكتروني: [email protected]
BCR108WE6327BTSA1
- رقم القطعة:
- BCR108WE6327BTSA1
- وصف:
- TRANS PREBIAS NPN 250MW SOT323-3
- حالة خالية من الرصاص:
- الرصاص الحرة / بنفايات المتوافقة
- كمية المخزون:
- 22663 Pieces
- موعد التسليم:
- 1-2 days
- المهلة:
- 4-8 weeks
- ورقة البيانات:
- BCR108WE6327BTSA1.pdf
المقدمة
مواصفات
| شرط | New & Original, tested |
|---|---|
| بلد المنشأ | Contact us |
| بمناسبة التعليمات البرمجية | Send by email |
| الجهد - جامع باعث انهيار (ماكس): | 50V |
| اصلاحات تشبع (ماكس) @ باء، جيم: | 300mV @ 500µA, 10mA |
| نوع الترانزستور: | NPN - Pre-Biased |
| تجار الأجهزة حزمة: | PG-SOT323-3 |
| سلسلة: | - |
| المقاوم - قاعدة باعث (R2): | 47 kOhms |
| المقاوم - قاعدة (R1): | 2.2 kOhms |
| السلطة - ماكس: | 250mW |
| التعبئة والتغليف: | Tape & Reel (TR) |
| حزمة / كيس: | SC-70, SOT-323 |
| اسماء اخرى: | BCR 108W E6327 BCR 108W E6327-ND BCR108WE6327BTSA1TR BCR108WE6327XT BCR169WE6327XT SP000010746 |
| تصاعد نوع: | Surface Mount |
| مستوى الحساسية للرطوبة (MSL): | 1 (Unlimited) |
| حالة خالية من الرصاص / حالة بنفايات: | Lead free / RoHS Compliant |
| تردد - تحول: | 170MHz |
| وصف تفصيلي: | Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased 50V 100mA 170MHz 250mW Surface Mount PG-SOT323-3 |
| العاصمة الربح الحالي (HFE) (مين) @ جيم، VCE: | 70 @ 5mA, 5V |
| الحالي - جامع القطع (ماكس): | 100nA (ICBO) |
| الحالي - جامع (IC) (ماكس): | 100mA |
| رقم جزء القاعدة: | BCR108 |
| Email: | [email protected] |
قطع الغيار ذات الصلة لBCR108WE6327BTSA1
Latest الأخبار
- يتم تقليل أداء ADI ، وقد ارتفعت ركائز رقائق النحاس ، وتخزين المصنع الأصلي زيادة الإنتاج المحافظ
- موجة الذكاء في السيارة قادمة ، وساعد Aimus Oslang ساجيتا Juguang في إطلاق MX Lidar
- يتم استبعاد طاقة إنتاج HBM ، وقد تكون ذاكرة DRAM مختصرة في النصف الثاني من العام
- سينتهي مؤسسو الجدران أو HBM أو يتسبب في ارتفاع DRAM مرة أخرى
- الطلب على الهاتف المحمول وتوسيع أجهزة الكمبيوتر الشخصية ، تحسين صناعة تصنيع أشباه الموصلات العالمية
- فهم احتياجات أنظمة مراقبة ADAS وأنظمة المقصورة لأجهزة استشعار صور أمان الشبكة
- يشاع أن Samsung و SK Hynix أوقفوا DDR3 ، وارتفع اقتباس الترويج بنسبة 20 ٪
- أصدرت Melexis MLX90427: التحكم في الخط في الاختيار الجديد ، آمن وفعال واقتصادي
- أعلن التقرير المالي لـ NXP و Ansonmei ، ويتم إرسال سعر أسعار النحاس إلى صناعة IC
- أنشأت Moels Micro Electronics مكاتب جديدة في تايوان ، الصين لتوسيع أراضي العمل
- لا يزال يتعين تعزيز أداء Texas Instruments ، ويدفع مصنعان التخزين منتجات ذاكرة فلاش جديدة
- يتناقص التقرير المالي للربع الأول من SEF Semiconductor (ST) ، وتباطأ الطلب على السيارات