BCM6123TD1E13A3T00 متاح الآن!تقنية LYNTEAM هي موزع التخزين ل BCM6123TD1E13A3T00، لدينا مخزونات للشحن الفوري وتتوفر أيضا لتزويد وقت طويل.الرجاء ارسال لنا خطة الشراء الخاصة بك ل BCM6123TD1E13A3T00 عبر البريد الإلكتروني، وسنقدم لك أفضل سعر وفقا لخطتك.
شراء BCM6123TD1E13A3T00 مع LYNTEAM، وفر أموالك والوقت.
بريدنا الإلكتروني: [email protected]
BCM6123TD1E13A3T00
- رقم القطعة:
- BCM6123TD1E13A3T00
- الصانع:
- Vicor
- وصف:
- DC DC CONVERTER 12V 1600W
- حالة خالية من الرصاص:
- الرصاص الحرة / بنفايات المتوافقة
- كمية المخزون:
- 45624 Pieces
- موعد التسليم:
- 1-2 days
- المهلة:
- 4-8 weeks
- ورقة البيانات:
- BCM6123TD1E13A3T00.pdf
المقدمة
مواصفات
| شرط | New & Original, tested |
|---|---|
| بلد المنشأ | Contact us |
| بمناسبة التعليمات البرمجية | Send by email |
| الجهد - الناتج 4: | - |
| الجهد - المخرج 3: | - |
| الجهد - الناتج 2: | - |
| الجهد - الناتج 1: | 12V |
| الجهد - العزلة: | 4.242kV |
| الجهد - الإدخال (مين): | 260V |
| الجهد - الإدخال (ماكس): | 410V |
| اكتب: | Bus Converter Module |
| تجار الأجهزة حزمة: | - |
| حجم / البعد: | 2.40" L x 0.99" W x 0.28" H (61.0mm x 25.1mm x 7.2mm) |
| سلسلة: | VI Chip® BCM® |
| السلطة (واتس): | 1600W |
| حزمة / كيس: | 24-DIP Module |
| اسماء اخرى: | 1102-5692 |
| درجة حرارة التشغيل: | -40°C ~ 125°C |
| عدد من المخرجات: | 1 |
| تصاعد نوع: | Through Hole |
| مستوى الحساسية للرطوبة (MSL): | 1 (Unlimited) |
| الصانع المهلة القياسية: | 16 Weeks |
| حالة خالية من الرصاص / حالة بنفايات: | Lead free / RoHS Compliant |
| الميزات: | OCP, OTP, OVP, SCP, UVLO |
| كفاءة: | 97.4% |
| وصف تفصيلي: | Bus Converter Module DC DC Converter 1 Output 12V 125A 260V - 410V Input |
| الحالي - الناتج (ماكس): | 125A |
| التطبيقات: | ITE (Commercial) |
| Email: | [email protected] |
قطع الغيار ذات الصلة لBCM6123TD1E13A3T00
Latest الأخبار
- خطة Micron لبناء مصنع ، ذاكرة فلاش NAND بأسعار أو صيانة مرتفعة
- يتم تقليل أداء ADI ، وقد ارتفعت ركائز رقائق النحاس ، وتخزين المصنع الأصلي زيادة الإنتاج المحافظ
- موجة الذكاء في السيارة قادمة ، وساعد Aimus Oslang ساجيتا Juguang في إطلاق MX Lidar
- يتم استبعاد طاقة إنتاج HBM ، وقد تكون ذاكرة DRAM مختصرة في النصف الثاني من العام
- سينتهي مؤسسو الجدران أو HBM أو يتسبب في ارتفاع DRAM مرة أخرى
- الطلب على الهاتف المحمول وتوسيع أجهزة الكمبيوتر الشخصية ، تحسين صناعة تصنيع أشباه الموصلات العالمية
- فهم احتياجات أنظمة مراقبة ADAS وأنظمة المقصورة لأجهزة استشعار صور أمان الشبكة
- يشاع أن Samsung و SK Hynix أوقفوا DDR3 ، وارتفع اقتباس الترويج بنسبة 20 ٪
- أصدرت Melexis MLX90427: التحكم في الخط في الاختيار الجديد ، آمن وفعال واقتصادي
- أعلن التقرير المالي لـ NXP و Ansonmei ، ويتم إرسال سعر أسعار النحاس إلى صناعة IC
- أنشأت Moels Micro Electronics مكاتب جديدة في تايوان ، الصين لتوسيع أراضي العمل
- لا يزال يتعين تعزيز أداء Texas Instruments ، ويدفع مصنعان التخزين منتجات ذاكرة فلاش جديدة