BAT1705WE6327HTSA1 متاح الآن!تقنية LYNTEAM هي موزع التخزين ل BAT1705WE6327HTSA1، لدينا مخزونات للشحن الفوري وتتوفر أيضا لتزويد وقت طويل.الرجاء ارسال لنا خطة الشراء الخاصة بك ل BAT1705WE6327HTSA1 عبر البريد الإلكتروني، وسنقدم لك أفضل سعر وفقا لخطتك.
شراء BAT1705WE6327HTSA1 مع LYNTEAM، وفر أموالك والوقت.
بريدنا الإلكتروني: [email protected]
BAT1705WE6327HTSA1
- رقم القطعة:
- BAT1705WE6327HTSA1
- وصف:
- DIODE SCHOTTKY RF CC SOT-323
- حالة خالية من الرصاص:
- الرصاص الحرة / بنفايات المتوافقة
- كمية المخزون:
- 52346 Pieces
- موعد التسليم:
- 1-2 days
- المهلة:
- 4-8 weeks
- ورقة البيانات:
- BAT1705WE6327HTSA1.pdf
المقدمة
مواصفات
| شرط | New & Original, tested |
|---|---|
| بلد المنشأ | Contact us |
| بمناسبة التعليمات البرمجية | Send by email |
| الجهد - قمة عكسي (ماكس): | 4V |
| تجار الأجهزة حزمة: | PG-SOT323-3 |
| سلسلة: | - |
| المقاومة @ إذا، F: | 15 Ohm @ 5mA, 10kHz |
| تبديد الطاقة (ماكس): | 150mW |
| التعبئة والتغليف: | Tape & Reel (TR) |
| حزمة / كيس: | SC-70, SOT-323 |
| اسماء اخرى: | BAT 17-05W E6327 BAT 17-05W E6327-ND BAT1705WE6327 BAT1705WE6327HTSA1TR BAT1705WE6327XT SP000012243 |
| درجة حرارة التشغيل: | 150°C (TJ) |
| مستوى الحساسية للرطوبة (MSL): | 1 (Unlimited) |
| حالة خالية من الرصاص / حالة بنفايات: | Lead free / RoHS Compliant |
| نوع الصمام الثنائي: | Schottky - 1 Pair Common Cathode |
| وصف تفصيلي: | RF Diode Schottky - 1 Pair Common Cathode 4V 130mA 150mW PG-SOT323-3 |
| الحالي - الحد الأقصى: | 130mA |
| السعة @ الواقع الافتراضي، F: | 0.75pF @ 0V, 1MHz |
| رقم جزء القاعدة: | BAT17-05 |
| Email: | [email protected] |
قطع الغيار ذات الصلة لBAT1705WE6327HTSA1
Latest الأخبار
- أطلقت Qorvo التمهيدية الراقية ذات 5G Mmimo الرائعة في هذا المجال
- جرد دورة المحاكاة في القاع
- خطة Micron لبناء مصنع ، ذاكرة فلاش NAND بأسعار أو صيانة مرتفعة
- يتم تقليل أداء ADI ، وقد ارتفعت ركائز رقائق النحاس ، وتخزين المصنع الأصلي زيادة الإنتاج المحافظ
- موجة الذكاء في السيارة قادمة ، وساعد Aimus Oslang ساجيتا Juguang في إطلاق MX Lidar
- يتم استبعاد طاقة إنتاج HBM ، وقد تكون ذاكرة DRAM مختصرة في النصف الثاني من العام
- سينتهي مؤسسو الجدران أو HBM أو يتسبب في ارتفاع DRAM مرة أخرى
- الطلب على الهاتف المحمول وتوسيع أجهزة الكمبيوتر الشخصية ، تحسين صناعة تصنيع أشباه الموصلات العالمية
- فهم احتياجات أنظمة مراقبة ADAS وأنظمة المقصورة لأجهزة استشعار صور أمان الشبكة
- يشاع أن Samsung و SK Hynix أوقفوا DDR3 ، وارتفع اقتباس الترويج بنسبة 20 ٪
- أصدرت Melexis MLX90427: التحكم في الخط في الاختيار الجديد ، آمن وفعال واقتصادي
- أعلن التقرير المالي لـ NXP و Ansonmei ، ويتم إرسال سعر أسعار النحاس إلى صناعة IC