BAS3005B02VH6327XTSA1 متاح الآن!تقنية LYNTEAM هي موزع التخزين ل BAS3005B02VH6327XTSA1، لدينا مخزونات للشحن الفوري وتتوفر أيضا لتزويد وقت طويل.الرجاء ارسال لنا خطة الشراء الخاصة بك ل BAS3005B02VH6327XTSA1 عبر البريد الإلكتروني، وسنقدم لك أفضل سعر وفقا لخطتك.
شراء BAS3005B02VH6327XTSA1 مع LYNTEAM، وفر أموالك والوقت.
بريدنا الإلكتروني: [email protected]
BAS3005B02VH6327XTSA1
- رقم القطعة:
- BAS3005B02VH6327XTSA1
- وصف:
- DIODE SCHOTTKY 30V 500MA SC79-2
- حالة خالية من الرصاص:
- الرصاص الحرة / بنفايات المتوافقة
- كمية المخزون:
- 56023 Pieces
- موعد التسليم:
- 1-2 days
- المهلة:
- 4-8 weeks
- ورقة البيانات:
- BAS3005B02VH6327XTSA1.pdf
المقدمة
مواصفات
| شرط | New & Original, tested |
|---|---|
| بلد المنشأ | Contact us |
| بمناسبة التعليمات البرمجية | Send by email |
| الجهد - إلى الأمام (فودافون) (ماكس) @ إذا: | 620mV @ 500mA |
| الجهد - العاصمة عكسي (VR) (ماكس): | 30V |
| تجار الأجهزة حزمة: | PG-SC79-2 |
| سرعة: | Fast Recovery = 200mA (Io) |
| سلسلة: | - |
| التعبئة والتغليف: | Tape & Reel (TR) |
| حزمة / كيس: | SC-79, SOD-523 |
| اسماء اخرى: | BAS 3005B-02V H6327 BAS 3005B-02V H6327-ND BAS 3005B-02V H6327TR BAS 3005B-02V H6327TR-ND BAS3005B02VH6327 BAS3005B02VH6327XTSA1TR SP000749682 |
| درجة حرارة التشغيل - تقاطع: | -55°C ~ 125°C |
| تصاعد نوع: | Surface Mount |
| مستوى الحساسية للرطوبة (MSL): | 1 (Unlimited) |
| الصانع المهلة القياسية: | 10 Weeks |
| حالة خالية من الرصاص / حالة بنفايات: | Lead free / RoHS Compliant |
| نوع الصمام الثنائي: | Schottky |
| وصف تفصيلي: | Diode Schottky 30V 500mA (DC) Surface Mount PG-SC79-2 |
| التيار - عكس تسرب @ الواقع الافتراضي: | 25µA @ 30V |
| الحالي - متوسط مصحح (أيو): | 500mA (DC) |
| السعة @ الواقع الافتراضي، F: | 10pF @ 5V, 1MHz |
| رقم جزء القاعدة: | BAS3005 |
| Email: | [email protected] |
قطع الغيار ذات الصلة لBAS3005B02VH6327XTSA1
Latest الأخبار
- أطلقت Qorvo التمهيدية الراقية ذات 5G Mmimo الرائعة في هذا المجال
- جرد دورة المحاكاة في القاع
- خطة Micron لبناء مصنع ، ذاكرة فلاش NAND بأسعار أو صيانة مرتفعة
- يتم تقليل أداء ADI ، وقد ارتفعت ركائز رقائق النحاس ، وتخزين المصنع الأصلي زيادة الإنتاج المحافظ
- موجة الذكاء في السيارة قادمة ، وساعد Aimus Oslang ساجيتا Juguang في إطلاق MX Lidar
- يتم استبعاد طاقة إنتاج HBM ، وقد تكون ذاكرة DRAM مختصرة في النصف الثاني من العام
- سينتهي مؤسسو الجدران أو HBM أو يتسبب في ارتفاع DRAM مرة أخرى
- الطلب على الهاتف المحمول وتوسيع أجهزة الكمبيوتر الشخصية ، تحسين صناعة تصنيع أشباه الموصلات العالمية
- فهم احتياجات أنظمة مراقبة ADAS وأنظمة المقصورة لأجهزة استشعار صور أمان الشبكة
- يشاع أن Samsung و SK Hynix أوقفوا DDR3 ، وارتفع اقتباس الترويج بنسبة 20 ٪
- أصدرت Melexis MLX90427: التحكم في الخط في الاختيار الجديد ، آمن وفعال واقتصادي
- أعلن التقرير المالي لـ NXP و Ansonmei ، ويتم إرسال سعر أسعار النحاس إلى صناعة IC