BAS21W,115 متاح الآن!تقنية LYNTEAM هي موزع التخزين ل BAS21W,115، لدينا مخزونات للشحن الفوري وتتوفر أيضا لتزويد وقت طويل.الرجاء ارسال لنا خطة الشراء الخاصة بك ل BAS21W,115 عبر البريد الإلكتروني، وسنقدم لك أفضل سعر وفقا لخطتك.
شراء BAS21W,115 مع LYNTEAM، وفر أموالك والوقت.
بريدنا الإلكتروني: [email protected]
BAS21W,115
- رقم القطعة:
- BAS21W,115
- الصانع:
- Nexperia
- وصف:
- DIODE GEN PURP 250V 225MA SOT323
- حالة خالية من الرصاص:
- الرصاص الحرة / بنفايات المتوافقة
- كمية المخزون:
- 47129 Pieces
- موعد التسليم:
- 1-2 days
- المهلة:
- 4-8 weeks
- ورقة البيانات:
- BAS21W,115.pdf
المقدمة
مواصفات
| شرط | New & Original, tested |
|---|---|
| بلد المنشأ | Contact us |
| بمناسبة التعليمات البرمجية | Send by email |
| الجهد - إلى الأمام (فودافون) (ماكس) @ إذا: | 1.25V @ 200mA |
| الجهد - العاصمة عكسي (VR) (ماكس): | 250V |
| تجار الأجهزة حزمة: | SOT-323-3 |
| سرعة: | Fast Recovery = 200mA (Io) |
| سلسلة: | Automotive, AEC-Q101 |
| عكس وقت الاسترداد (TRR): | 50ns |
| التعبئة والتغليف: | Cut Tape (CT) |
| حزمة / كيس: | SC-70, SOT-323 |
| اسماء اخرى: | 1727-2082-1 568-11858-1 568-11858-1-ND 568-12215-1-ND |
| درجة حرارة التشغيل - تقاطع: | 150°C (Max) |
| تصاعد نوع: | Surface Mount |
| مستوى الحساسية للرطوبة (MSL): | 1 (Unlimited) |
| حالة خالية من الرصاص / حالة بنفايات: | Lead free / RoHS Compliant |
| نوع الصمام الثنائي: | Standard |
| وصف تفصيلي: | Diode Standard 250V 225mA (DC) Surface Mount SOT-323-3 |
| التيار - عكس تسرب @ الواقع الافتراضي: | 100nA @ 200V |
| الحالي - متوسط مصحح (أيو): | 225mA (DC) |
| السعة @ الواقع الافتراضي، F: | 2pF @ 0V, 1MHz |
| رقم جزء القاعدة: | BAS21W |
| Email: | [email protected] |
قطع الغيار ذات الصلة لBAS21W,115
Latest الأخبار
- ظهرت ARM في Computex 2024: من المتوقع أن يتم استخدام أكثر من 100 مليار جهاز للذراع لمنظمة العفو الدولية بحلول نهاية عام 2025
- أطلقت Qorvo التمهيدية الراقية ذات 5G Mmimo الرائعة في هذا المجال
- جرد دورة المحاكاة في القاع
- خطة Micron لبناء مصنع ، ذاكرة فلاش NAND بأسعار أو صيانة مرتفعة
- يتم تقليل أداء ADI ، وقد ارتفعت ركائز رقائق النحاس ، وتخزين المصنع الأصلي زيادة الإنتاج المحافظ
- موجة الذكاء في السيارة قادمة ، وساعد Aimus Oslang ساجيتا Juguang في إطلاق MX Lidar
- يتم استبعاد طاقة إنتاج HBM ، وقد تكون ذاكرة DRAM مختصرة في النصف الثاني من العام
- سينتهي مؤسسو الجدران أو HBM أو يتسبب في ارتفاع DRAM مرة أخرى
- الطلب على الهاتف المحمول وتوسيع أجهزة الكمبيوتر الشخصية ، تحسين صناعة تصنيع أشباه الموصلات العالمية
- فهم احتياجات أنظمة مراقبة ADAS وأنظمة المقصورة لأجهزة استشعار صور أمان الشبكة
- يشاع أن Samsung و SK Hynix أوقفوا DDR3 ، وارتفع اقتباس الترويج بنسبة 20 ٪
- أصدرت Melexis MLX90427: التحكم في الخط في الاختيار الجديد ، آمن وفعال واقتصادي