BAS16VY,115 متاح الآن!تقنية LYNTEAM هي موزع التخزين ل BAS16VY,115، لدينا مخزونات للشحن الفوري وتتوفر أيضا لتزويد وقت طويل.الرجاء ارسال لنا خطة الشراء الخاصة بك ل BAS16VY,115 عبر البريد الإلكتروني، وسنقدم لك أفضل سعر وفقا لخطتك.
شراء BAS16VY,115 مع LYNTEAM، وفر أموالك والوقت.
بريدنا الإلكتروني: [email protected]
BAS16VY,115
- رقم القطعة:
- BAS16VY,115
- الصانع:
- Nexperia
- وصف:
- DIODE ARRAY GP 100V 200MA 6TSSOP
- حالة خالية من الرصاص:
- الرصاص الحرة / بنفايات المتوافقة
- كمية المخزون:
- 56732 Pieces
- موعد التسليم:
- 1-2 days
- المهلة:
- 4-8 weeks
- ورقة البيانات:
- BAS16VY,115.pdf
المقدمة
مواصفات
| شرط | New & Original, tested |
|---|---|
| بلد المنشأ | Contact us |
| بمناسبة التعليمات البرمجية | Send by email |
| الجهد - قمة عكسي (ماكس): | Standard |
| الجهد - العاصمة عكسي (VR) (ماكس): | 3 Independent |
| الجهد - انهيار: | 6-TSSOP |
| سرعة: | 200mA (DC) |
| سلسلة: | - |
| بنفايات الحالة: | Tape & Reel (TR) |
| عكس وقت الاسترداد (TRR): | Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed |
| الاستقطاب: | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 |
| اسماء اخرى: | 1727-6171-2 568-7978-2 568-7978-2-ND 934057343115 BAS16VY T/R BAS16VY T/R-ND BAS16VY,115-ND |
| درجة حرارة التشغيل - تقاطع: | 4ns |
| تصاعد نوع: | Surface Mount |
| مستوى حساسية الرطوبة (مسل): | 1 (Unlimited) |
| الصانع الجزء رقم: | BAS16VY,115 |
| وصف موسع: | Diode Array 3 Independent Standard 100V 200mA (DC) Surface Mount 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 |
| تكوين الصمام الثنائي: | 500nA @ 80V |
| وصف: | DIODE ARRAY GP 100V 200MA 6TSSOP |
| التيار - عكس تسرب @ الواقع الافتراضي: | 1.25V @ 150mA |
| التيار - متوسط مصحح (أيو) (لكل ديود): | 100V |
| السعة @ الواقع الافتراضي، F: | -55°C ~ 150°C |
| Email: | [email protected] |
قطع الغيار ذات الصلة لBAS16VY,115
| صورة | رقم القطعة | مصنعين | وصف | رأي |
|---|---|---|---|---|
 |
BAS16W-7 | Diodes Incorporated | DIODE GEN PURP 75V 150MA SOT323 | تحقيق |
 |
BAS16V-7 | Diodes Incorporated | DIODE ARRAY GP 75V 200MA SOT563 | تحقيق |
 |
BAS16VY/ZLZ | Nexperia | DIODE ARRAY GEN PURP 100V SOT363 | تحقيق |
|
BAS16VV-7 | Diodes Incorporated | DIODE ARRAY GP 100V 200MA SOT563 | تحقيق |
 |
BAS16TW-7 | Diodes Incorporated | DIODE ARRAY GP 75V 150MA SOT363 | تحقيق |
 |
BAS16VY,165 | Nexperia USA Inc. | DIODE ARRAY GP 100V 200MA 6TSSOP | تحقيق |
 |
BAS16VV,115 | Nexperia | DIODE ARRAY GP 100V 200MA SOT666 | تحقيق |
|
BAS16VY,165 | Nexperia | DIODE ARRAY GP 100V 200MA 6TSSOP | تحقيق |
|
BAS16VY/ZLF | Nexperia | DIODE ARRAY GEN PURP 100V SOT363 | تحقيق |
|
BAS16VY/ZLH | Nexperia | DIODE ARRAY GEN PURP 100V SOT363 | تحقيق |
|
BAS16VY,125 | Nexperia USA Inc. | DIODE ARRAY GP 100V 200MA 6TSSOP | تحقيق |
|
BAS16VY,135 | Nexperia | DIODE ARRAY GP 100V 200MA 6TSSOP | تحقيق |
|
BAS16TW-7-F | Diodes Incorporated | DIODE ARRAY GP 75V 150MA SOT363 | تحقيق |
 |
BAS16V-TP | Micro Commercial Components (MCC) | DIODE ARRAY GP 75V 200MA SOT563 | تحقيق |
|
BAS16TW-TP | Micro Commercial Components (MCC) | DIODE ARRAY GP 75V 150MA SOT363 | تحقيق |
 |
BAS16UE6727HTSA1 | International Rectifier (Infineon Technologies) | DIODE GP 80V 100MA SC74 | تحقيق |
|
BAS16TWQ-13R-F | Diodes Incorporated | DIODE FS 100V 150MA SOT363 | تحقيق |
|
BAS16VY/ZLX | Nexperia | DIODE ARRAY GEN PURP 100V SOT363 | تحقيق |
 |
BAS16W,115 | Nexperia | DIODE GEN PURP 100V 175MA SOT323 | تحقيق |
 |
BAS16UE6327HTSA1 | International Rectifier (Infineon Technologies) | DIODE ARRAY GP 80V 200MA SC74-6 | تحقيق |
Latest الأخبار
- يتم استبعاد طاقة إنتاج HBM ، وقد تكون ذاكرة DRAM مختصرة في النصف الثاني من العام
- سينتهي مؤسسو الجدران أو HBM أو يتسبب في ارتفاع DRAM مرة أخرى
- الطلب على الهاتف المحمول وتوسيع أجهزة الكمبيوتر الشخصية ، تحسين صناعة تصنيع أشباه الموصلات العالمية
- فهم احتياجات أنظمة مراقبة ADAS وأنظمة المقصورة لأجهزة استشعار صور أمان الشبكة
- يشاع أن Samsung و SK Hynix أوقفوا DDR3 ، وارتفع اقتباس الترويج بنسبة 20 ٪
- أصدرت Melexis MLX90427: التحكم في الخط في الاختيار الجديد ، آمن وفعال واقتصادي
- أعلن التقرير المالي لـ NXP و Ansonmei ، ويتم إرسال سعر أسعار النحاس إلى صناعة IC
- أنشأت Moels Micro Electronics مكاتب جديدة في تايوان ، الصين لتوسيع أراضي العمل
- لا يزال يتعين تعزيز أداء Texas Instruments ، ويدفع مصنعان التخزين منتجات ذاكرة فلاش جديدة
- يتناقص التقرير المالي للربع الأول من SEF Semiconductor (ST) ، وتباطأ الطلب على السيارات
- لا يزال يتعين تعزيز أداء Texas Instruments ، ويدفع مصنعان التخزين منتجات ذاكرة فلاش جديدة
- حجم الرقاقة الناضجة المحلية ، سعة إنتاج ذاكرة فلاش Samsung NAND بالقرب من الحمل