B82791G0015A016 متاح الآن!تقنية LYNTEAM هي موزع التخزين ل B82791G0015A016، لدينا مخزونات للشحن الفوري وتتوفر أيضا لتزويد وقت طويل.الرجاء ارسال لنا خطة الشراء الخاصة بك ل B82791G0015A016 عبر البريد الإلكتروني، وسنقدم لك أفضل سعر وفقا لخطتك.
شراء B82791G0015A016 مع LYNTEAM، وفر أموالك والوقت.
بريدنا الإلكتروني: [email protected]
B82791G0015A016
- رقم القطعة:
- B82791G0015A016
- الصانع:
- EPCOS
- وصف:
- CMC 4.7MH 100MA 2LN TH
- حالة خالية من الرصاص:
- الرصاص الحرة / بنفايات المتوافقة
- كمية المخزون:
- 24761 Pieces
- موعد التسليم:
- 1-2 days
- المهلة:
- 4-8 weeks
- ورقة البيانات:
- B82791G0015A016.pdf
المقدمة
مواصفات
| شرط | New & Original, tested |
|---|---|
| بلد المنشأ | Contact us |
| بمناسبة التعليمات البرمجية | Send by email |
| تقييم الجهد - العاصمة: | 80V |
| تقييم الجهد - AC: | 42V |
| حجم / البعد: | 0.689" L x 0.689" W (17.50mm x 17.50mm) |
| سلسلة: | B82791 |
| تصنيفات: | - |
| التعبئة والتغليف: | Bulk |
| حزمة / كيس: | Horizontal, 4 PC Pin |
| اسماء اخرى: | 495-5758 495-5758-1 495-5758-1-ND B82791G 15A 16 B82791G15A16 B82791G15A16-ND |
| درجة حرارة التشغيل: | -40°C ~ 125°C |
| عدد من خطوط: | 2 |
| تصاعد نوع: | Through Hole |
| مستوى الحساسية للرطوبة (MSL): | 1 (Unlimited) |
| الصانع المهلة القياسية: | 20 Weeks |
| حالة خالية من الرصاص / حالة بنفايات: | Lead free / RoHS Compliant |
| الحث @ تردد: | 4.7mH @ 10kHz |
| ارتفاع (ماكس): | 0.315" (8.00mm) |
| نوع فلتر: | Signal Line |
| الميزات: | - |
| وصف تفصيلي: | 4.7mH @ 10kHz 2 Line Common Mode Choke Through Hole 100mA DCR 850 mOhm (Typ) |
| دس المقاومة (دكر) (ماكس): | 850 mOhm (Typ) |
| بطاقة سمك (مم): | 100mA |
| الموافقات: | - |
| Email: | [email protected] |
قطع الغيار ذات الصلة لB82791G0015A016
| صورة | رقم القطعة | مصنعين | وصف | رأي |
|---|---|---|---|---|
 |
B82791G12A14 | EPCOS | COMMON MODE CHOKE 0.1A | تحقيق |
 |
B82791G0014A016 | EPCOS | CMC 4.7MH 100MA 4LN TH | تحقيق |
|
B82791G2501N001 | EPCOS | CMC 10MH 500MA 2LN TH | تحقيق |
|
B82791G2401N001 | EPCOS | CMC 15MH 400MA 2LN TH | تحقيق |
 |
B82790S0513N201 | EPCOS | CMC 51UH 500MA 2LN SMD AEC-Q200 | تحقيق |
|
B82791G12A13 | EPCOS | COMMON MODE CHOKE 0.1A | تحقيق |
 |
B82790C0513N201 | EPCOS | CMC 51UH 500MA 2LN SMD AEC-Q200 | تحقيق |
|
B82791G0014A012 | EPCOS | CMC 6MH 100MA 2LN TH | تحقيق |
|
B82791G0015A017 | EPCOS | CMC 2.2MH 100MA 2LN TH | تحقيق |
 |
B82790S0253N201 | EPCOS | CMC 25UH 500MA 2LN SMD AEC-Q200 | تحقيق |
|
B82790C0502N201 | EPCOS | CMC 5UH 1A 2LN SMD AEC-Q200 | تحقيق |
|
B82791G2301N001 | EPCOS | CMC 30MH 300MA 2LN TH | تحقيق |
 |
B82790C0475N265 | EPCOS | CMC 4.7MH 200MA 2LN SMD AEC-Q200 | تحقيق |
|
B82791G0015A014 | EPCOS | CMC 38MH 100MA 2LN TH | تحقيق |
|
B82791G0014A017 | EPCOS | CMC 200UH 100MA 2LN TH | تحقيق |
|
B82791G14A16 | EPCOS (TDK) | CMC 4.7MH 100MA 4LN TH | تحقيق |
|
B82791A5A5 | EPCOS | COMMON MODE CHOKE 0.1A | تحقيق |
|
B82791G2351N001 | EPCOS | CMC 22MH 350MA 2LN TH | تحقيق |
 |
B82791G2251N20 | EPCOS | CMC 47MH 250MA 2LN TH | تحقيق |
 |
B82791G2251N020 | EPCOS | CMC 47MH 250MA 2LN TH | تحقيق |
Latest الأخبار
- يتم استبعاد طاقة إنتاج HBM ، وقد تكون ذاكرة DRAM مختصرة في النصف الثاني من العام
- سينتهي مؤسسو الجدران أو HBM أو يتسبب في ارتفاع DRAM مرة أخرى
- الطلب على الهاتف المحمول وتوسيع أجهزة الكمبيوتر الشخصية ، تحسين صناعة تصنيع أشباه الموصلات العالمية
- فهم احتياجات أنظمة مراقبة ADAS وأنظمة المقصورة لأجهزة استشعار صور أمان الشبكة
- يشاع أن Samsung و SK Hynix أوقفوا DDR3 ، وارتفع اقتباس الترويج بنسبة 20 ٪
- أصدرت Melexis MLX90427: التحكم في الخط في الاختيار الجديد ، آمن وفعال واقتصادي
- أعلن التقرير المالي لـ NXP و Ansonmei ، ويتم إرسال سعر أسعار النحاس إلى صناعة IC
- أنشأت Moels Micro Electronics مكاتب جديدة في تايوان ، الصين لتوسيع أراضي العمل
- لا يزال يتعين تعزيز أداء Texas Instruments ، ويدفع مصنعان التخزين منتجات ذاكرة فلاش جديدة
- يتناقص التقرير المالي للربع الأول من SEF Semiconductor (ST) ، وتباطأ الطلب على السيارات
- لا يزال يتعين تعزيز أداء Texas Instruments ، ويدفع مصنعان التخزين منتجات ذاكرة فلاش جديدة
- حجم الرقاقة الناضجة المحلية ، سعة إنتاج ذاكرة فلاش Samsung NAND بالقرب من الحمل