B43305A5107M000 متاح الآن!تقنية LYNTEAM هي موزع التخزين ل B43305A5107M000، لدينا مخزونات للشحن الفوري وتتوفر أيضا لتزويد وقت طويل.الرجاء ارسال لنا خطة الشراء الخاصة بك ل B43305A5107M000 عبر البريد الإلكتروني، وسنقدم لك أفضل سعر وفقا لخطتك.
شراء B43305A5107M000 مع LYNTEAM، وفر أموالك والوقت.
بريدنا الإلكتروني: [email protected]
B43305A5107M000
- رقم القطعة:
- B43305A5107M000
- الصانع:
- EPCOS
- وصف:
- CAP ALUM 100UF 20% 450V SNAP
- حالة خالية من الرصاص:
- الرصاص الحرة / بنفايات المتوافقة
- كمية المخزون:
- 46108 Pieces
- موعد التسليم:
- 1-2 days
- المهلة:
- 4-8 weeks
- ورقة البيانات:
- B43305A5107M000.pdf
المقدمة
مواصفات
| شرط | New & Original, tested |
|---|---|
| بلد المنشأ | Contact us |
| بمناسبة التعليمات البرمجية | Send by email |
| الجهد - تقييمه: | 450V |
| تسامح: | ±20% |
| السطح حجم جبل لاند: | - |
| حجم / البعد: | 0.866" Dia (22.00mm) |
| سلسلة: | B43305 |
| تموج الحالي @ منخفض التردد: | 850mA @ 100Hz |
| تصنيفات: | - |
| الاستقطاب: | Polar |
| التعبئة والتغليف: | Bulk |
| حزمة / كيس: | Radial, Can - Snap-In |
| اسماء اخرى: | B43305A5107M B43305A5107M-ND |
| درجة حرارة التشغيل: | -40°C ~ 85°C |
| تصاعد نوع: | Through Hole |
| مستوى الحساسية للرطوبة (MSL): | 1 (Unlimited) |
| الصانع المهلة القياسية: | 36 Weeks |
| عمر @ درجة الحرارة.: | 2000 Hrs @ 85°C |
| تباعد الرصاص: | 0.394" (10.00mm) |
| حالة خالية من الرصاص / حالة بنفايات: | Lead free / RoHS Compliant |
| مقاومة: | 1.9 Ohms |
| ارتفاع - جلوسا (ماكس): | 1.063" (27.00mm) |
| ESR (مقاومة السلسلة المكافئة): | 1.36 Ohm @ 100Hz |
| وصف تفصيلي: | 100µF 450V Aluminum Electrolytic Capacitors Radial, Can - Snap-In 1.36 Ohm @ 100Hz 2000 Hrs @ 85°C |
| مواسعة: | 100µF |
| التطبيقات: | General Purpose |
| Email: | [email protected] |
قطع الغيار ذات الصلة لB43305A5107M000
| صورة | رقم القطعة | مصنعين | وصف | رأي |
|---|---|---|---|---|
 |
B43305A5107M67 | EPCOS | CAP ALUM 100UF 20% 450V SNAP | تحقيق |
|
B43305A5127M000 | EPCOS | CAP ALUM 120UF 20% 450V SNAP | تحقيق |
|
B43305A2687M87 | EPCOS | CAP ALUM 680UF 20% 200V SNAP | تحقيق |
|
B43305A2827M67 | EPCOS | CAP ALUM 820UF 20% 200V SNAP | تحقيق |
|
B43305A2687M82 | EPCOS | CAP ALUM 680UF 20% 200V SNAP | تحقيق |
|
B43305A5127M67 | EPCOS | CAP ALUM 120UF 20% 450V SNAP | تحقيق |
|
B43305A2687M80 | EPCOS | CAP ALUM 680UF 20% 200V SNAP | تحقيق |
|
B43305A5107M87 | EPCOS | CAP ALUM 100UF 20% 450V SNAP | تحقيق |
|
B43305A5107M62 | EPCOS | CAP ALUM 100UF 20% 450V SNAP | تحقيق |
|
B43305A5127M60 | EPCOS | CAP ALUM 120UF 20% 450V SNAP | تحقيق |
|
B43305A5107M82 | EPCOS | CAP ALUM 100UF 20% 450V SNAP | تحقيق |
|
B43305A2827M80 | EPCOS | CAP ALUM 820UF 20% 200V SNAP | تحقيق |
|
B43305A5107M60 | EPCOS | CAP ALUM 100UF 20% 450V SNAP | تحقيق |
|
B43305A5107M80 | EPCOS | CAP ALUM 100UF 20% 450V SNAP | تحقيق |
|
B43305A2827M62 | EPCOS | CAP ALUM 820UF 20% 200V SNAP | تحقيق |
|
B43305A2827M60 | EPCOS | CAP ALUM 820UF 20% 200V SNAP | تحقيق |
|
B43305A5127M62 | EPCOS | CAP ALUM 120UF 20% 450V SNAP | تحقيق |
|
B43305A2827M87 | EPCOS | CAP ALUM 820UF 20% 200V SNAP | تحقيق |
|
B43305A2827M000 | EPCOS | CAP ALUM 820UF 20% 200V SNAP | تحقيق |
|
B43305A2827M82 | EPCOS | CAP ALUM 820UF 20% 200V SNAP | تحقيق |
Latest الأخبار
- يتم استبعاد طاقة إنتاج HBM ، وقد تكون ذاكرة DRAM مختصرة في النصف الثاني من العام
- سينتهي مؤسسو الجدران أو HBM أو يتسبب في ارتفاع DRAM مرة أخرى
- الطلب على الهاتف المحمول وتوسيع أجهزة الكمبيوتر الشخصية ، تحسين صناعة تصنيع أشباه الموصلات العالمية
- فهم احتياجات أنظمة مراقبة ADAS وأنظمة المقصورة لأجهزة استشعار صور أمان الشبكة
- يشاع أن Samsung و SK Hynix أوقفوا DDR3 ، وارتفع اقتباس الترويج بنسبة 20 ٪
- أصدرت Melexis MLX90427: التحكم في الخط في الاختيار الجديد ، آمن وفعال واقتصادي
- أعلن التقرير المالي لـ NXP و Ansonmei ، ويتم إرسال سعر أسعار النحاس إلى صناعة IC
- أنشأت Moels Micro Electronics مكاتب جديدة في تايوان ، الصين لتوسيع أراضي العمل
- لا يزال يتعين تعزيز أداء Texas Instruments ، ويدفع مصنعان التخزين منتجات ذاكرة فلاش جديدة
- يتناقص التقرير المالي للربع الأول من SEF Semiconductor (ST) ، وتباطأ الطلب على السيارات
- لا يزال يتعين تعزيز أداء Texas Instruments ، ويدفع مصنعان التخزين منتجات ذاكرة فلاش جديدة
- حجم الرقاقة الناضجة المحلية ، سعة إنتاج ذاكرة فلاش Samsung NAND بالقرب من الحمل