B32652A0333J189 متاح الآن!تقنية LYNTEAM هي موزع التخزين ل B32652A0333J189، لدينا مخزونات للشحن الفوري وتتوفر أيضا لتزويد وقت طويل.الرجاء ارسال لنا خطة الشراء الخاصة بك ل B32652A0333J189 عبر البريد الإلكتروني، وسنقدم لك أفضل سعر وفقا لخطتك.
شراء B32652A0333J189 مع LYNTEAM، وفر أموالك والوقت.
بريدنا الإلكتروني: [email protected]
B32652A0333J189
- رقم القطعة:
- B32652A0333J189
- الصانع:
- EPCOS
- وصف:
- CAP FILM 0.033UF 5% 1KVDC RADIAL
- حالة خالية من الرصاص:
- الرصاص الحرة / بنفايات المتوافقة
- كمية المخزون:
- 31658 Pieces
- موعد التسليم:
- 1-2 days
- المهلة:
- 4-8 weeks
- ورقة البيانات:
- B32652A0333J189.pdf
المقدمة
مواصفات
| شرط | New & Original, tested |
|---|---|
| بلد المنشأ | Contact us |
| بمناسبة التعليمات البرمجية | Send by email |
| تقييم الجهد - العاصمة: | 1000V (1kV) |
| تقييم الجهد - AC: | 250V |
| تسامح: | ±5% |
| نهاية: | PC Pins |
| حجم / البعد: | 0.709" L x 0.236" W (18.00mm x 6.00mm) |
| سلسلة: | B32652 |
| تصنيفات: | - |
| التعبئة والتغليف: | Tape & Reel (TR) |
| حزمة / كيس: | Radial |
| اسماء اخرى: | B32652A 333J189 B32652A333J189 B32652A333J189-ND |
| درجة حرارة التشغيل: | -55°C ~ 100°C |
| تصاعد نوع: | Through Hole |
| مستوى الحساسية للرطوبة (MSL): | 1 (Unlimited) |
| تباعد الرصاص: | 0.591" (15.00mm) |
| حالة خالية من الرصاص / حالة بنفايات: | Lead free / RoHS Compliant |
| ارتفاع - جلوسا (ماكس): | 0.433" (11.00mm) |
| الميزات: | - |
| عازلة المواد: | Polypropylene (PP), Metallized |
| وصف تفصيلي: | 0.033µF Film Capacitor 250V 1000V (1kV) Polypropylene (PP), Metallized Radial |
| مواسعة: | 0.033µF |
| التطبيقات: | DC Link, DC Filtering; High Pulse, DV/DT; Snubber |
| Email: | [email protected] |
قطع الغيار ذات الصلة لB32652A0333J189
| صورة | رقم القطعة | مصنعين | وصف | رأي |
|---|---|---|---|---|
 |
B32652A0303J000 | EPCOS | CAP FILM 0.03UF 5% 1KVDC RADIAL | تحقيق |
 |
B32652A0333J000 | EPCOS | CAP FILM 0.033UF 5% 1KVDC RADIAL | تحقيق |
|
B32652A0303J289 | EPCOS | CAP FILM 0.03UF 5% 1KVDC RADIAL | تحقيق |
|
B32652A0473J000 | EPCOS | CAP FILM 0.047UF 5% 1KVDC RADIAL | تحقيق |
|
B32652A0333J289 | EPCOS | CAP FILM 0.033UF 5% 1KVDC RADIAL | تحقيق |
 |
B32652A0223J000 | EPCOS | CAP FILM 0.022UF 5% 1KVDC RADIAL | تحقيق |
|
B32652A0473J189 | EPCOS | CAP FILM 0.047UF 5% 1KVDC RADIAL | تحقيق |
|
B32652A0333K189 | EPCOS | CAP FILM 0.033UF 10% 1KVDC RAD | تحقيق |
|
B32652A0393J000 | EPCOS | CAP FILM 0.039UF 5% 1KVDC RADIAL | تحقيق |
|
B32652A0223K189 | EPCOS | CAP FILM 0.022UF 10% 1KVDC RAD | تحقيق |
|
B32652A0223J189 | EPCOS | CAP FILM 0.022UF 5% 1KVDC RADIAL | تحقيق |
|
B32652A0223K289 | EPCOS | CAP FILM 0.022UF 10% 1KVDC RAD | تحقيق |
|
B32652A0473K189 | EPCOS | CAP FILM 0.047UF 10% 1KVDC RAD | تحقيق |
|
B32652A0473J289 | EPCOS | CAP FILM 0.047UF 5% 1KVDC RADIAL | تحقيق |
|
B32652A0223K000 | EPCOS | CAP FILM 0.022UF 10% 1KVDC RAD | تحقيق |
|
B32652A0223J289 | EPCOS | CAP FILM 0.022UF 5% 1KVDC RADIAL | تحقيق |
|
B32652A0473K000 | EPCOS | CAP FILM 0.047UF 10% 1KVDC RAD | تحقيق |
|
B32652A0273J000 | EPCOS | CAP FILM 0.027UF 5% 1KVDC RADIAL | تحقيق |
|
B32652A0333K289 | EPCOS | CAP FILM 0.033UF 10% 1KVDC RAD | تحقيق |
|
B32652A0333K000 | EPCOS | CAP FILM 0.033UF 10% 1KVDC RAD | تحقيق |
Latest الأخبار
- يتم استبعاد طاقة إنتاج HBM ، وقد تكون ذاكرة DRAM مختصرة في النصف الثاني من العام
- سينتهي مؤسسو الجدران أو HBM أو يتسبب في ارتفاع DRAM مرة أخرى
- الطلب على الهاتف المحمول وتوسيع أجهزة الكمبيوتر الشخصية ، تحسين صناعة تصنيع أشباه الموصلات العالمية
- فهم احتياجات أنظمة مراقبة ADAS وأنظمة المقصورة لأجهزة استشعار صور أمان الشبكة
- يشاع أن Samsung و SK Hynix أوقفوا DDR3 ، وارتفع اقتباس الترويج بنسبة 20 ٪
- أصدرت Melexis MLX90427: التحكم في الخط في الاختيار الجديد ، آمن وفعال واقتصادي
- أعلن التقرير المالي لـ NXP و Ansonmei ، ويتم إرسال سعر أسعار النحاس إلى صناعة IC
- أنشأت Moels Micro Electronics مكاتب جديدة في تايوان ، الصين لتوسيع أراضي العمل
- لا يزال يتعين تعزيز أداء Texas Instruments ، ويدفع مصنعان التخزين منتجات ذاكرة فلاش جديدة
- يتناقص التقرير المالي للربع الأول من SEF Semiconductor (ST) ، وتباطأ الطلب على السيارات
- لا يزال يتعين تعزيز أداء Texas Instruments ، ويدفع مصنعان التخزين منتجات ذاكرة فلاش جديدة
- حجم الرقاقة الناضجة المحلية ، سعة إنتاج ذاكرة فلاش Samsung NAND بالقرب من الحمل