AUR9807VSGD متاح الآن!تقنية LYNTEAM هي موزع التخزين ل AUR9807VSGD، لدينا مخزونات للشحن الفوري وتتوفر أيضا لتزويد وقت طويل.الرجاء ارسال لنا خطة الشراء الخاصة بك ل AUR9807VSGD عبر البريد الإلكتروني، وسنقدم لك أفضل سعر وفقا لخطتك.
شراء AUR9807VSGD مع LYNTEAM، وفر أموالك والوقت.
بريدنا الإلكتروني: [email protected]
AUR9807VSGD
- رقم القطعة:
- AUR9807VSGD
- الصانع:
- Diodes Incorporated
- وصف:
- IC BATT CHRGR LI-ION SGL 20QFN
- حالة خالية من الرصاص:
- الرصاص الحرة / بنفايات المتوافقة
- كمية المخزون:
- 49890 Pieces
- موعد التسليم:
- 1-2 days
- المهلة:
- 4-8 weeks
- ورقة البيانات:
- AUR9807VSGD.pdf
المقدمة
مواصفات
| شرط | New & Original, tested |
|---|---|
| بلد المنشأ | Contact us |
| بمناسبة التعليمات البرمجية | Send by email |
| الجهد - العرض (ماكس): | 6.3V |
| تجار الأجهزة حزمة: | 20-QFN (4.5x3.5) |
| سلسلة: | - |
| الميزات القابلة للبرمجة: | Timer |
| التعبئة والتغليف: | Tape & Reel (TR) |
| حزمة / كيس: | 20-WFQFN Exposed Pad |
| درجة حرارة التشغيل: | -40°C ~ 85°C (TA) |
| عدد الخلايا: | 1 |
| مستوى الحساسية للرطوبة (MSL): | 3 (168 Hours) |
| الصانع المهلة القياسية: | 5 Weeks |
| حالة خالية من الرصاص / حالة بنفايات: | Lead free / RoHS Compliant |
| السطح البيني: | - |
| حماية الأخطاء: | Over Temperature, Over Voltage, Reverse Current, Short Circuit |
| وصف تفصيلي: | Charger IC Lithium Ion 20-QFN (4.5x3.5) |
| الحالي - الشحن: | Constant - Programmable |
| تهمة الحالي - الحد الأقصى: | 1.5A |
| بطارية حزمة الجهد: | 4.2V |
| كيمياء البطارية: | Lithium Ion |
| Email: | [email protected] |
قطع الغيار ذات الصلة لAUR9807VSGD
Latest الأخبار
- ظهرت ARM في Computex 2024: من المتوقع أن يتم استخدام أكثر من 100 مليار جهاز للذراع لمنظمة العفو الدولية بحلول نهاية عام 2025
- أطلقت Qorvo التمهيدية الراقية ذات 5G Mmimo الرائعة في هذا المجال
- جرد دورة المحاكاة في القاع
- خطة Micron لبناء مصنع ، ذاكرة فلاش NAND بأسعار أو صيانة مرتفعة
- يتم تقليل أداء ADI ، وقد ارتفعت ركائز رقائق النحاس ، وتخزين المصنع الأصلي زيادة الإنتاج المحافظ
- موجة الذكاء في السيارة قادمة ، وساعد Aimus Oslang ساجيتا Juguang في إطلاق MX Lidar
- يتم استبعاد طاقة إنتاج HBM ، وقد تكون ذاكرة DRAM مختصرة في النصف الثاني من العام
- سينتهي مؤسسو الجدران أو HBM أو يتسبب في ارتفاع DRAM مرة أخرى
- الطلب على الهاتف المحمول وتوسيع أجهزة الكمبيوتر الشخصية ، تحسين صناعة تصنيع أشباه الموصلات العالمية
- فهم احتياجات أنظمة مراقبة ADAS وأنظمة المقصورة لأجهزة استشعار صور أمان الشبكة
- يشاع أن Samsung و SK Hynix أوقفوا DDR3 ، وارتفع اقتباس الترويج بنسبة 20 ٪
- أصدرت Melexis MLX90427: التحكم في الخط في الاختيار الجديد ، آمن وفعال واقتصادي