ATSAMS70J19A-MNT متاح الآن!تقنية LYNTEAM هي موزع التخزين ل ATSAMS70J19A-MNT، لدينا مخزونات للشحن الفوري وتتوفر أيضا لتزويد وقت طويل.الرجاء ارسال لنا خطة الشراء الخاصة بك ل ATSAMS70J19A-MNT عبر البريد الإلكتروني، وسنقدم لك أفضل سعر وفقا لخطتك.
شراء ATSAMS70J19A-MNT مع LYNTEAM، وفر أموالك والوقت.
بريدنا الإلكتروني: [email protected]
ATSAMS70J19A-MNT
- رقم القطعة:
- ATSAMS70J19A-MNT
- وصف:
- IC MCU 32BIT 512KB FLASH 64QFN
- حالة خالية من الرصاص:
- الرصاص الحرة / بنفايات المتوافقة
- كمية المخزون:
- 22722 Pieces
- موعد التسليم:
- 1-2 days
- المهلة:
- 4-8 weeks
- ورقة البيانات:
- 1.ATSAMS70J19A-MNT.pdf2.ATSAMS70J19A-MNT.pdf
المقدمة
مواصفات
| شرط | New & Original, tested |
|---|---|
| بلد المنشأ | Contact us |
| بمناسبة التعليمات البرمجية | Send by email |
| الجهد - توريد (VCC / VDD): | 1.08 V ~ 3.6 V |
| تجار الأجهزة حزمة: | 64-QFN (9x9) |
| سرعة: | 300MHz |
| سلسلة: | SAM S70 |
| ذاكرة الوصول العشوائي الحجم: | 256K x 8 |
| نوع الذاكرة برنامج: | FLASH |
| برنامج حجم الذاكرة: | 512KB (512K x 8) |
| الأجهزة الطرفية: | Brown-out Detect/Reset, DMA, POR, PWM, WDT |
| التعبئة والتغليف: | Tape & Reel (TR) |
| حزمة / كيس: | 64-VFQFN Exposed Pad |
| اسماء اخرى: | ATSAMS70J19A-MNT-ND ATSAMS70J19A-MNTTR |
| نوع مذبذب: | Internal |
| درجة حرارة التشغيل: | -40°C ~ 105°C (TA) |
| عدد الإدخال / الإخراج: | 44 |
| مستوى الحساسية للرطوبة (MSL): | 3 (168 Hours) |
| الصانع المهلة القياسية: | 5 Weeks |
| حالة خالية من الرصاص / حالة بنفايات: | Lead free / RoHS Compliant |
| EEPROM الحجم: | - |
| وصف تفصيلي: | ARM® Cortex®-M7 SAM S70 Microcontroller IC 32-Bit 300MHz 512KB (512K x 8) FLASH 64-QFN (9x9) |
| محولات البيانات: | A/D 5x12b, D/A 1x12b |
| الحجم الأساسية: | 32-Bit |
| النواة: | ARM® Cortex®-M7 |
| الاتصال: | I²C, IrDA, LINbus, SPI, UART/USART, USB |
| Email: | [email protected] |
قطع الغيار ذات الصلة لATSAMS70J19A-MNT
Latest الأخبار
- موجة الذكاء في السيارة قادمة ، وساعد Aimus Oslang ساجيتا Juguang في إطلاق MX Lidar
- يتم استبعاد طاقة إنتاج HBM ، وقد تكون ذاكرة DRAM مختصرة في النصف الثاني من العام
- سينتهي مؤسسو الجدران أو HBM أو يتسبب في ارتفاع DRAM مرة أخرى
- الطلب على الهاتف المحمول وتوسيع أجهزة الكمبيوتر الشخصية ، تحسين صناعة تصنيع أشباه الموصلات العالمية
- فهم احتياجات أنظمة مراقبة ADAS وأنظمة المقصورة لأجهزة استشعار صور أمان الشبكة
- يشاع أن Samsung و SK Hynix أوقفوا DDR3 ، وارتفع اقتباس الترويج بنسبة 20 ٪
- أصدرت Melexis MLX90427: التحكم في الخط في الاختيار الجديد ، آمن وفعال واقتصادي
- أعلن التقرير المالي لـ NXP و Ansonmei ، ويتم إرسال سعر أسعار النحاس إلى صناعة IC
- أنشأت Moels Micro Electronics مكاتب جديدة في تايوان ، الصين لتوسيع أراضي العمل
- لا يزال يتعين تعزيز أداء Texas Instruments ، ويدفع مصنعان التخزين منتجات ذاكرة فلاش جديدة
- يتناقص التقرير المالي للربع الأول من SEF Semiconductor (ST) ، وتباطأ الطلب على السيارات
- لا يزال يتعين تعزيز أداء Texas Instruments ، ويدفع مصنعان التخزين منتجات ذاكرة فلاش جديدة