AT45DB041B-SI-2.5 متاح الآن!تقنية LYNTEAM هي موزع التخزين ل AT45DB041B-SI-2.5، لدينا مخزونات للشحن الفوري وتتوفر أيضا لتزويد وقت طويل.الرجاء ارسال لنا خطة الشراء الخاصة بك ل AT45DB041B-SI-2.5 عبر البريد الإلكتروني، وسنقدم لك أفضل سعر وفقا لخطتك.
شراء AT45DB041B-SI-2.5 مع LYNTEAM، وفر أموالك والوقت.
بريدنا الإلكتروني: [email protected]
AT45DB041B-SI-2.5
- رقم القطعة:
- AT45DB041B-SI-2.5
- وصف:
- IC FLASH 4M SPI 15MHZ 8SOIC
- حالة خالية من الرصاص:
- يحتوي الرصاص / بنفايات غير متوافقة
- كمية المخزون:
- 26915 Pieces
- موعد التسليم:
- 1-2 days
- المهلة:
- 4-8 weeks
- ورقة البيانات:
- AT45DB041B-SI-2.5.pdf
المقدمة
مواصفات
| شرط | New & Original, tested |
|---|---|
| بلد المنشأ | Contact us |
| بمناسبة التعليمات البرمجية | Send by email |
| كتابة دورة الزمن - كلمة، الصفحة: | 14ms |
| الجهد - توريد: | 2.5 V ~ 3.6 V |
| تكنولوجيا: | FLASH |
| تجار الأجهزة حزمة: | 8-SOIC |
| سلسلة: | - |
| التعبئة والتغليف: | Tube |
| حزمة / كيس: | 8-SOIC (0.209", 5.30mm Width) |
| درجة حرارة التشغيل: | -40°C ~ 85°C (TC) |
| تصاعد نوع: | Surface Mount |
| مستوى الحساسية للرطوبة (MSL): | 1 (Unlimited) |
| نوع الذاكرة: | Non-Volatile |
| حجم الذاكرة: | 4Mb (264 Bytes x 2048 pages) |
| واجهة الذاكرة: | SPI |
| تنسيق الذاكرة: | FLASH |
| حالة خالية من الرصاص / حالة بنفايات: | Contains lead / RoHS non-compliant |
| وصف تفصيلي: | FLASH Memory IC 4Mb (264 Bytes x 2048 pages) SPI 15MHz 8-SOIC |
| تردد على مدار الساعة: | 15MHz |
| رقم جزء القاعدة: | AT45DB041 |
| Email: | [email protected] |
قطع الغيار ذات الصلة لAT45DB041B-SI-2.5
Latest الأخبار
- ظهرت ARM في Computex 2024: من المتوقع أن يتم استخدام أكثر من 100 مليار جهاز للذراع لمنظمة العفو الدولية بحلول نهاية عام 2025
- أطلقت Qorvo التمهيدية الراقية ذات 5G Mmimo الرائعة في هذا المجال
- جرد دورة المحاكاة في القاع
- خطة Micron لبناء مصنع ، ذاكرة فلاش NAND بأسعار أو صيانة مرتفعة
- يتم تقليل أداء ADI ، وقد ارتفعت ركائز رقائق النحاس ، وتخزين المصنع الأصلي زيادة الإنتاج المحافظ
- موجة الذكاء في السيارة قادمة ، وساعد Aimus Oslang ساجيتا Juguang في إطلاق MX Lidar
- يتم استبعاد طاقة إنتاج HBM ، وقد تكون ذاكرة DRAM مختصرة في النصف الثاني من العام
- سينتهي مؤسسو الجدران أو HBM أو يتسبب في ارتفاع DRAM مرة أخرى
- الطلب على الهاتف المحمول وتوسيع أجهزة الكمبيوتر الشخصية ، تحسين صناعة تصنيع أشباه الموصلات العالمية
- فهم احتياجات أنظمة مراقبة ADAS وأنظمة المقصورة لأجهزة استشعار صور أمان الشبكة
- يشاع أن Samsung و SK Hynix أوقفوا DDR3 ، وارتفع اقتباس الترويج بنسبة 20 ٪
- أصدرت Melexis MLX90427: التحكم في الخط في الاختيار الجديد ، آمن وفعال واقتصادي