AT32UC3C2512C-A2ZR متاح الآن!تقنية LYNTEAM هي موزع التخزين ل AT32UC3C2512C-A2ZR، لدينا مخزونات للشحن الفوري وتتوفر أيضا لتزويد وقت طويل.الرجاء ارسال لنا خطة الشراء الخاصة بك ل AT32UC3C2512C-A2ZR عبر البريد الإلكتروني، وسنقدم لك أفضل سعر وفقا لخطتك.
شراء AT32UC3C2512C-A2ZR مع LYNTEAM، وفر أموالك والوقت.
بريدنا الإلكتروني: [email protected]
AT32UC3C2512C-A2ZR
- رقم القطعة:
- AT32UC3C2512C-A2ZR
- وصف:
- IC MCU 32BIT 512KB FLASH 64TQFP
- حالة خالية من الرصاص:
- الرصاص الحرة / بنفايات المتوافقة
- كمية المخزون:
- 46298 Pieces
- موعد التسليم:
- 1-2 days
- المهلة:
- 4-8 weeks
- ورقة البيانات:
- AT32UC3C2512C-A2ZR.pdf
المقدمة
مواصفات
| شرط | New & Original, tested |
|---|---|
| بلد المنشأ | Contact us |
| بمناسبة التعليمات البرمجية | Send by email |
| الجهد - توريد (VCC / VDD): | FLASH |
| الجهد - انهيار: | 64-TQFP (10x10) |
| سلسلة: | Automotive, AEC-Q100, AVR®32 UC3 C |
| بنفايات الحالة: | Digi-Reel® |
| عكس وقت الاسترداد (TRR): | 66MHz |
| يتطلب: | Brown-out Detect/Reset, DMA, I²S, POR, PWM, WDT |
| نوع الذاكرة برنامج: | 512KB (512K x 8) |
| برنامج حجم الذاكرة: | CAN, Ethernet, I²C, IrDA, LIN, SPI, UART/USART, USB |
| الاستقطاب: | 64-TQFP |
| اسماء اخرى: | 1611-AT32UC3C2512C-A2ZRDKR |
| نوع مذبذب: | A/D 11x12b, D/A 2x12b |
| درجة حرارة التشغيل: | -40°C ~ 125°C (TA) |
| نظام التشغيل: | AVR |
| مستوى حساسية الرطوبة (مسل): | 3 (168 Hours) |
| الصانع المهلة القياسية: | 12 Weeks |
| الصانع الجزء رقم: | AT32UC3C2512C-A2ZR |
| وصف موسع: | AVR Automotive, AEC-Q100, AVR®32 UC3 C Microcontroller IC 32-Bit 66MHz 512KB (512K x 8) FLASH 64-TQFP (10x10) |
| وصف: | IC MCU 32BIT 512KB FLASH 64TQFP |
| SRAM بايت البيانات: | - |
| محولات البيانات: | 3 V ~ 5.5 V |
| الحجم الأساسية: | 64K x 8 |
| تحكم السلسلة: | Internal |
| الاتصال: | 32-Bit |
| أسعار مدار الساعة: | 45 |
| Email: | [email protected] |
قطع الغيار ذات الصلة لAT32UC3C2512C-A2ZR
Latest الأخبار
- يتم تقليل أداء ADI ، وقد ارتفعت ركائز رقائق النحاس ، وتخزين المصنع الأصلي زيادة الإنتاج المحافظ
- موجة الذكاء في السيارة قادمة ، وساعد Aimus Oslang ساجيتا Juguang في إطلاق MX Lidar
- يتم استبعاد طاقة إنتاج HBM ، وقد تكون ذاكرة DRAM مختصرة في النصف الثاني من العام
- سينتهي مؤسسو الجدران أو HBM أو يتسبب في ارتفاع DRAM مرة أخرى
- الطلب على الهاتف المحمول وتوسيع أجهزة الكمبيوتر الشخصية ، تحسين صناعة تصنيع أشباه الموصلات العالمية
- فهم احتياجات أنظمة مراقبة ADAS وأنظمة المقصورة لأجهزة استشعار صور أمان الشبكة
- يشاع أن Samsung و SK Hynix أوقفوا DDR3 ، وارتفع اقتباس الترويج بنسبة 20 ٪
- أصدرت Melexis MLX90427: التحكم في الخط في الاختيار الجديد ، آمن وفعال واقتصادي
- أعلن التقرير المالي لـ NXP و Ansonmei ، ويتم إرسال سعر أسعار النحاس إلى صناعة IC
- أنشأت Moels Micro Electronics مكاتب جديدة في تايوان ، الصين لتوسيع أراضي العمل
- لا يزال يتعين تعزيز أداء Texas Instruments ، ويدفع مصنعان التخزين منتجات ذاكرة فلاش جديدة
- يتناقص التقرير المالي للربع الأول من SEF Semiconductor (ST) ، وتباطأ الطلب على السيارات