AT29C512-70TU-T متاح الآن!تقنية LYNTEAM هي موزع التخزين ل AT29C512-70TU-T، لدينا مخزونات للشحن الفوري وتتوفر أيضا لتزويد وقت طويل.الرجاء ارسال لنا خطة الشراء الخاصة بك ل AT29C512-70TU-T عبر البريد الإلكتروني، وسنقدم لك أفضل سعر وفقا لخطتك.
شراء AT29C512-70TU-T مع LYNTEAM، وفر أموالك والوقت.
بريدنا الإلكتروني: [email protected]
AT29C512-70TU-T
- رقم القطعة:
- AT29C512-70TU-T
- وصف:
- IC FLASH 512K PARALLEL 32TSOP
- حالة خالية من الرصاص:
- الرصاص الحرة / بنفايات المتوافقة
- كمية المخزون:
- 59682 Pieces
- موعد التسليم:
- 1-2 days
- المهلة:
- 4-8 weeks
- ورقة البيانات:
- AT29C512-70TU-T.pdf
المقدمة
مواصفات
| شرط | New & Original, tested |
|---|---|
| بلد المنشأ | Contact us |
| بمناسبة التعليمات البرمجية | Send by email |
| كتابة دورة الزمن - كلمة، الصفحة: | 10ms |
| الجهد - توريد: | 4.5 V ~ 5.5 V |
| تكنولوجيا: | FLASH |
| تجار الأجهزة حزمة: | 32-TSOP |
| سلسلة: | - |
| التعبئة والتغليف: | Tape & Reel (TR) |
| حزمة / كيس: | 32-TFSOP (0.724", 18.40mm Width) |
| اسماء اخرى: | AT29C512-70TU SL383 AT29C512-70TU SL383-ND |
| درجة حرارة التشغيل: | -40°C ~ 85°C (TC) |
| تصاعد نوع: | Surface Mount |
| مستوى الحساسية للرطوبة (MSL): | 3 (168 Hours) |
| نوع الذاكرة: | Non-Volatile |
| حجم الذاكرة: | 512Kb (64K x 8) |
| واجهة الذاكرة: | Parallel |
| تنسيق الذاكرة: | FLASH |
| حالة خالية من الرصاص / حالة بنفايات: | Lead free / RoHS Compliant |
| وصف تفصيلي: | FLASH Memory IC 512Kb (64K x 8) Parallel 70ns 32-TSOP |
| رقم جزء القاعدة: | AT29C512 |
| وقت الدخول: | 70ns |
| Email: | [email protected] |
قطع الغيار ذات الصلة لAT29C512-70TU-T
Latest الأخبار
- ظهرت ARM في Computex 2024: من المتوقع أن يتم استخدام أكثر من 100 مليار جهاز للذراع لمنظمة العفو الدولية بحلول نهاية عام 2025
- أطلقت Qorvo التمهيدية الراقية ذات 5G Mmimo الرائعة في هذا المجال
- جرد دورة المحاكاة في القاع
- خطة Micron لبناء مصنع ، ذاكرة فلاش NAND بأسعار أو صيانة مرتفعة
- يتم تقليل أداء ADI ، وقد ارتفعت ركائز رقائق النحاس ، وتخزين المصنع الأصلي زيادة الإنتاج المحافظ
- موجة الذكاء في السيارة قادمة ، وساعد Aimus Oslang ساجيتا Juguang في إطلاق MX Lidar
- يتم استبعاد طاقة إنتاج HBM ، وقد تكون ذاكرة DRAM مختصرة في النصف الثاني من العام
- سينتهي مؤسسو الجدران أو HBM أو يتسبب في ارتفاع DRAM مرة أخرى
- الطلب على الهاتف المحمول وتوسيع أجهزة الكمبيوتر الشخصية ، تحسين صناعة تصنيع أشباه الموصلات العالمية
- فهم احتياجات أنظمة مراقبة ADAS وأنظمة المقصورة لأجهزة استشعار صور أمان الشبكة
- يشاع أن Samsung و SK Hynix أوقفوا DDR3 ، وارتفع اقتباس الترويج بنسبة 20 ٪
- أصدرت Melexis MLX90427: التحكم في الخط في الاختيار الجديد ، آمن وفعال واقتصادي