AS4C128M8D1-6TINTR متاح الآن!تقنية LYNTEAM هي موزع التخزين ل AS4C128M8D1-6TINTR، لدينا مخزونات للشحن الفوري وتتوفر أيضا لتزويد وقت طويل.الرجاء ارسال لنا خطة الشراء الخاصة بك ل AS4C128M8D1-6TINTR عبر البريد الإلكتروني، وسنقدم لك أفضل سعر وفقا لخطتك.
شراء AS4C128M8D1-6TINTR مع LYNTEAM، وفر أموالك والوقت.
بريدنا الإلكتروني: [email protected]
AS4C128M8D1-6TINTR
- رقم القطعة:
- AS4C128M8D1-6TINTR
- الصانع:
- Alliance Memory, Inc.
- وصف:
- IC DRAM 1G PARALLEL 66TSOP II
- حالة خالية من الرصاص:
- الرصاص الحرة / بنفايات المتوافقة
- كمية المخزون:
- 35124 Pieces
- موعد التسليم:
- 1-2 days
- المهلة:
- 4-8 weeks
- ورقة البيانات:
- AS4C128M8D1-6TINTR.pdf
المقدمة
مواصفات
| شرط | New & Original, tested |
|---|---|
| بلد المنشأ | Contact us |
| بمناسبة التعليمات البرمجية | Send by email |
| كتابة دورة الزمن - كلمة، الصفحة: | 15ns |
| الجهد - توريد: | 2.3 V ~ 2.7 V |
| تكنولوجيا: | SDRAM - DDR |
| تجار الأجهزة حزمة: | 66-TSOP II |
| سلسلة: | - |
| التعبئة والتغليف: | Tape & Reel (TR) |
| حزمة / كيس: | 66-TSSOP (0.400", 10.16mm Width) |
| اسماء اخرى: | 1450-1393 1450-1393-2 1450-1393-ND AS4C128M8D1-6TINTR-ND |
| درجة حرارة التشغيل: | -40°C ~ 85°C (TA) |
| تصاعد نوع: | Surface Mount |
| مستوى الحساسية للرطوبة (MSL): | 3 (168 Hours) |
| نوع الذاكرة: | Volatile |
| حجم الذاكرة: | 1Gb (128M x 8) |
| واجهة الذاكرة: | Parallel |
| تنسيق الذاكرة: | DRAM |
| الصانع المهلة القياسية: | 8 Weeks |
| حالة خالية من الرصاص / حالة بنفايات: | Lead free / RoHS Compliant |
| وصف تفصيلي: | SDRAM - DDR Memory IC 1Gb (128M x 8) Parallel 166MHz 700ps 66-TSOP II |
| تردد على مدار الساعة: | 166MHz |
| وقت الدخول: | 700ps |
| Email: | [email protected] |
قطع الغيار ذات الصلة لAS4C128M8D1-6TINTR
Latest الأخبار
- يشاع أن Samsung و SK Hynix أوقفوا DDR3 ، وارتفع اقتباس الترويج بنسبة 20 ٪
- أصدرت Melexis MLX90427: التحكم في الخط في الاختيار الجديد ، آمن وفعال واقتصادي
- أعلن التقرير المالي لـ NXP و Ansonmei ، ويتم إرسال سعر أسعار النحاس إلى صناعة IC
- أنشأت Moels Micro Electronics مكاتب جديدة في تايوان ، الصين لتوسيع أراضي العمل
- لا يزال يتعين تعزيز أداء Texas Instruments ، ويدفع مصنعان التخزين منتجات ذاكرة فلاش جديدة
- يتناقص التقرير المالي للربع الأول من SEF Semiconductor (ST) ، وتباطأ الطلب على السيارات
- لا يزال يتعين تعزيز أداء Texas Instruments ، ويدفع مصنعان التخزين منتجات ذاكرة فلاش جديدة
- حجم الرقاقة الناضجة المحلية ، سعة إنتاج ذاكرة فلاش Samsung NAND بالقرب من الحمل
- تطلق فيشاي عبوات مائية عالية السطوع صغير الأزرق والأخضر النقي
- أطلقت Ansonmei مستشعر موقف استقرائي لسوق الصناعي والنقل
- يبدأ Ruisa المصنع القديم لزيادة جهاز الطاقة ، ويؤثر الزلزال على معتدل ناتج DRAM
- تتيح الرقائق الدقيقة القدرة الإنتاجية لـ TSMC ويزيد من زيادة الأسعار