ARF460BG متاح الآن!تقنية LYNTEAM هي موزع التخزين ل ARF460BG، لدينا مخزونات للشحن الفوري وتتوفر أيضا لتزويد وقت طويل.الرجاء ارسال لنا خطة الشراء الخاصة بك ل ARF460BG عبر البريد الإلكتروني، وسنقدم لك أفضل سعر وفقا لخطتك.
شراء ARF460BG مع LYNTEAM، وفر أموالك والوقت.
بريدنا الإلكتروني: [email protected]
ARF460BG
- رقم القطعة:
- ARF460BG
- الصانع:
- Microsemi
- وصف:
- FET RF N-CH 500V 14A TO247
- حالة خالية من الرصاص:
- الرصاص الحرة / بنفايات المتوافقة
- كمية المخزون:
- 36927 Pieces
- موعد التسليم:
- 1-2 days
- المهلة:
- 4-8 weeks
- ورقة البيانات:
- ARF460BG.pdf
المقدمة
مواصفات
| شرط | New & Original, tested |
|---|---|
| بلد المنشأ | Contact us |
| بمناسبة التعليمات البرمجية | Send by email |
| الجهد - اختبار: | 125V |
| الجهد - تقييمه: | 500V |
| نوع الترانزستور: | N-Channel |
| تجار الأجهزة حزمة: | TO-247CS |
| سلسلة: | - |
| مخرج قوي: | - |
| التعبئة والتغليف: | Tube |
| حزمة / كيس: | TO-247-3 |
| اسماء اخرى: | ARF460BGMP ARF460BGMP-ND |
| الضوضاء الشكل: | - |
| مستوى الحساسية للرطوبة (MSL): | 1 (Unlimited) |
| الصانع المهلة القياسية: | 24 Weeks |
| حالة خالية من الرصاص / حالة بنفايات: | Lead free / RoHS Compliant |
| ربح: | 15dB |
| تردد: | 40.68MHz |
| وصف تفصيلي: | RF Mosfet N-Channel 125V 50mA 40.68MHz 15dB TO-247CS |
| التصويت الحالي: | 14A |
| الحالي - اختبار: | 50mA |
| Email: | [email protected] |
قطع الغيار ذات الصلة لARF460BG
| صورة | رقم القطعة | مصنعين | وصف | رأي |
|---|---|---|---|---|
 |
ARF463BG | Microsemi | RF PWR MOSFET 500V 9A TO-247 | تحقيق |
|
ARF463AG | Microsemi | RF PWR MOSFET 500V 9A TO-247 | تحقيق |
|
ARF461BG | Microsemi | RF MOSFET N-CH 1000V TO247 | تحقيق |
|
ARF465BG | Microsemi | RF PWR MOSFET 1200V 6A TO-247 | تحقيق |
 |
ARF444 | Microsemi | PWR MOSFET RF N-CH 900V TO-247AD | تحقيق |
|
ARF445 | Microsemi | PWR MOSFET RF N-CH 900V TO-247AD | تحقيق |
|
ARF447G | Microsemi | RF PWR MOSFET 900V 6.5A TO247 | تحقيق |
|
ARF465AG | Microsemi | RF PWR MOSFET 1200V 6A TO-247 | تحقيق |
|
ARF449BG | Microsemi | RF PWR MOSFET 450V TO-247 | تحقيق |
 |
ARF466AG | Microsemi | RF FET N CH 1000V 13A TO264 | تحقيق |
|
ARF449AG | Microsemi | RF PWR MOSFET 450V TO-247 | تحقيق |
|
ARF446G | Microsemi | RF PWR MOSFET 900V 6.5A TO247 | تحقيق |
|
ARF460AG | Microsemi | FET RF N-CH 500V 14A TO247 | تحقيق |
|
ARF443 | Microsemi | PWR MOSFET RF N-CH 300V TO-247AD | تحقيق |
 |
ARF461CG | Microsemi | RF MOSFET N-CH 1000V TO247 | تحقيق |
|
ARF448AG | Microsemi | RF FETS N CH 450V 15A TO247 | تحقيق |
|
ARF461AG | Microsemi | RF MOSFET N-CH 1000V TO247 | تحقيق |
|
ARF463AP1G | Microsemi | RF PWR MOSFET 500V 9A TO-247 | تحقيق |
|
ARF463BP1G | Microsemi | RF PWR MOSFET 500V 9A TO-247 | تحقيق |
|
ARF448BG | Microsemi | RF FET N CH 450V 15A TO247 | تحقيق |
Latest الأخبار
- خطة Micron لبناء مصنع ، ذاكرة فلاش NAND بأسعار أو صيانة مرتفعة
- يتم تقليل أداء ADI ، وقد ارتفعت ركائز رقائق النحاس ، وتخزين المصنع الأصلي زيادة الإنتاج المحافظ
- موجة الذكاء في السيارة قادمة ، وساعد Aimus Oslang ساجيتا Juguang في إطلاق MX Lidar
- يتم استبعاد طاقة إنتاج HBM ، وقد تكون ذاكرة DRAM مختصرة في النصف الثاني من العام
- سينتهي مؤسسو الجدران أو HBM أو يتسبب في ارتفاع DRAM مرة أخرى
- الطلب على الهاتف المحمول وتوسيع أجهزة الكمبيوتر الشخصية ، تحسين صناعة تصنيع أشباه الموصلات العالمية
- فهم احتياجات أنظمة مراقبة ADAS وأنظمة المقصورة لأجهزة استشعار صور أمان الشبكة
- يشاع أن Samsung و SK Hynix أوقفوا DDR3 ، وارتفع اقتباس الترويج بنسبة 20 ٪
- أصدرت Melexis MLX90427: التحكم في الخط في الاختيار الجديد ، آمن وفعال واقتصادي
- أعلن التقرير المالي لـ NXP و Ansonmei ، ويتم إرسال سعر أسعار النحاس إلى صناعة IC
- أنشأت Moels Micro Electronics مكاتب جديدة في تايوان ، الصين لتوسيع أراضي العمل
- لا يزال يتعين تعزيز أداء Texas Instruments ، ويدفع مصنعان التخزين منتجات ذاكرة فلاش جديدة