ARF150 3R J متاح الآن!تقنية LYNTEAM هي موزع التخزين ل ARF150 3R J، لدينا مخزونات للشحن الفوري وتتوفر أيضا لتزويد وقت طويل.الرجاء ارسال لنا خطة الشراء الخاصة بك ل ARF150 3R J عبر البريد الإلكتروني، وسنقدم لك أفضل سعر وفقا لخطتك.
شراء ARF150 3R J مع LYNTEAM، وفر أموالك والوقت.
بريدنا الإلكتروني: [email protected]
ARF150 3R J
- رقم القطعة:
- ARF150 3R J
- الصانع:
- Ohmite
- وصف:
- RES CHAS MNT 3 OHM 5% 150W
- حالة خالية من الرصاص:
- الرصاص الحرة / بنفايات المتوافقة
- كمية المخزون:
- 22620 Pieces
- موعد التسليم:
- 1-2 days
- المهلة:
- 4-8 weeks
- ورقة البيانات:
- ARF150 3R J.pdf
المقدمة
مواصفات
| شرط | New & Original, tested |
|---|---|
| بلد المنشأ | Contact us |
| بمناسبة التعليمات البرمجية | Send by email |
| تسامح: | ±5% |
| معامل درجة الحرارة: | ±150ppm/°C |
| حجم / البعد: | 3.150" L x 3.110" W (80.00mm x 79.00mm) |
| سلسلة: | ARF |
| وضع لوحة: | 3 Ohms |
| السلطة (واتس): | 150W |
| التعبئة والتغليف: | Bulk |
| حزمة / كيس: | Rectangular Case |
| اسماء اخرى: | ARF150 3R J-ND ARF1503RJ |
| درجة حرارة التشغيل: | 0°C ~ 200°C |
| تصاعد ميزة: | Screw Holes |
| مستوى الحساسية للرطوبة (MSL): | 1 (Unlimited) |
| الصانع المهلة القياسية: | 28 Weeks |
| قيادي نمط: | Wire Leads |
| حالة خالية من الرصاص / حالة بنفايات: | Lead free / RoHS Compliant |
| ارتفاع - جلوسا (ماكس): | 0.728" (18.50mm) |
| الميزات: | Pulse Withstanding |
| معدل الفشل: | - |
| وصف تفصيلي: | 3 Ohms ±5% 150W Wirewound Chassis Mount Resistor |
| تركيب: | Wirewound |
| طلاء، نوع السكن: | Aluminum |
| Email: | [email protected] |
قطع الغيار ذات الصلة لARF150 3R J
| صورة | رقم القطعة | مصنعين | وصف | رأي |
|---|---|---|---|---|
 |
ARF400 10R J | Ohmite | RES CHAS MNT 10 OHM 5% 400W | تحقيق |
|
ARF300 25R J | Ohmite | RES CHAS MNT 25 OHM 5% 200W | تحقيق |
 |
ARF444 | Microsemi | PWR MOSFET RF N-CH 900V TO-247AD | تحقيق |
|
ARF440 | Microsemi | PWR MOSFET RF N-CH 150V TO-247AD | تحقيق |
|
ARF300 6R J | Ohmite | RES CHAS MNT 6 OHM 5% 300W | تحقيق |
 |
ARF1501 | Microsemi | MOSFET RF N-CH 1000V 30A T1 | تحقيق |
|
ARF200 4R J | Ohmite | RES CHAS MNT 4 OHM 5% 200W | تحقيق |
|
ARF400 75R J | Ohmite | RES CHAS MNT 75 OHM 5% 400W | تحقيق |
 |
ARF1519 | Microsemi | RF PWR MOSFET 1000V 20A DIE | تحقيق |
|
ARF400 47R J | Ohmite | RES CHAS MNT 47 OHM 5% 400W | تحقيق |
|
ARF443 | Microsemi | PWR MOSFET RF N-CH 300V TO-247AD | تحقيق |
|
ARF445 | Microsemi | PWR MOSFET RF N-CH 900V TO-247AD | تحقيق |
|
ARF442 | Microsemi | PWR MOSFET RF N-CH 300V TO-247AD | تحقيق |
|
ARF1511 | Microsemi | RF PWR MOSFET 500V 20A DIE | تحقيق |
|
ARF400 8R J | Ohmite | RES CHAS MNT 8 OHM 5% 400W | تحقيق |
|
ARF200 5R J | Ohmite | RES CHAS MNT 5 OHM 5% 200W | تحقيق |
|
ARF1505 | Microsemi | RF PWR MOSFET 300V 25A DIE | تحقيق |
|
ARF441 | Microsemi | PWR MOSFET RF N-CH 150V TO-247AD | تحقيق |
 |
ARF1500 | Microsemi | MOSFET RF N-CH 500V 60A T1 | تحقيق |
|
ARF1510 | Microsemi | MOSFET RF N-CH 1000V 8A T1 | تحقيق |
Latest الأخبار
- يتم تقليل أداء ADI ، وقد ارتفعت ركائز رقائق النحاس ، وتخزين المصنع الأصلي زيادة الإنتاج المحافظ
- موجة الذكاء في السيارة قادمة ، وساعد Aimus Oslang ساجيتا Juguang في إطلاق MX Lidar
- يتم استبعاد طاقة إنتاج HBM ، وقد تكون ذاكرة DRAM مختصرة في النصف الثاني من العام
- سينتهي مؤسسو الجدران أو HBM أو يتسبب في ارتفاع DRAM مرة أخرى
- الطلب على الهاتف المحمول وتوسيع أجهزة الكمبيوتر الشخصية ، تحسين صناعة تصنيع أشباه الموصلات العالمية
- فهم احتياجات أنظمة مراقبة ADAS وأنظمة المقصورة لأجهزة استشعار صور أمان الشبكة
- يشاع أن Samsung و SK Hynix أوقفوا DDR3 ، وارتفع اقتباس الترويج بنسبة 20 ٪
- أصدرت Melexis MLX90427: التحكم في الخط في الاختيار الجديد ، آمن وفعال واقتصادي
- أعلن التقرير المالي لـ NXP و Ansonmei ، ويتم إرسال سعر أسعار النحاس إلى صناعة IC
- أنشأت Moels Micro Electronics مكاتب جديدة في تايوان ، الصين لتوسيع أراضي العمل
- لا يزال يتعين تعزيز أداء Texas Instruments ، ويدفع مصنعان التخزين منتجات ذاكرة فلاش جديدة
- يتناقص التقرير المالي للربع الأول من SEF Semiconductor (ST) ، وتباطأ الطلب على السيارات