APXH4R0ARA151MF60G متاح الآن!تقنية LYNTEAM هي موزع التخزين ل APXH4R0ARA151MF60G، لدينا مخزونات للشحن الفوري وتتوفر أيضا لتزويد وقت طويل.الرجاء ارسال لنا خطة الشراء الخاصة بك ل APXH4R0ARA151MF60G عبر البريد الإلكتروني، وسنقدم لك أفضل سعر وفقا لخطتك.
شراء APXH4R0ARA151MF60G مع LYNTEAM، وفر أموالك والوقت.
بريدنا الإلكتروني: [email protected]
APXH4R0ARA151MF60G
- رقم القطعة:
- APXH4R0ARA151MF60G
- الصانع:
- Nippon Chemi-Con
- وصف:
- CAP ALUM POLY 150UF 20% 4V SMD
- حالة خالية من الرصاص:
- الرصاص الحرة / بنفايات المتوافقة
- كمية المخزون:
- 53741 Pieces
- موعد التسليم:
- 1-2 days
- المهلة:
- 4-8 weeks
- ورقة البيانات:
- APXH4R0ARA151MF60G.pdf
المقدمة
مواصفات
| شرط | New & Original, tested |
|---|---|
| بلد المنشأ | Contact us |
| بمناسبة التعليمات البرمجية | Send by email |
| الجهد - تقييمه: | 4V |
| اكتب: | Polymer |
| تسامح: | ±20% |
| السطح حجم جبل لاند: | 0.260" L x 0.260" W (6.60mm x 6.60mm) |
| حجم / البعد: | 0.248" Dia (6.30mm) |
| سلسلة: | NPCAP™-PXH |
| تموج الحالي @ عالية التردد: | 2.45A @ 100kHz |
| تصنيفات: | - |
| التعبئة والتغليف: | Tape & Reel (TR) |
| حزمة / كيس: | Radial, Can - SMD |
| اسماء اخرى: | 565-3152-2 PXH4VC151MF60TP |
| درجة حرارة التشغيل: | -55°C ~ 125°C |
| تصاعد نوع: | Surface Mount |
| مستوى الحساسية للرطوبة (MSL): | 1 (Unlimited) |
| الصانع المهلة القياسية: | 16 Weeks |
| عمر @ درجة الحرارة.: | 1000 Hrs @ 125°C |
| تباعد الرصاص: | - |
| حالة خالية من الرصاص / حالة بنفايات: | Lead free / RoHS Compliant |
| ارتفاع - جلوسا (ماكس): | 0.224" (5.70mm) |
| ESR (مقاومة السلسلة المكافئة): | 35 mOhm |
| وصف تفصيلي: | 150µF 4V Aluminum Polymer Capacitor Radial, Can - SMD 35 mOhm 1000 Hrs @ 125°C |
| مواسعة: | 150µF |
| التطبيقات: | General Purpose |
| Email: | [email protected] |
قطع الغيار ذات الصلة لAPXH4R0ARA151MF60G
Latest الأخبار
- خطة Micron لبناء مصنع ، ذاكرة فلاش NAND بأسعار أو صيانة مرتفعة
- يتم تقليل أداء ADI ، وقد ارتفعت ركائز رقائق النحاس ، وتخزين المصنع الأصلي زيادة الإنتاج المحافظ
- موجة الذكاء في السيارة قادمة ، وساعد Aimus Oslang ساجيتا Juguang في إطلاق MX Lidar
- يتم استبعاد طاقة إنتاج HBM ، وقد تكون ذاكرة DRAM مختصرة في النصف الثاني من العام
- سينتهي مؤسسو الجدران أو HBM أو يتسبب في ارتفاع DRAM مرة أخرى
- الطلب على الهاتف المحمول وتوسيع أجهزة الكمبيوتر الشخصية ، تحسين صناعة تصنيع أشباه الموصلات العالمية
- فهم احتياجات أنظمة مراقبة ADAS وأنظمة المقصورة لأجهزة استشعار صور أمان الشبكة
- يشاع أن Samsung و SK Hynix أوقفوا DDR3 ، وارتفع اقتباس الترويج بنسبة 20 ٪
- أصدرت Melexis MLX90427: التحكم في الخط في الاختيار الجديد ، آمن وفعال واقتصادي
- أعلن التقرير المالي لـ NXP و Ansonmei ، ويتم إرسال سعر أسعار النحاس إلى صناعة IC
- أنشأت Moels Micro Electronics مكاتب جديدة في تايوان ، الصين لتوسيع أراضي العمل
- لا يزال يتعين تعزيز أداء Texas Instruments ، ويدفع مصنعان التخزين منتجات ذاكرة فلاش جديدة