APTM50H10FT3G متاح الآن!تقنية LYNTEAM هي موزع التخزين ل APTM50H10FT3G، لدينا مخزونات للشحن الفوري وتتوفر أيضا لتزويد وقت طويل.الرجاء ارسال لنا خطة الشراء الخاصة بك ل APTM50H10FT3G عبر البريد الإلكتروني، وسنقدم لك أفضل سعر وفقا لخطتك.
شراء APTM50H10FT3G مع LYNTEAM، وفر أموالك والوقت.
بريدنا الإلكتروني: [email protected]
APTM50H10FT3G
- رقم القطعة:
- APTM50H10FT3G
- الصانع:
- Microsemi
- وصف:
- MOSFET 4N-CH 500V 37A SP3
- حالة خالية من الرصاص:
- الرصاص الحرة / بنفايات المتوافقة
- كمية المخزون:
- 58987 Pieces
- موعد التسليم:
- 1-2 days
- المهلة:
- 4-8 weeks
- ورقة البيانات:
- 1.APTM50H10FT3G.pdf2.APTM50H10FT3G.pdf
المقدمة
مواصفات
| شرط | New & Original, tested |
|---|---|
| بلد المنشأ | Contact us |
| بمناسبة التعليمات البرمجية | Send by email |
| VGS (ال) (ماكس) @ إيد: | 5V @ 1mA |
| تجار الأجهزة حزمة: | SP3 |
| سلسلة: | - |
| RDS على (ماكس) @ إيد، VGS: | 120 mOhm @ 18.5A, 10V |
| السلطة - ماكس: | 312W |
| التعبئة والتغليف: | Bulk |
| حزمة / كيس: | SP3 |
| درجة حرارة التشغيل: | -40°C ~ 150°C (TJ) |
| تصاعد نوع: | Chassis Mount |
| مستوى الحساسية للرطوبة (MSL): | 1 (Unlimited) |
| الصانع المهلة القياسية: | 32 Weeks |
| حالة خالية من الرصاص / حالة بنفايات: | Lead free / RoHS Compliant |
| مدخلات السعة (سيس) (ماكس) @ فدس: | 4367pF @ 25V |
| غيت تشارج (ق) (ماكس) @ فغس: | 96nC @ 10V |
| نوع FET: | 4 N-Channel (H-Bridge) |
| FET الميزة: | Standard |
| استنزاف لجهد المصدر (Vdss): | 500V |
| وصف تفصيلي: | Mosfet Array 4 N-Channel (H-Bridge) 500V 37A 312W Chassis Mount SP3 |
| الحالي - استنزاف مستمر (إد) @ 25 ° C: | 37A |
| Email: | [email protected] |
قطع الغيار ذات الصلة لAPTM50H10FT3G
| صورة | رقم القطعة | مصنعين | وصف | رأي |
|---|---|---|---|---|
 |
APTM50DUM25TG | Microsemi | MOSFET 2N-CH 500V 149A LP8 | تحقيق |
|
APTM50DUM19G | Microsemi | MOSFET 2N-CH 500V 163A SP6 | تحقيق |
|
APTM50DSK10T3G | Microsemi | MOSFET 2N-CH 500V 37A SP3 | تحقيق |
|
APTM50H15FT1G | Microsemi | MOSFET 4N-CH 500V 25A SP1 | تحقيق |
|
APTM50DHM65TG | Microsemi | MOSFET 2N-CH 500V 51A SP4 | تحقيق |
 |
APTM50HM65FT3G | Microsemi | MOSFET 4N-CH 500V 51A SP3 | تحقيق |
 |
APTM50HM75STG | Microsemi | MOSFET 4N-CH 500V 46A SP4 | تحقيق |
|
APTM50DHM65T3G | Microsemi | MOSFET 2N-CH 500V 51A SP3 | تحقيق |
|
APTM50HM75SCTG | Microsemi | MOSFET 4N-CH 500V 46A SP4 | تحقيق |
|
APTM50HM75FT3G | Microsemi | MOSFET 4N-CH 500V 46A SP3 | تحقيق |
|
APTM50DUM38TG | Microsemi | MOSFET 2N-CH 500V 90A SP4 | تحقيق |
|
APTM50DUM17G | Microsemi | MOSFET 2N-CH 500V 180A SP6 | تحقيق |
|
APTM50HM65FTG | Microsemi | MOSFET 4N-CH 500V 51A SP4 | تحقيق |
|
APTM50DUM35TG | Microsemi | MOSFET 2N-CH 500V 99A SP4 | تحقيق |
|
APTM50HM75FTG | Microsemi | MOSFET 4N-CH 500V 46A SP4 | تحقيق |
 |
APTM50H14FT3G | Microsemi | MOSFET 4N-CH 500V 26A SP3 | تحقيق |
|
APTM50HM38FG | Microsemi | MOSFET 4N-CH 500V 90A SP6 | تحقيق |
|
APTM50HM35FG | Microsemi | MOSFET 4N-CH 500V 99A SP6 | تحقيق |
|
APTM50DHM75TG | Microsemi | MOSFET 2N-CH 500V 46A SP4 | تحقيق |
|
APTM50DSKM65T3G | Microsemi | MOSFET 2N-CH 500V 51A SP3 | تحقيق |
Latest الأخبار
- فهم احتياجات أنظمة مراقبة ADAS وأنظمة المقصورة لأجهزة استشعار صور أمان الشبكة
- يشاع أن Samsung و SK Hynix أوقفوا DDR3 ، وارتفع اقتباس الترويج بنسبة 20 ٪
- أصدرت Melexis MLX90427: التحكم في الخط في الاختيار الجديد ، آمن وفعال واقتصادي
- أعلن التقرير المالي لـ NXP و Ansonmei ، ويتم إرسال سعر أسعار النحاس إلى صناعة IC
- أنشأت Moels Micro Electronics مكاتب جديدة في تايوان ، الصين لتوسيع أراضي العمل
- لا يزال يتعين تعزيز أداء Texas Instruments ، ويدفع مصنعان التخزين منتجات ذاكرة فلاش جديدة
- يتناقص التقرير المالي للربع الأول من SEF Semiconductor (ST) ، وتباطأ الطلب على السيارات
- لا يزال يتعين تعزيز أداء Texas Instruments ، ويدفع مصنعان التخزين منتجات ذاكرة فلاش جديدة
- حجم الرقاقة الناضجة المحلية ، سعة إنتاج ذاكرة فلاش Samsung NAND بالقرب من الحمل
- تطلق فيشاي عبوات مائية عالية السطوع صغير الأزرق والأخضر النقي
- أطلقت Ansonmei مستشعر موقف استقرائي لسوق الصناعي والنقل
- يبدأ Ruisa المصنع القديم لزيادة جهاز الطاقة ، ويؤثر الزلزال على معتدل ناتج DRAM